鋁碳化硅(AlSiC)是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱，它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域，是解決熱學(xué)管理問(wèn)題的優(yōu)先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料--鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場(chǎng)潛力。作者：KURT-W鏈接：源：知乎著作權(quán)歸作者所有。商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系作者獲得授權(quán)，非商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處?？萍及l(fā)展的主要方向之一是新材料的研...

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價(jià)格相對(duì)較低；另一方面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對(duì)材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及Al合金成份。依滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，AlSiC與芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配，為此SiC體積百分?jǐn)?shù)vol通常為50%-75%。因鋁碳化硅具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低（熱膨脹系數(shù)同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。新型鋁碳...

目前 ，磨削和銑削的切削加工是鋁碳化硅（A1SiC）復(fù)合材料的主要加工方法，但是在切削加工中存在刀具磨損非常嚴(yán)重和難以獲得良好加工表面質(zhì)量的問(wèn)題。有研究提出了顆粒增強(qiáng)鋁碳化硅（A1SiC）復(fù)合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結(jié))在數(shù)控銑床上對(duì)工件進(jìn)行切削加工 ，具有磨削加工中多刃切削的特點(diǎn) ，又同時(shí)具有和銑加工相似的加工路線，可以用于曲面、孔 、槽的加工，在獲得較高加工效率的同時(shí)，又能保證加工表面質(zhì)量。高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。進(jìn)口鋁碳化硅復(fù)合材料封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用為的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技...

A1SiC復(fù)合材料一般是鑄造法或粉末冶金法等制備，需要進(jìn)一步的機(jī)械加工達(dá)到零件所需的精度和表面粗糙度要求。SiC增強(qiáng)體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質(zhì)合金刀具)的硬度高得多，在機(jī)械加工的過(guò)程中會(huì)引起劇烈的刀具磨損。PCD金剛石刀具雖然比增強(qiáng)體顆粒的硬度高，但硬度值相差不大，在切削加工高體分(SiC顆粒含量在60％～70％)的顆粒增強(qiáng)AISiC復(fù)合材料時(shí)仍然會(huì)快速磨損，且PCD金剛石刀具成本更高。眾多研究表明，隨著SiC含量的增大(13％～70％)，增強(qiáng)體類型的不同(主要區(qū)別是纖維增強(qiáng)還是顆粒增強(qiáng))，可切削性越來(lái)越差，加工效率隨之降低，生產(chǎn)成本快速增加。若以45#鋼的切削性能為1...

5、鋁碳化硅材料制機(jī)械加工技術(shù)介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機(jī)械加工是產(chǎn)品制造中的難點(diǎn)環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長(zhǎng)等方面。 （1）、傳統(tǒng)機(jī)械加工技術(shù)：SiC增強(qiáng)體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質(zhì)合金刀具)的硬度高的多，在機(jī)械加工的過(guò)程中會(huì)引起劇烈的刀具磨損。PCD金剛石刀具雖然比增強(qiáng)體顆粒的硬度高，但硬度值相差不大，在切削加工高體分的顆粒增強(qiáng)AlSiC復(fù)合材料時(shí)仍然會(huì)快速磨損，且PCD金剛石刀具成本更高。眾多研究表明，隨著SiC含量的增大(13%～70%)，可切削性越來(lái)越差，加工效率隨之降低，生產(chǎn)成本快速增加。若以45#鋼的切削性能為1計(jì)量，...

作為結(jié)構(gòu)件或結(jié)構(gòu)-功能一體化構(gòu)件，中體分鋁碳化硅可用于我國(guó)高分辨率遙感衛(wèi)星的光機(jī)結(jié)構(gòu)。例如，在高分辨率遙感衛(wèi)星的詳查相機(jī)上，若采用這種高剛度、低膨脹的復(fù)合材料制作其空間光學(xué)反射鏡坯，不僅可近無(wú)余量地獲得整體性（無(wú)需連接）的復(fù)雜輕量化結(jié)構(gòu)，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現(xiàn)用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，減輕重量，并***降低光機(jī)結(jié)構(gòu)的研制周期、難度和成本。同時(shí)，由于鋁碳化硅的熱擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機(jī)結(jié)構(gòu)的時(shí)間常數(shù)和熱慣性，使結(jié)構(gòu)更容易達(dá)到熱平衡，進(jìn)而易于保持光學(xué)鏡面。另外，由于采用該復(fù)合材料的光機(jī)系統(tǒng)在大范圍高低溫交替變化下產(chǎn)生的熱...

