與EUV光源相比，UV光源更容易實現(xiàn)較高的功率；但UV曝光不能滿足分辨線條的形成條件。因此PSCAR實際上是利用EUV曝光形成圖案，再用UV曝光增加光反應(yīng)的程度，從而實現(xiàn)提高EUV曝光靈敏度的效果。在起初的PSCAR體系基礎(chǔ)之上，Tagawa課題組還開展了一系列相關(guān)研究，并通過在體系中引入對EUV光敏感的光可分解堿，開發(fā)出了PSCAR1.5，引入對UV光敏感的光可分解堿，開發(fā)出了PSCAR2.0。光可分解堿的引入可以減少酸擴散，使PSCAR光刻膠體系的對比度提高，粗糙度降低，也進(jìn)一步提高了光刻膠的靈敏度。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。華東黑色光刻膠溶劑
從光刻設(shè)備角度來看，EUV光刻與其他波長光刻關(guān)鍵的兩點差異是光源強度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光，商用EUV光刻機使用的是激光激發(fā)的等離子體（LPP）發(fā)光，其輸出功率曾長期是制約EUV光刻技術(shù)商用的瓶頸問題；另外，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統(tǒng)，而非傳統(tǒng)的透過折射鏡片組，且效率不高。因此在EUV光刻發(fā)展的早期，通常都要求EUV光刻膠具有較高的靈敏度。同時，EUV光子能量（約為92eV）遠(yuǎn)高于以前幾代光刻技術(shù)光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍），也就是說，對于同樣的曝光能量，光子數(shù)目遠(yuǎn)少于前幾代的光刻技術(shù)，這就導(dǎo)致散粒噪聲增加，從而造成線寬/線邊緣粗糙度的升高。而靈敏度過高并不利于克服散粒噪聲的影響，所以隨著EUV光源功率不斷提升，業(yè)界對EUV光刻膠的要求從“提高靈敏度”逐漸變?yōu)椤?span>利用一定程度的靈敏度來降低粗糙度”。江浙滬黑色光刻膠光引發(fā)劑光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系，市場新進(jìn)入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競爭，簽約新客戶的難度高。
盡管高分子體系一直是前代光刻膠的發(fā)展路線，但隨著光刻波長進(jìn)展到EUV階段，高分子體系的缺點逐漸顯露出來。高分子化合物的分子量通常較大，鏈段容易發(fā)生糾纏，因此想要實現(xiàn)高分辨率、低粗糙度的光刻線條，必須降低分子量，從而減少分子體積。隨著光刻線條越來越精細(xì)，光刻膠的使用者對光刻膠的性能要求也越來越高，其中重要的一條便是光刻膠的質(zhì)量穩(wěn)定性。由于高分子合成很難確保分子量分布為1，不同批次合成得到的主體材料都會有不同程度的成分差異，這就使得高分子光刻膠難以低成本地滿足關(guān)鍵尺寸均一性等批次穩(wěn)定性要求。
由于早期制約EUV光刻發(fā)展的技術(shù)瓶頸之一是光源功率太小，因此，在不降低其他光刻性能的前提下提高EUV光刻膠的靈敏度一直是科研人員的工作重點。為了解決這一問題，2013年，大阪大學(xué)的Tagawa等提出了光敏化化學(xué)放大光刻膠（PSCAR?）。與其他EUV化學(xué)放大光刻膠不同的是，PSCAR體系除了需在掩模下進(jìn)行產(chǎn)生圖案的EUV曝光，還要在EUV曝光之后進(jìn)行UV整片曝光。PSCAR體系中除了有主體材料、光致產(chǎn)酸劑，還包括光敏劑前體。這是一種模型光敏劑前體的結(jié)構(gòu)，它本身對UV光沒有吸收，但在酸性條件下可以轉(zhuǎn)化為光敏劑，對UV光有吸收。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。
環(huán)狀單分子樹脂中除了杯芳烴類物質(zhì)以外，還有一類被稱為“水車”（Noria）的光刻膠，該類化合物由戊二醛和間苯二酚縮合而成，是一種中心空腔的雙層環(huán)梯狀結(jié)構(gòu)分子，外形像傳統(tǒng)的水車，因此得名，起初在2006年時由日本神奈川大學(xué)的Nishikubo課題組報道出來。隨后，日本JSR公司的Maruyama課題組將Noria改性，通過金剛烷基團(tuán)保護(hù)得到了半周期為22nm的光刻圖形。但是這種光刻膠的靈敏度較低、粗糙度較大，仍需進(jìn)一步改進(jìn)才能推廣應(yīng)用。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。江蘇半導(dǎo)體光刻膠溶劑
國內(nèi)光刻膠市場增速遠(yuǎn)高于全球，國內(nèi)企業(yè)投入加大，未來有望實現(xiàn)技術(shù)趕超。華東黑色光刻膠溶劑
近年來，隨著EUV光源功率提高，制約EUV光刻膠發(fā)展的瓶頸已經(jīng)從靈敏度變?yōu)榇植诙?。化學(xué)放大光刻膠涉及酸擴散過程，會直接影響光刻膠的粗糙度和分辨率；再加上EUV光刻特有的散粒噪聲問題，過高的靈敏度反而可能成為弊端。因此，一度沉寂的非化學(xué)放大光刻膠又重新受到重視。在PMMA基礎(chǔ)之上，研發(fā)人員開發(fā)了一系列光反應(yīng)機理類似的鏈斷裂型光刻膠。由于PMMA的靈敏度過低，因此靈敏度仍然是制約其應(yīng)用的重要問題。研究者們主要通過兩種方法來改善其性能：在光刻膠主體材料的主鏈或側(cè)基中引入對EUV光吸收更強的原子，如F、S、O等，以及利用更容易發(fā)生斷鏈過程的高分子作為骨架。華東黑色光刻膠溶劑