重慶真空鍍膜工藝流程

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜法，設(shè)備比較簡(jiǎn)單、容易操作、制成的薄膜純度高、質(zhì)量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定溫度下，在真空當(dāng)中，蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過(guò)程中所表現(xiàn)出的壓力， 稱為該物質(zhì)的飽和蒸氣壓。此時(shí)蒸發(fā)物表面液相、氣相處于動(dòng)態(tài)平衡，即到達(dá)液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都?xì)庀嗟姆肿訑?shù)相等。物質(zhì)的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大，在一定溫度下，各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不相同，且具有恒定的數(shù)值。相反，一定的飽和蒸氣壓必定對(duì)應(yīng)一定的物質(zhì)的溫度。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):對(duì)印刷、復(fù)合等后加工具有良好的適應(yīng)性。重慶真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快，制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，厚度可以較準(zhǔn)確地控制，可以普遍應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)是不會(huì)或很少覆蓋在目標(biāo)三維結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，通常只會(huì)沉積在目標(biāo)表面。這是電子束蒸發(fā)和濺射的區(qū)別。常見于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域。利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶，使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰。較終沉積到目標(biāo)上。重慶真空鍍膜工藝流程真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有較佳的金屬光澤，光反射率可達(dá)97%。

磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，反應(yīng)能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過(guò)改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經(jīng)加速陽(yáng)極加速,獲得動(dòng)能轟擊處于陽(yáng)極的蒸發(fā)材料,是蒸發(fā)材料加熱氣化,實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。這種技術(shù)相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜,可以制作高熔點(diǎn)和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術(shù)中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場(chǎng)的感應(yīng)下產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術(shù)。這種技術(shù)比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大,且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定。真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。重慶真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。重慶真空鍍膜工藝流程

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種輔助鍍膜方法。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí)，淀積分子在基板表面不斷受到來(lái)自離子源的荷能離子的轟擊，通過(guò)動(dòng)量轉(zhuǎn)移，使淀積粒子獲得較大動(dòng)能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長(zhǎng)發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源。霍爾離子源是近年發(fā)展起來(lái)的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽(yáng)極上方發(fā)出熱電子，在磁場(chǎng)作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽(yáng)極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發(fā)散角大，維護(hù)容易。重慶真空鍍膜工藝流程