煙臺(tái)進(jìn)口晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-02-07

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用??僧?huà)出圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,經(jīng)放大,BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加到控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),只有斷開(kāi)電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果E極性反接。以客戶至上為理念,為客戶提供咨詢服務(wù)。煙臺(tái)進(jìn)口晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

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可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷;實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié),與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)??煽毓钁?yīng)用時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。天津晶閘管移相調(diào)壓模塊型號(hào)淄博正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì)。

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現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定,照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達(dá)到,而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù))在國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家,已有明文規(guī)定對(duì)電氣設(shè)備諧波含量的限制,在國(guó)內(nèi),北京、上海、廣州等大城市,已對(duì)諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí),可通過(guò)加裝濾波設(shè)備來(lái)有效降低諧波污染。近年來(lái),許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用:可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實(shí)質(zhì)上就是一個(gè)交流調(diào)壓器,老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來(lái)實(shí)現(xiàn)的,如下圖所示。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形,經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,由于其幅度小于u1,使燈光變暗。在這種調(diào)光模式中,雖然改變了正弦交流電的幅值,但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器、電阻器相比,可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,它是采用相位控制方法來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對(duì)于普通反向阻斷型可控硅。

晶閘管集成智能模塊使用簡(jiǎn)介1、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過(guò)模塊的控制端口與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。2、晶閘管智能模塊的控制方式通過(guò)輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號(hào)采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。3、模塊的控制端口與控制線模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式,分別對(duì)應(yīng)于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用前面的五腳端口,其余為空腳,采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。模塊控制端口插座和控制線插座上都有編號(hào),請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)。淄博正高電氣運(yùn)用高科技,不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營(yíng)發(fā)展的宗旨。

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可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫(huà)出圖表-27(C)的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大。BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。公司實(shí)力雄厚,產(chǎn)品質(zhì)量可靠。泰安進(jìn)口晶閘管移相調(diào)壓模塊分類

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可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個(gè)PN結(jié),具有3個(gè)外電極:陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)極)接單向可控硅的陰極K,這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,測(cè)其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬(wàn)用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽(yáng)極A,阻值應(yīng)為無(wú)窮大,如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,再測(cè),阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無(wú)窮大。二、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽(yáng)極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應(yīng)指示為無(wú)窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽(yáng)極A短接一下(短接后馬上斷開(kāi))。煙臺(tái)進(jìn)口晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

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