鋁基碳化硅復(fù)合材料由于自身的一些特殊優(yōu)點(diǎn)，在航空、航天領(lǐng)域備受青睞，應(yīng)用在多方面。同時(shí)，也是電子元器件封裝材料，主要是指將鋁與高體積分?jǐn)?shù)的碳化硅復(fù)合成為低密度、高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料，以解決電子電路的熱失效問(wèn)題。此外，鋁基復(fù)合材料還可以制造慣性導(dǎo)航系統(tǒng)的精密零件、旋轉(zhuǎn)掃描鏡、紅外觀測(cè)鏡、激光鏡、激光陀螺儀、反射鏡、鏡子底座和光學(xué)儀器托架等許多精密儀器和光學(xué)儀器。鋁基碳化硅復(fù)合材料充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的高體分鋁碳化硅涵蓋50%-75%體分。湖南優(yōu)勢(shì)鋁碳化硅方法目...

除用作慣性器件外，光學(xué)/儀表級(jí)鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如，美國(guó)已采用碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料制成了超輕空間望遠(yuǎn)鏡的主反射鏡和次反射鏡，主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學(xué)鍍鎳層，鎳反射層與鋁基復(fù)合材料基材結(jié)合良好、膨脹也十分匹配。在（230-340）K之間進(jìn)行320次循環(huán)后，鎳反射層仍能保持1/10可見(jiàn)光波長(zhǎng)的平面度。由于結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，鋁碳化硅反射鏡比傳統(tǒng)玻璃反射鏡輕50%以上。由于多處采用了新材料。使得整個(gè)空間望遠(yuǎn)鏡重量*為4.54kg。杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產(chǎn)高性能的鋁碳化硅復(fù)合材料。上海新型鋁碳化硅好選擇中體分鋁碳化硅的功能化特性比...

AlSiC封裝材料產(chǎn)業(yè)化引起國(guó)內(nèi)科研院所、大學(xué)等單位的***重視，積極著手研發(fā)其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業(yè)化生產(chǎn)積累經(jīng)驗(yàn), 離規(guī)?；a(chǎn)尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術(shù)等問(wèn)題。我們公司采用創(chuàng)新型制備工藝，可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產(chǎn)品，在碳化硅預(yù)制件制備過(guò)程中，區(qū)別于氧化燒結(jié)法，所制備的碳化硅預(yù)制件無(wú)二氧化硅，對(duì)復(fù)合材料的熱導(dǎo)率無(wú)抑制作用，極大的提高了復(fù)合材料的熱導(dǎo)率，且極大低降低了加工成本。杭州陶飛侖新材料有限公司鋁碳化硅產(chǎn)品覆蓋輕質(zhì)耐磨/高精密結(jié)構(gòu)件、微波電子/光電/大功率 IGBT...

隨著現(xiàn)代化航空航天領(lǐng)域的火熱，碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料近年來(lái)重新得到關(guān)注。鋁基碳化硅可制作出光電模塊封裝要求光學(xué)對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)部分無(wú)需額外的加工，保證光電器件的對(duì)接，降低成本。此外，鋁基碳化硅還有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。與低體分的結(jié)構(gòu)級(jí)碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料相比，光學(xué)儀表級(jí)的中等體分碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的功能化特性比較突出，不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低熱脹系數(shù)和優(yōu)于鈹材的尺寸穩(wěn)定性。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅致密度超過(guò)99.7%。河北多...

(2)、銑磨加工技術(shù)： 目前，切削加工是AlSiC復(fù)合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴(yán)重和難以獲得良好加工表面質(zhì)量的問(wèn)題。有研究提出了顆粒增強(qiáng)AlSiC復(fù)合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結(jié))在數(shù)控銑床上對(duì)工件進(jìn)行切削加工，具有磨削加工中多刃切削的特點(diǎn)，又同時(shí)具有和銑加工相似的加工路線，可以用于曲面、孔、槽的加工，在獲得較高加工效率的同時(shí)，又能保證加工表面質(zhì)量。目前此種加工方法已經(jīng)在鋁碳化硅材料成型過(guò)程中廣泛應(yīng)用。 高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。河南有什么鋁碳化硅廠家現(xiàn)貨SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨S...

