云南雙靶材磁控濺射設(shè)備

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-30

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)所鍍玻璃多用于建筑玻璃和汽車(chē)玻璃這兩大用處。一般來(lái)說(shuō)這些介質(zhì)膜多是氧化鋅、二氧化錫、二氧化鈦、二氧化硅之類(lèi)的可鍍于玻璃上。真空磁控濺射鍍膜技術(shù)在車(chē)窗玻璃上的用處。用真空磁控濺射鍍膜設(shè)備可在車(chē)窗玻璃鍍涂二氧化鈦,這個(gè)鍍層可以賦予車(chē)窗自清潔效果,有一定的防霧、防露水的效用。磁控濺射工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用反應(yīng)性或非反應(yīng)性鍍膜工藝來(lái)沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機(jī)械性能等。在各種濺射鍍膜技術(shù)中,磁控濺射技術(shù)是較重要的技術(shù)之一。云南雙靶材磁控濺射設(shè)備

云南雙靶材磁控濺射設(shè)備,磁控濺射

磁控濺射包括很多種類(lèi),各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易,而實(shí)際操作困難。主要問(wèn)題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面,也發(fā)生在陽(yáng)極,真空腔體表面以及靶源表面,從而引起滅火,靶源和工件表面起弧等。國(guó)外發(fā)明的孿生靶源技術(shù),很好的解決了這個(gè)問(wèn)題。其原理是一對(duì)靶源互相為陰陽(yáng)極,從而消除陽(yáng)極表面氧化或氮化。安徽雙靶材磁控濺射實(shí)驗(yàn)室磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):沉積速率高。

云南雙靶材磁控濺射設(shè)備,磁控濺射

中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)已逐漸成為濺射鍍膜的主流技術(shù)。它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜,因?yàn)樗朔岁?yáng)極的消失并削減或消除了靶材的異常電弧放電。直流磁控濺射適用鍍膜設(shè)備,適用于筆記本電腦,手機(jī)外殼,電話(huà),無(wú)線(xiàn)通信,視聽(tīng)電子,遙控器,導(dǎo)航和醫(yī)療工具等,全自動(dòng)控制,配備大功率磁控管電源,雙靶替換運(yùn)用,恒定流輸出。獨(dú)特的工件架設(shè)計(jì)合理,自傳性強(qiáng),產(chǎn)量大,成品率高。膜層的厚度能夠通過(guò)石英晶體厚度計(jì)測(cè)量,并且能夠鍍覆準(zhǔn)確的膜厚度。這兩種類(lèi)型的磁控濺射鍍膜機(jī)在市場(chǎng)上被普遍運(yùn)用。

磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后,并不直接飛向陽(yáng)極,而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩的近似擺線(xiàn)的運(yùn)動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量,使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子較終沿磁力線(xiàn)漂移到陰極附近的陽(yáng)極而被吸收,避免高能電子對(duì)極板的強(qiáng)烈轟擊,消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn)。由于外加磁場(chǎng)的存在,電子的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)增加了電離率,實(shí)現(xiàn)了高速濺射。磁控濺射的技術(shù)特點(diǎn)是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng),一般采用永久磁鐵實(shí)現(xiàn)。反應(yīng)磁控濺射普遍應(yīng)用于化合物薄膜的大批量生產(chǎn)。

云南雙靶材磁控濺射設(shè)備,磁控濺射

磁控濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽(yáng)極,真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上,形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱(chēng)交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。高速率磁控濺射的一個(gè)固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。廣東專(zhuān)業(yè)磁控濺射工藝

磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。云南雙靶材磁控濺射設(shè)備

近年來(lái)磁控濺射技能發(fā)展十分迅速,代表性辦法有平衡平衡磁控濺射、反響磁控濺射、中頻磁控濺射及高能脈沖磁控濺射等等。放電發(fā)生的等離子體中,氬氣正離子在電場(chǎng)效果下向陰極移動(dòng),與靶材外表磕碰,受磕碰而從靶材外表濺射出的靶材原子稱(chēng)為濺射原子。磁控濺射不只應(yīng)用于科研及工業(yè)范疇,已延伸到許多日常生活用品,主要應(yīng)用在化學(xué)氣相堆積制膜困難的薄膜制備。磁控濺射技能在制備電子封裝及光學(xué)薄膜方面已有多年,特別是先進(jìn)的中頻非平衡磁控濺射技能也已在光學(xué)薄膜、通明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。云南雙靶材磁控濺射設(shè)備