我國的晶閘管中頻電源的共同特點是全集成化控制線路數(shù)字化程度高于90%、啟動成功率幾乎達到、除具有常規(guī)的水壓不足、快熔熔斷、過流、過壓等保護功能外,還具有限流、限壓等保護功能、功能較齊全的晶閘管電源還配置逆變失敗、水溫監(jiān)視等可選功能,其頻率較高可以作到8kHz,額定功率可以作到1000kW左右,如果在裝配工藝上再進一步改進的話,可以接近世界先進水平。所以,希望各大公司在選擇晶閘管的時候,不要只只考慮到晶閘管的單次成本??赡艽文I晶閘管時,有的公司報價很低。但是三五天就燒壞了。這樣您幾天就換一只管子,對您公司來說是造成更嚴重的利益損失。還不如一次選擇好的,選擇質(zhì)量優(yōu)勝的產(chǎn)品。這樣晶閘管使用壽命長,不只給您在成本上節(jié)約了錢,還為您省去了很多麻煩。您說是嗎!晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。1.晶閘管承受正東臺極電壓時,只在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。2.晶閘管在導通情況下,只要有一定的正東臺極電壓,不論門極電壓如何。淄博正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個環(huán)節(jié),保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。濟寧小功率可控硅調(diào)壓模塊
晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復峰值電壓VDRM斷態(tài)重復峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下,晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當其反向漏電電流急劇增加時反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時,允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。泰安進口可控硅調(diào)壓模塊報價選擇淄博正高電氣,就是選擇質(zhì)量、真誠和未來。
且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導通,稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導通。觸發(fā)電流不夠時,管子不會導通,但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導通兩個狀態(tài),沒有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3.晶閘管一旦觸發(fā)導通,門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管,必須使陽極電流《維持電流,對于電阻負載,只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,通常在管子陽極電壓互降為零后,加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1.正反向重復峰值電壓——額定電壓(VDRM、VRRM取其小者)2.額定通態(tài)平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)3.門極觸發(fā)電流IGT,門極觸發(fā)電壓UGT,(受溫度變化)4.通態(tài)平均電壓UT(AV)即管壓降5.維持電流IH與掣住電流IL6.開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)晶閘管關(guān)斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓)及保護晶閘管從導通到阻斷。線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過電壓。
可控硅保護電路如何設(shè)計可控硅的保護電路,大致可以分為兩種情況:一種是在適當?shù)牡胤桨惭b保護器件,例如,R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護電路,檢測設(shè)備的輸出電壓或輸入電流,當輸出電壓或輸入電流超過允許值時,借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài),從而過電壓或過電流的數(shù)值。1.過流保護可控硅設(shè)備產(chǎn)生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內(nèi)部原因,如整流可控硅損壞,觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等;其中整流橋可控硅損壞類較為嚴重,一般是由于可控硅因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力,它相當于整流橋臂發(fā)生長久性短路,使在另外兩橋臂可控硅導通時,無法正常換流,因而產(chǎn)生線間短路引起過電流.另一類則是整流橋負載外電路發(fā)生短路而引起的過電流,這類情況時有發(fā)生,因為整流橋的負載實質(zhì)是逆變橋,逆變電路換流失敗,就相當于整流橋負載短路。另外,如整流變壓器中心點接地,當逆變負載回路接觸大地時,也會發(fā)生整流橋相對地短路。2.可控硅的過壓保護可控硅設(shè)備在運行過程中,會受到由交流供電電網(wǎng)進入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。淄博正高電氣建立雙方共贏的伙伴關(guān)系是我們孜孜不斷的追求。
隨著科技與社會的不斷發(fā)展,智能晶閘管模塊越來越被大眾所認知,因為它在機器上也發(fā)揮著重要的作用,所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來越多,接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了,但是對于剛接觸它的來講,肯定是很陌生的,所以在使用上肯定就是有點困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正,各個功能端相對,如果com的功能端相對是負極,則會出現(xiàn)調(diào)壓的輸出端出現(xiàn)失控的的情況。2.智能晶閘管調(diào)壓模塊它的正極性就是各個功能端的控制,意思就是控制電壓越高,它的強電輸出電路就越高。3.晶閘管模塊屬于受信號所控制的,他是在某一個時刻使用的一種輸入控制方式,當2種方式同時出現(xiàn)輸入的情況下,它則會傾向于信號比較強的那一種,并且起到一定的作用4.晶閘管它是根據(jù)實際使用的電流而去選擇的,它的晶閘管調(diào)壓模塊的電源是屬于上進下出的,它的導線的粗細則是按照粗細的實際使用的電流去選擇的。5.如果發(fā)生過流的情況,我們可以去檢查一下負載有沒有短路的故障6.智能晶閘管模塊在使用過程中會出現(xiàn)發(fā)熱的情況,所以這個調(diào)壓模塊必須要配合散熱器去使用,或者說是在安裝過程中。淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費需求。濰坊進口可控硅調(diào)壓模塊品牌
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設(shè)備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護(1)電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密度很大,然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面,若可控硅開通時電流上升率di/dt過大,會導致PN結(jié)擊穿,必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯(lián)入電感。如下圖:(2).電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大,由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴重時引起晶閘管誤導通。為dv/dt的作用,可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如下圖:4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)在實際可控硅電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。可控硅有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下。濟寧小功率可控硅調(diào)壓模塊
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