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智能排產(chǎn)功能在MES管理系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用
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新誠物業(yè)&芯軟智控:一封表揚(yáng)信,一面錦旗,是對芯軟智控的滿分
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了解MES生產(chǎn)管理系統(tǒng)的作用及優(yōu)勢?
用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點(diǎn)火和濺射很方便。這是因?yàn)榘?,等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體,則回路斷了。于是人們采用高頻電源,回路中加入很強(qiáng)的電容,這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很小,同時接地技術(shù)很復(fù)雜,因而難大規(guī)模采用。為解決此問題,發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶,加入氬氣和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕?。?dāng)金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化,與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控濺射鍍膜的應(yīng)用領(lǐng)域:建材及民用工業(yè)中。上海金屬磁控濺射技術(shù)
磁控濺射靶材的制備技術(shù)方法按生產(chǎn)工藝可分為熔融鑄造法和粉末冶金法兩大類,在靶材的制備過程中,除嚴(yán)格控制材料的純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外,對熱處理工藝條件、后續(xù)成型加工過程亦需要加以嚴(yán)格的控制,以保證靶材的質(zhì)量。磁控濺射靶材的制備方法:1、熔融鑄造法。與粉末冶金法相比,熔融鑄造法生產(chǎn)的靶材產(chǎn)品雜質(zhì)含量低,致密度高。2、粉末冶金法。通常,熔融鑄造法無法實(shí)現(xiàn)難熔金屬濺射靶材的制備,對于熔點(diǎn)和密度相差較大的兩種或兩種以上的金屬,采用普通的熔融鑄造法,一般也難以獲得成分均勻的合金靶材;對于無機(jī)非金屬靶材、復(fù)合靶材,熔融鑄造法更是無能為力,而粉末冶金法是解決制備上述靶材技術(shù)難題的較佳途徑。同時,粉末冶金工藝還具有容易獲得均勻細(xì)晶結(jié)構(gòu)、節(jié)約原材料、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。安徽真空磁控濺射設(shè)備磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下:膜的牢固性好。
PVD技術(shù)特征:過濾陰極弧。過濾陰極電弧配有高效的電磁過濾系統(tǒng),可將弧源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀大顆粒過濾掉,因此制備的薄膜非常致密和平整光滑,具有抗腐蝕性能好,與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。離子束:離子束加工是在真空條件下,先由電子槍產(chǎn)生電子束,再引入已抽成真空且充滿惰性氣體之電離室中,使低壓惰性氣體離子化。由負(fù)極引出陽離子又經(jīng)加速、集束等步驟,獲得具有一定速度的離子投射到材料表面,產(chǎn)生濺射效應(yīng)和注入效應(yīng)。由于離子帶正電荷,其質(zhì)量比電子大數(shù)千、數(shù)萬倍,所以離子束比電子束具有更大的撞擊動能,是靠微觀的機(jī)械撞擊能量來加工的。
磁控濺射靶材鍍膜過程中,影響靶材鍍膜沉積速率的因素:濺射電流。磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比,因此也是影響濺射速率的重要因素。磁控濺射有一個普遍規(guī)律,即在較佳氣壓下沉積速度較快。因此,在不影響薄膜質(zhì)量和滿足客戶要求的前提下,從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的。改變?yōu)R射電流有兩種方法:改變工作電壓或改變工作氣體壓力。濺射功率:濺射功率對沉積速率的影響類似于濺射電壓。一般來說,提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率。然而,這并不是一個普遍的規(guī)則。在磁控靶材的濺射電壓低,濺射電流大的情況下,雖然平均濺射功率不低,但離子不能被濺射,也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高,使工作氣體離子在陰極和陽極之間的電場中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。磁控濺射一般根據(jù)所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。
高速率磁控濺射的一個固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率,高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片,導(dǎo)致沉積過程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長薄膜上,引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走,薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán),還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度。同時高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%~30%,因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個問題。磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)如下:沉積速率高。山東高溫磁控濺射方案
磁控濺射是在外加電場的兩極之間引入一個磁場。上海金屬磁控濺射技術(shù)
磁控濺射的工藝研究:濺射變量。電壓和功率:在氣體可以電離的壓強(qiáng)范圍內(nèi)如果改變施加的電壓,電路中等離子體的阻抗會隨之改變,引起氣體中的電流發(fā)生變化。改變氣體中的電流可以產(chǎn)生更多或更少的離子,這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率。一般來說,提高電壓可以提高離化率。這樣電流會增加,所以會引起阻抗的下降。提高電壓時,阻抗的降低會大幅度地提高電流,即大幅度提高了功率。如果氣體壓強(qiáng)不變,濺射源下的基片的移動速度也是恒定的,那么沉積到基片上的材料的量則決定于施加在電路上的功率。在VONARDENNE鍍膜產(chǎn)品中所采用的范圍內(nèi),功率的提高與濺射速率的提高是一種線性的關(guān)系。上海金屬磁控濺射技術(shù)
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是國內(nèi)一家多年來專注從事微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的老牌企業(yè)。公司位于長興路363號,成立于2016-04-07。公司的產(chǎn)品營銷網(wǎng)絡(luò)遍布國內(nèi)各大市場。公司主要經(jīng)營微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù),公司與微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)內(nèi)多家研究中心、機(jī)構(gòu)保持合作關(guān)系,共同交流、探討技術(shù)更新。通過科學(xué)管理、產(chǎn)品研發(fā)來提高公司競爭力。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)研發(fā),產(chǎn)品在按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測試完成后,通過質(zhì)檢部門檢測后推出。我們通過全新的管理模式和周到的服務(wù),用心服務(wù)于客戶。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工秉承著誠信服務(wù)、產(chǎn)品求新的經(jīng)營原則,對于員工素質(zhì)有嚴(yán)格的把控和要求,為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)用戶提供完善的售前和售后服務(wù)。