泰安單向晶閘管移相調壓模塊結構

來源: 發(fā)布時間:2022-03-22

等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結構和特性■可控硅模塊從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應用較多。■可控硅模塊有三個電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26?!鰪膱D表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y構和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?!隹煽毓枘K為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理?!鍪紫?,我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管。淄博正高電氣設備的引進更加豐富了公司的設備品種,為用戶提供了更多的選擇空間。泰安單向晶閘管移相調壓模塊結構

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晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導通,稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發(fā)電流不夠時,管子不會導通,但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關斷和導通兩個狀態(tài),沒有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3.晶閘管一旦觸發(fā)導通,門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管,必須使陽極電流《維持電流,對于電阻負載,只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷,通常在管子陽極電壓互降為零后,加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數1.正反向重復峰值電壓——額定電壓(VDRM、VRRM取其小者)2.額定通態(tài)平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)3.門極觸發(fā)電流IGT,門極觸發(fā)電壓UGT,(受溫度變化)4.通態(tài)平均電壓UT(AV)即管壓降5.維持電流IH與掣住電流IL6.開通與關斷時間晶閘管合格證基本參數IT(AV)=A。新疆三相晶閘管移相調壓模塊品牌淄博正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

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可控硅損壞原因判別哪種參數壞了?當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,損壞的面積小,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,損壞的面積大,其位置在遠離控制極上。3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓()12V)而損壞,其芯片G-K間有燒焦的通路(短路痕跡)。

改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。如何鑒別可控硅模塊的三個極鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞??煽毓枘K是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電。淄博正高電氣以快的速度提供好的產品質量和好的價格及完善的售后服務。

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擴散P型雜質,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此,不需要為調整PN結面積的腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN結合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。初,對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號很少,而作小電流開關用的型號則很多。公司秉承以‘技術為、品質為生命、誠信經營’的理念為廣大客戶提供優(yōu)良的產品及完善服務,以‘晶佰源’自主品牌在國內外半導體功率器件市場建立影響力,與時俱進、開拓創(chuàng)新、不斷推進企業(yè)的規(guī)?;?、科技化建設、努力做大做強。一直致力于以成熟的技術,穩(wěn)定的品質,優(yōu)良的服務及低廉的價格向客戶提高更具競爭力的二極管、穩(wěn)壓二極管、高壓二極管、放電管等半導體產品和服務。熱忱期待與國內外用戶共同進步發(fā)展技術合作、科技研發(fā)、共創(chuàng)雙贏、共同成長!4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經獨特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,導熱性能好。熱循環(huán)負載次數高于標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用導熱絕緣封裝材料。淄博正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。山西進口晶閘管移相調壓模塊型號

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用萬用表DC10V檔測C2兩端電壓應為5V-6V之間,若不正常,應重點檢查整流穩(wěn)壓電路,然后再分別按動SB1-SB4開關,觀察各路指示管VD1-VD8應按對應的選擇功能發(fā)光或熄滅,風扇也應同步工作于不同狀態(tài)。采用TVVH9238-LC901及MAC97A6的多功能無線電遙控電風扇電路圖本例介紹的電風扇無線遙控調速器是采用4位遙控模塊和一塊風扇調速集成電路,它可將普通電風扇改造成無線電遙控多功能調速風扇。工作原理電風扇無線遙控調速器的風扇接收部分電路原理圖如圖1所示。發(fā)射部分是一個4位TWH9236匙扣式發(fā)射器,其A鍵用作風速(SPEED)調節(jié)、B鍵為風類(MODE)調節(jié),C鍵為定時(TIME)設定,D鍵為關(OFF)。圖1中IC1是與TWH9236遙控發(fā)射器相對應的TWH9238接收模塊,其A,B、C,D4個引腳與發(fā)射器上A、B、C、D4個按鍵是一一對應的。IC3是一塊LC901電風扇調速所用集成電路,其1、巧、14和5腳分別為風速(SPEED)、風類(MODE)、定時(TIME)、關(OFF)控制設定端,低電平觸發(fā)有效。當1腳反復受到低電平觸發(fā),風速依次為強風(S)~中風(M)~弱風(L)一強風(S)~……,11腳為強風輸出端S,12腳為中風輸出端M,13腳為弱風輸出端L,有效輸出為高電平,分別觸發(fā)驅動雙向晶閘管VTH1一VTH3。泰安單向晶閘管移相調壓模塊結構

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