東營(yíng)單相晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-05-11

二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路,要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通,使兩個(gè)管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則,由于元件特性的分散性,在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍,在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞,所以,針對(duì)上述問題,通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施,使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作,必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí),無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中,為了使每—周波重復(fù)在相同位置上觸發(fā)可控硅,觸發(fā)信號(hào)必須與電源同步,即觸發(fā)信號(hào)要與主回路電源保持固定的相位關(guān)系。否則,觸發(fā)電路就不能對(duì)主回路的輸出電壓Ud進(jìn)行準(zhǔn)確的控制。逆變運(yùn)行時(shí)甚至?xí)斐啥搪?,而同步是由相主回路接在同一個(gè)電源上的同步變壓器輸出的同步信號(hào)來實(shí)現(xiàn)的。以上就是可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)必須滿足的三個(gè)必定條件,希望對(duì)您有所幫助?!百|(zhì)量?jī)?yōu)先,用戶至上,以質(zhì)量求發(fā)展,與用戶共創(chuàng)雙贏”是淄博正高電氣新的經(jīng)營(yíng)觀。東營(yíng)單相晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

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可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種)。螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅??下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。對(duì)可控硅來說,觸發(fā)信號(hào)加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。東營(yíng)單相晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌淄博正高電氣竭誠(chéng)為您服務(wù),期待與您的合作,歡迎大家前來!

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可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了?當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,損壞的面積小,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,損壞的面積大,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓()12V)而損壞,其芯片G-K間有燒焦的通路(短路痕跡)。

總要先關(guān)掉照明燈。可如果燈開關(guān)不在門口,那么關(guān)上燈再摸黑走到門口,十分不方便。本文介紹的一種開關(guān)只用9個(gè)元件,可方便地加在原來的開關(guān)上,使您的燈在關(guān)掉后延時(shí)幾十秒鐘,讓您有充足的時(shí)間離開房間,免受摸黑之苦。工作原理:電路原理如下圖所示。A、B分別接在原開關(guān)兩端。合上開關(guān)S時(shí),交流電的正半周經(jīng)D6、R2、R1、D1和可控硅控制極,觸發(fā)可控硅導(dǎo)通;交流電的負(fù)半周經(jīng)D4、R2、R1、D1和可控硅控制極,觸發(fā)可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后,相當(dāng)于短路C、D兩點(diǎn),因而A、B兩點(diǎn)也經(jīng)過二極管和導(dǎo)通的可控硅閉合起來。此時(shí)照明燈亮。斷開開關(guān)S后,由于電容C1經(jīng)R1、D1和可控硅控制極放電,使可控硅仍有觸發(fā)電流維持導(dǎo)通。放電電流逐漸減小,一段時(shí)間后,可控硅截止,燈滅。此電路延時(shí)時(shí)間約為40~50秒。元件選擇:可控硅選大電流1A、耐壓400V的。D1、D3~D6可用1N4004。C1用耐壓630V、35μF的彩電電容。如果合上開關(guān)S燈不亮,可適當(dāng)減小R1的阻值。6:聲控音樂彩燈彩燈控制器的電路如下圖,R1、R2、D和C組成電阻降壓半波整波電路,輸出約3V的直流電供SCR的控制回路用。壓電陶瓷片HTD擔(dān)任聲-電換能器,平時(shí)調(diào)W使BG集電極輸出低電平,SCR關(guān)斷,彩燈不亮。當(dāng)HTD接收到聲波信號(hào)后。淄博正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。

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常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。五、在橋式整流電路中,把二極管都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中,只需要把兩個(gè)二極管換成晶閘管就能構(gòu)成全波可控整流電路了?,F(xiàn)在畫出電路圖和波形圖(圖5),就能看明白了。六、晶閘管控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產(chǎn)生的呢?晶閘管觸發(fā)電路的形式很多,常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。大家制作的調(diào)壓器,采用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。七、什么是單結(jié)晶體管?它有什么特殊性能呢?單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,是由一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極構(gòu)成的半導(dǎo)體器件(圖6)。我們先畫出它的結(jié)構(gòu)示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型硅片兩端,制作兩個(gè)電極,分別叫做基極B1和第二基極B2;硅片的另一側(cè)靠近B2處制作了一個(gè)PN結(jié)。淄博正高電氣公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品,完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)!云南單相晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

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可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅、可關(guān)斷可控硅等??煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏?,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個(gè)PN結(jié),具有3個(gè)外電極:陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測(cè)時(shí),萬用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)極)接單向可控硅的陰極K,這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,測(cè)其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽極A,阻值應(yīng)為無窮大,如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,再測(cè),阻值仍應(yīng)為無窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應(yīng)指示為無窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽極A短接一下(短接后馬上斷開)。東營(yíng)單相晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

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