山西震動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是一種應用雙波長的微波光子頻率測量設備,以及一種微波光子頻率測量設備的校正方法和基于此設備的微波頻率測量方法。在微波光子頻率測量設備中,本發(fā)明采用獨特的雙環(huán)耦合硅基光子芯片結構,可以形成兩個不同深度的透射譜線。該系統(tǒng)采用一定的校準方法,預先得到微波頻率和兩個電光探測器光功率比值的函數(shù),測量過程中,得到兩個電光探測器光功率比值后,直接采用查表法得到微波頻率。該系統(tǒng)將多個光學器件集成在硅基光學芯片上,從整體上減小了設備的體積,提高系統(tǒng)的整體可靠性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：更耐用。山西震動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家

測試站包含自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)客戶端程序，其程序流程如下：首先向自動耦合臺發(fā)送耦合請求信息，并且信息包括待耦合芯片的通道號，然后根據(jù)自動耦合臺返回的相應反饋信息進入自動耦合等待掛起，直到收到自動耦合臺的耦合結束信息后向服務器發(fā)送測試請求信息，以進行光芯片自動指標測試。自動耦合臺包含輸入端、輸出端與中間軸三部分，其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動反饋微調(diào)架，精度可達50nm，滿足光芯片耦合精度要求。特別的，為監(jiān)控調(diào)光耦合功率，完成自動化耦合過程，測試站應連接一個PD光電二極管，以實時獲取當前光功率。四川射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：可以更好的保護設備。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要工作可以分為四個部分(1)從波導理論出發(fā),分析了條形波導以及脊型波導的波導模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對倒錐型耦合結構,分析在耦合過程中,耦合結構的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結構并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應,分析了調(diào)制器的基本結構MZI干涉結構,并從光學結構和電學結構兩方面對光調(diào)制器進行理論分析與介紹。(4)利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調(diào)制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對調(diào)制過程,建立數(shù)學模型,從數(shù)學的角度出發(fā),總結出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進方向。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是由激光器與硅光芯片集成結構,結構包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波導;硅光芯片,硅光芯片包括第二波導,第二波導及第1波導將激光器芯片發(fā)出的光耦合至硅光芯片內(nèi);第1波導包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部;第二波導包括第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片;其中,第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片均包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部。相比于現(xiàn)有技術中的端面耦合,本實用新型的耦合方式對倒裝焊過程中的對準精度要求更低,即使在對準有誤差的實際工藝條件下,仍然具有較高的耦合效率。IC測試架可以用來測試IC在不同工作條件下的性能。

硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調(diào)制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所以能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規(guī)模生產(chǎn)的實現(xiàn)，硅光芯片的低成本成了巨大優(yōu)勢；硅光芯片的傳輸性能好，因為硅光材料折射率差更大，可以實現(xiàn)高密度的波導和同等面積下更高的傳輸帶寬。像我們的硅光芯片耦合測試系統(tǒng)就應用到了大量的硅光芯片。IC測試架是一種檢測和診斷集成電路的設備，它可以通過模擬信號的方式，檢測集成電路的功能和性能。山西震動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：靈活性大。山西震動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家

我們分析了一種可以有效消除偏振相關性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結構以實現(xiàn)該方案中的兩種關鍵元件。通過理論分析以及實驗驗證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠實現(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實驗中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現(xiàn)100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。山西震動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家