河南太陽光譜模擬購買

來源: 發(fā)布時間:2023-02-02

WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結(jié)構(gòu)和熱強化機理示意圖   金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽光譜選擇性吸收涂層的**工作層,其熱穩(wěn)定性和綜合光學性能直接決定著整個涂層的光熱轉(zhuǎn)換效率。高溫下,金屬陶瓷膜內(nèi)金屬納米粒子的團聚、長大、氧化及涂層內(nèi)層間原子的擴散遷徙,往往會導(dǎo)致成分和微結(jié)構(gòu)的變化,從而誘發(fā)涂層光學性能的衰減 (不可逆性)。如何解決上述問題,構(gòu)建熱穩(wěn)定性優(yōu)異、熱發(fā)射率低且吸收率高的太陽光譜選擇性吸收涂層,是光熱技術(shù)應(yīng)用所面臨的重要材料基礎(chǔ)問題。  相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上,此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。河南太陽光譜模擬購買

可選地,根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算太陽散射輻射強度,包括:根據(jù),計算太陽散射輻射強度es(α,z),k2為常系數(shù),取值范圍通常為0.6≤k2≤0.9。(三)有益效果本發(fā)明提供一種太陽光照補償值計算方法,至少包括以下有益效果:通過地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像的尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程,計算拍攝時刻的太陽赤緯角、太陽時角、太陽高度角、太陽輻射強度、大氣光學質(zhì)量、直射輻射大氣透明度系數(shù)、直接輻射強度、散射輻射大氣透明度系數(shù)、散射輻射強度、太陽總輻照強度,實現(xiàn)對于不同日期、不同時間、不同地點拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像的太陽光照補償值計算,并且計算復(fù)雜度低,運行速度快,算法簡單,易于工程實現(xiàn)。陜西購買太陽光譜模擬銷售科學家們設(shè)計和建造了一種新型太陽能電池的原型,將多個電池堆疊到一個設(shè)備中。

第五計算單元325,用于根據(jù)太陽高度角和所述拍攝位置高程,計算相對大氣光學質(zhì)量;第六計算單元326,用于根據(jù)相對大氣光學質(zhì)量,計算直射輻射大氣透明度系數(shù),并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù),計算散射輻射大氣透明度系數(shù);第七計算單元327,用于根據(jù)大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、所述直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算所述太陽直接輻射強度;第八計算單元328,用于根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算太陽散射輻射強度。需要說明的是,裝置部分的實施例方式與方法部分的實施例方式對應(yīng)類似,具體細節(jié)請參照方法實施例部分,在此不再贅述。

HN-9332儀器的寬波長覆蓋范圍允許在整個光譜的可見區(qū)域進行快速的“測量”光譜。然而,許多夫瑯和費譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來詳細檢查太陽光譜的感興趣區(qū)域;例如HF-8989。02高分辨率太陽光譜下圖顯示了太陽光譜中一個特別有趣的區(qū)域。這個位于689nm附近的區(qū)域主要是由地球大氣中的氧氣引起的大地吸收。在這里,可以清楚地觀察到氧帶的R-和P-分支中的單個吸收線,較強的吸收線在線中心顯示~100%的吸收。左邊是一個高分辨率的太陽光譜,它是用629nm波段的HF-8989-3光譜儀拍攝的。撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻。

本申請?zhí)岣吡四拥墓鉄徂D(zhuǎn)換的效率,其中的工作原理是:純銅、黃銅的低發(fā)射率在金屬中比較低,*為0.03~0.05,因此本申請濺鍍制備了銅離子膜,作為低發(fā)射率膜,以降低膜層的發(fā)射率;抗反射膜是利用材料表面的反射能力與其折射率有關(guān)這一特性,通過降低材料表面的折射率,減少材料對太陽輻射的反射,在金屬表面做多孔的二氧化硅膜層,其折射率較低,可使太陽反射比**降低;氧化鉻等氧化物具有高吸收率,經(jīng)檢測,本申請制備的膜層的太陽吸收率為93%~97%。實施例1一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法,包括以下依次進行的步驟:經(jīng)檢測,本申請制備的膜層的吸收率為93%~97%,比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3%~9%。福建購買太陽光譜模擬購買

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例。河南太陽光譜模擬購買

步驟5)中,靶材為鉻靶,功率為11kw,電壓為500v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為110sccm,氧氣流量為90sccm,制得的吸收膜的厚度為80nm;6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜:在第六真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應(yīng)生成二氧化硅,反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜,完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層;步驟6)中,靶材為硅靶,功率為6kw,電壓為560v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為220sccm,氧氣流量為30sccm,制得的抗反射膜的厚度為120nm。河南太陽光譜模擬購買

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