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真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜,實(shí)際上,真空磁控濺射鍍膜這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外,該工藝也特別適合用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積,包括了光學(xué)設(shè)計(jì)、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、超晶格鍍膜、絕緣膜等。早在1970年,已經(jīng)有了高質(zhì)量的光學(xué)薄膜沉積案例,開發(fā)了多種光學(xué)膜層材料。這些材料包括有透明導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等,至于氟化物則多是用在蒸發(fā)鍍膜等工藝當(dāng)中。相較于蒸發(fā)鍍膜,真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻。廣州雙靶材磁控濺射特點(diǎn)
磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后,并不直接飛向陽極,而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來回振蕩的近似擺線的運(yùn)動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量,使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子較終沿磁力線漂移到陰極附近的陽極而被吸收,避免高能電子對(duì)極板的強(qiáng)烈轟擊,消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn)。由于外加磁場(chǎng)的存在,電子的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)增加了電離率,實(shí)現(xiàn)了高速濺射。磁控濺射的技術(shù)特點(diǎn)是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng),一般采用永久磁鐵實(shí)現(xiàn)。廣州雙靶材磁控濺射特點(diǎn)磁控濺射技術(shù)在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面也得到應(yīng)用。
磁控濺射方法可用于制備多種材料,如金屬、半導(dǎo)體、絕緣子等。它具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、涂覆面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).磁控濺射發(fā)展至今,除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,還實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領(lǐng)域應(yīng)用:1.各種功能薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能.例如,在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率.2.微電子:可作為非熱鍍膜技術(shù),主要用于化學(xué)氣相沉積(CVD).3.裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用:如各種全反射膜和半透明膜;比如手機(jī)殼、鼠標(biāo)等.
磁控濺射技術(shù)是一門起源較早,但至今仍能夠發(fā)揮很大作用的技術(shù)。它的優(yōu)越性不只體現(xiàn)在鍍膜方面,更滲透到各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域。時(shí)至如今,我國(guó)的濺射技術(shù)水平較之以前有了很大的突破。隨著時(shí)代進(jìn)步和現(xiàn)代工業(yè)化生產(chǎn)需求,社會(huì)對(duì)磁控濺射工藝的要求也越來越高,這就需要廣大科研人員不斷深入探究,對(duì)這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步研究和改良,增強(qiáng)其精度和功能,滿足日益增長(zhǎng)的現(xiàn)代工業(yè)需求,更好的為社會(huì)發(fā)展和科學(xué)進(jìn)步貢獻(xiàn)力量。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。磁控濺射就是在外加電場(chǎng)的兩極之間引入一個(gè)磁場(chǎng)。
磁控濺射包括很多種類,各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易,而實(shí)際操作困難。主要問題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面,也發(fā)生在陽極,真空腔體表面以及靶源表面,從而引起滅火,靶源和工件表面起弧等。國(guó)外發(fā)明的孿生靶源技術(shù),很好的解決了這個(gè)問題。其原理是一對(duì)靶源互相為陰陽極,從而消除陽極表面氧化或氮化。磁控濺射粉體鍍膜技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了銀包銅粉、銀包鋁粉、鋁包硅粉等多種微納米級(jí)粉體的量產(chǎn)。上海多層磁控濺射哪家好
磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力,也同時(shí)提高了濺射的效率和沉積速率。廣州雙靶材磁控濺射特點(diǎn)
脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷,同時(shí)可以提高濺射沉積速率,降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點(diǎn),是濺射絕緣材料沉積的首先選擇的工藝過程。高功率脈沖磁控濺射技術(shù)作為一種高離化率物理中氣相沉積技術(shù),可以明顯提高薄膜結(jié)構(gòu)可控性,進(jìn)而獲得優(yōu)異的薄膜性能,對(duì)薄膜工業(yè)的發(fā)展有重要意義。近幾年來,高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在國(guó)內(nèi)外研究領(lǐng)域和工業(yè)界受到了普遍關(guān)注和重視。廣州雙靶材磁控濺射特點(diǎn)