山東真空磁控濺射儀器

熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應(yīng)用：雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進(jìn)樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產(chǎn)的DC系列的數(shù)字型熱式氣體流量控制器在該設(shè)備中使用，產(chǎn)品采用全數(shù)字架構(gòu)，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V、4-20mA、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號(hào)，操作簡(jiǎn)單方便。濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜。山東真空磁控濺射儀器

磁控濺射的種類：磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對(duì)較高。但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。遼寧金屬磁控濺射直流二極濺射采用直流光放電，三極濺射采用熱陰極支撐光放電。

真空鍍膜機(jī)磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中，其工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，有較高的濺射速率。中頻交流磁控濺射在單個(gè)陰極靶系統(tǒng)中，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶濺射系統(tǒng)中，中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個(gè)輸出端，分別接到閉合磁場(chǎng)非平衡濺射雙靶的各自陰極上，因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓，一對(duì)磁控濺射靶則交替成為陰極和陽(yáng)極。孿生靶濺射技術(shù)大幅度提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性，可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累，引起靶面電弧打火以及陽(yáng)極消失的問(wèn)題，濺射速率高，為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

物相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。隨著沉積方法和技術(shù)的提升，物相沉積技術(shù)不只可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。物相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用，但30年迅速發(fā)展成為一門(mén)極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù)，并向著環(huán)保型、清潔型趨勢(shì)發(fā)展。在鐘表行業(yè)，尤其是高級(jí)手表金屬外觀件的表面處理方面達(dá)到越來(lái)越為普遍的應(yīng)用。磁控濺射具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

磁控濺射的濺射技術(shù)：直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過(guò)程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)，表面的離子電荷無(wú)法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法。濺射過(guò)程中涉及到復(fù)雜的散射過(guò)程和多種能量傳遞過(guò)程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子；某些靶材原子的動(dòng)能超過(guò)由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來(lái)，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能，這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。單向脈沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負(fù)電壓段。廣東專業(yè)磁控濺射分類

使用鉆頭的人射頻磁控濺射過(guò)程的第一步是將基片材料置于真空中真空室。山東真空磁控濺射儀器

高速率磁控濺射的一個(gè)固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片，導(dǎo)致沉積過(guò)程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)薄膜上，引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走，薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán)，還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度。同時(shí)高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%～30%，因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個(gè)問(wèn)題。山東真空磁控濺射儀器