測(cè)試是硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的主要作用,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要是用整機(jī)模擬一個(gè)實(shí)際使用的環(huán)境,測(cè)試設(shè)備在無線環(huán)境下的射頻性能,重點(diǎn)集中在天線附近一塊,即檢測(cè)天線與主板之間的匹配性。因?yàn)樵谔炀€硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)之前(SMT段)已經(jīng)做過相應(yīng)的測(cè)試,所以可認(rèn)為主板在射頻頭之前的部分已經(jīng)是好的了,剩下的就是RF天線、天線匹配電路部分,所以檢查的重點(diǎn)就是天線效率、性能等項(xiàng)目。通常來說耦合功率低甚至無功率的情況大多與同軸線、KB板和天線之間的裝配接觸是否良好有關(guān)。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:穩(wěn)定性好,精度高。河北振動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一種應(yīng)用雙波長(zhǎng)的微波光子頻率測(cè)量設(shè)備,以及一種微波光子頻率測(cè)量設(shè)備的校正方法和基于此設(shè)備的微波頻率測(cè)量方法。在微波光子頻率測(cè)量設(shè)備中,本發(fā)明采用獨(dú)特的雙環(huán)耦合硅基光子芯片結(jié)構(gòu),可以形成兩個(gè)不同深度的透射譜線。該系統(tǒng)采用一定的校準(zhǔn)方法,預(yù)先得到微波頻率和兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值的函數(shù),測(cè)量過程中,得到兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值后,直接采用查表法得到微波頻率。該系統(tǒng)將多個(gè)光學(xué)器件集成在硅基光學(xué)芯片上,從整體上減小了設(shè)備的體積,提高系統(tǒng)的整體可靠性。廣東硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商硅光芯片耦合測(cè)試能夠高精度的測(cè)量待測(cè)試樣的三維或二維的全場(chǎng)測(cè)量。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用到硅光芯片,我們一起來了解一下硅光芯片。近幾年,硅光芯片被廣為提及,從概念到產(chǎn)品,它的發(fā)展速度讓人驚嘆。硅光芯片作為硅光子技術(shù)中的一種,有著非??捎^的前景,尤其是在5G商用來臨之際,企業(yè)紛紛加大投入,搶占市場(chǎng)先機(jī)。硅光芯片的前景真的像人們想象中的那樣嗎?筆者從硅光芯片的優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)定位及行業(yè)痛點(diǎn),帶大家深度了解真正的產(chǎn)業(yè)狀況。硅光芯片的優(yōu)勢(shì):硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路,主要由光源、調(diào)制器、有源芯片等組成,通常將光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點(diǎn),因?yàn)楣韫庑酒怨枳鳛榧尚酒囊r底,所有能集成更多的光器件;在光模塊里面,光芯片的成本非常高,但隨著傳輸速率要求,晶圓成本同樣增加,對(duì)比之下,硅基材料的低成本反而成了優(yōu)勢(shì);波導(dǎo)的傳輸性能好,因?yàn)楣韫獠牧系慕麕挾雀?,折射率更高,傳輸更快?/p>
在光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問題是硅光芯片實(shí)用化過程中的關(guān)鍵問題,芯片性能的測(cè)試也是尤其重要的一個(gè)步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,并依靠對(duì)輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測(cè)試站。具體的,所有的測(cè)試設(shè)備通過光纖,設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過光纖連接到光功率計(jì),就可以測(cè)試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過光線連接到光譜儀,就可以測(cè)試光芯片的光譜等。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:使用大規(guī)模集成性。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的服務(wù)器為完成設(shè)備控制及自動(dòng)測(cè)試應(yīng)包含有自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序,可以使用于根據(jù)測(cè)試站請(qǐng)求信息分配測(cè)試設(shè)備,并自動(dòng)切換光矩陣進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。服務(wù)器連接N個(gè)測(cè)試站、測(cè)試設(shè)備、光矩陣。其中N個(gè)測(cè)試站連接由于非占用式特性采用網(wǎng)口連接方式;測(cè)試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì),物理連接采用GPIB接口、串口或者USB接口;光矩陣連接采取串口。自動(dòng)化硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)端程序包含三個(gè)功能模塊:多工位搶占式通信、設(shè)備自動(dòng)測(cè)試、測(cè)試指標(biāo)運(yùn)算;設(shè)備自動(dòng)測(cè)試過程又包含如下三類:偏振態(tài)校準(zhǔn)、存光及指標(biāo)測(cè)試。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)已被應(yīng)用于人類社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域。河北振動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家
IC測(cè)試架可以用來測(cè)試IC在不同工作條件下的性能。河北振動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家
我們分析了一種可以有效消除偏振相關(guān)性的偏振分級(jí)方案,并提出了兩種新型結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)該方案中的兩種關(guān)鍵元件。通過理論分析以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,一個(gè)基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時(shí)還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實(shí)驗(yàn)中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對(duì)一個(gè)基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對(duì)利用側(cè)向外延生長(zhǎng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯(cuò)在外延生長(zhǎng)中的傳播。初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析證明該集成平臺(tái)對(duì)于實(shí)現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。河北振動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家
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