上海新型碳化硅預(yù)制件發(fā)展現(xiàn)狀

來源: 發(fā)布時間:2021-11-10

1.直寫成型(DIW):DIW 技術(shù)的打印原理是在計算機的輔助下,將具有高粘度的材料通過噴頭擠壓成長絲,按照計算機輸出的模型橫截面進行構(gòu)建,然后逐層“書寫”建立三維結(jié)構(gòu),***將制得的預(yù)制件進行熱解、燒結(jié)。DIW技術(shù)制備碳化硅陶瓷的優(yōu)點主要是簡易、便宜、快捷,對打印具有周期性規(guī)律結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀多孔結(jié)構(gòu)的材料具有較大優(yōu)勢,常用于制備具有大孔結(jié)構(gòu)、桁架結(jié)構(gòu)的陶瓷部件;但是存在致密度低、打印精度低、產(chǎn)品表面質(zhì)量差、氣孔率高、強度低等缺點。在骨料中加入相同組分的微細(xì)顆粒及一些添加劑,利用微細(xì)顆粒易于燒結(jié)的特點,在一定溫度下將大顆粒連起來。上海新型碳化硅預(yù)制件發(fā)展現(xiàn)狀

碳化硅陶瓷具有硬度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等優(yōu)異特性,已成為一種優(yōu)異的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,被***用于汽車、航空航天、半導(dǎo)體、光學(xué)、耐火和防護結(jié)構(gòu)等眾多領(lǐng)域。

然而,傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷成型方法由于精度低、難以制作形貌復(fù)雜的產(chǎn)品,無法滿足許多領(lǐng)域的應(yīng)用需求。3D 打印則可以顛覆傳統(tǒng)加工工藝,為此提供了新的發(fā)展方向。碳化硅陶瓷 3D 打印技術(shù)主要包括三種類型,分別是基于漿料、粉末以及固塊的 3D 打印技術(shù)。


江蘇碳化硅預(yù)制件結(jié)構(gòu)設(shè)計杭州陶飛侖的碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率及低、陶瓷強度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。

對未來產(chǎn)品市場的預(yù)測分析如下;根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心公布的《2019-2024年鋁碳化硅復(fù)合材料行業(yè)市場深度調(diào)研及投資前景預(yù)測分析報告》報告顯示,由于鋁碳化硅復(fù)合材料具有重要的**價值和巨大的民用市場,其制造工藝始終作為機密技術(shù)被國外廠商所***,市場被國外幾個主要廠商所壟斷。美國的CPS公司和日本的DENKA化學(xué)株氏會社是目前世界上規(guī)模比較大的生產(chǎn)鋁碳化硅基板產(chǎn)品的兩家企業(yè),占據(jù)了全球鋁碳化硅行業(yè)絕大部分的市場份額。

在強碳-硅共價鍵作用下,SiC多孔陶瓷具有機械強度大,耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點,其在高溫?zé)煔獬龎m、水處理和氣體分離等方面有著***的應(yīng)用前景,而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比,SiC有著更優(yōu)異的抗污染性能。然而,SiC陶瓷燒結(jié)溫度高,純質(zhì)SiC燒結(jié)溫度通常需要高達2000℃。添加燒結(jié)助劑可以有效降低SiC的燒成溫度,常用的燒結(jié)助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料,如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物,高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質(zhì)。模具設(shè)計對于陶瓷坯體成型的完整性、尺寸精度和鑄造產(chǎn)品的表層平面度和致密性具有決定性。

發(fā)泡法

發(fā)泡法是通過向陶瓷組分中添加有機或無機化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑,在加熱處理時形成揮發(fā)性氣體,產(chǎn)生泡沫,經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過程中,發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵,通過調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例,可控制制品的性能。

優(yōu)點包括:該方法更容易制得一定形狀、組成和密度的多孔陶瓷,而且還可以制備出小孔徑的閉口氣孔。缺點包括:對原料的要求比較高,工藝條件不易控制,難以獲得小范圍孔徑分布的陶瓷。 杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種復(fù)合材料線膨脹系數(shù)要求的碳化硅陶瓷預(yù)制體。山西使用碳化硅預(yù)制件推薦廠家

杭州陶飛侖新材料公司可為客戶提供高效率、低成本的多孔陶瓷生產(chǎn)方案。上海新型碳化硅預(yù)制件發(fā)展現(xiàn)狀

SiC因為具備低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的高溫化學(xué)、力學(xué)穩(wěn)定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發(fā)展過程中受到***關(guān)注。由于SiC是共價化合物,純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結(jié),這種制備方法燒結(jié)溫度過高,在實際生產(chǎn)中常通過添加低溫?zé)Y(jié)助劑的方式來有效降低其燒結(jié)溫度。高溫?zé)Y(jié)會產(chǎn)生二氧化硅玻璃相,對復(fù)合材料的導(dǎo)熱率有抑制影響,杭州陶飛侖新材料有限公司研究生產(chǎn)的鋁碳化硅復(fù)合材料,所采用的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制件是采用的新型工藝,無二氧化硅玻璃相的產(chǎn)生。上海新型碳化硅預(yù)制件發(fā)展現(xiàn)狀

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