鋁碳化硅是目前金屬基復(fù)合材料中常見(jiàn)、重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于玉兔號(hào)行走裝置。陜西新型鋁碳化硅聯(lián)系人 鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點(diǎn)，如何設(shè)計(jì)產(chǎn)品，才能在保障產(chǎn)品的可用性前提下盡量降低成本呢？下...

在長(zhǎng)期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化，存在的主要缺陷是無(wú)法適應(yīng)高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無(wú)法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應(yīng)用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優(yōu)勢(shì)性能。隨之發(fā)展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導(dǎo)方面優(yōu)于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質(zhì)的器件封裝材料。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動(dòng)機(jī)缸體。浙...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)，由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W(m·K)-280W(m·K)之間變化?；w是強(qiáng)度的主要承載體，一般選用6061、6063、2124、A356等度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結(jié)合成AlSiC，解決SiC與Al潤(rùn)濕性差，高SiC含量難于機(jī)加工成形等問(wèn)題，成為理想的封裝材料。制備55vol%~75vol%SiC高含量的封裝用...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時(shí)多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過(guò)先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤(rùn)濕多孔基體時(shí)，在毛細(xì)管力作用下，金屬液會(huì)沿顆粒間隙流動(dòng)填充多孔預(yù)制作孔隙，脫模無(wú)需機(jī)械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動(dòng)機(jī)缸體。浙江鋁碳化硅好選擇 鋁碳化硅制備技術(shù)介紹： 1、鋁碳化硅材料成型技術(shù)應(yīng)具備的條件： 鋁碳化硅制備工藝種類較...

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用**為***的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價(jià)格相對(duì)較低；另一方面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對(duì)材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。鋁碳化硅具有高比剛度、比強(qiáng)度、高尺寸穩(wěn)定性、低熱膨脹系數(shù)、高耐磨、耐腐蝕等優(yōu)異性能。上海有什么鋁碳化硅量大從優(yōu)熔滲...

IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與其設(shè)計(jì)、測(cè)試、流片、封裝等 各環(huán)節(jié)密切相聯(lián)，**終在市場(chǎng)應(yīng)用中體現(xiàn)價(jià)值認(rèn)同，良性循環(huán)形成量產(chǎn)規(guī)模，實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益。封裝技術(shù)至關(guān)重要，尤其是***產(chǎn)品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結(jié)構(gòu)，確保器件、模塊、組件、系統(tǒng)的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當(dāng)今航空航天、艦船、雷達(dá)、電子戰(zhàn)、精確打擊、天基和海基系統(tǒng)對(duì)大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計(jì)算，未來(lái)的SoC芯片將達(dá)到太陽(yáng)表面溫度，現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和封裝方法已不能滿足功率SoC系統(tǒng)的需求。AlSiC恰好首先在這一領(lǐng)域發(fā)揮作用，現(xiàn)以***為主，進(jìn)而...

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于制動(dòng)閥片。湖南使用鋁碳化硅設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn) 低體分鋁碳化硅的**應(yīng)用領(lǐng)域——輕量化結(jié)構(gòu)件方向、耐磨方向： 早在20世紀(jì)80年代，低體分鋁碳化硅就作為非主承載結(jié)構(gòu)件成功地應(yīng)...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無(wú)壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得實(shí)用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預(yù)制件上，在合金熔點(diǎn)以上保溫，Al合金液依托毛細(xì)管力的作用自發(fā)滲入預(yù)制件中，所需設(shè)備簡(jiǎn)單，易于低成本制備，但產(chǎn)品的機(jī)械性能與熱性能略低，對(duì)基體合金的成分有較為嚴(yán)格的要求，浸透需要在保護(hù)氣氛中進(jìn)行。粉末冶金法對(duì)SiC體積分?jǐn)?shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié)，SiC承載量大，但較難實(shí)現(xiàn)材料的一次成形。杭...

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗(yàn)證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經(jīng)過(guò)上萬(wàn)次熱循環(huán)，模塊工作良好如初，焊層完好。 AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強(qiáng)度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***，超過(guò)銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨(dú)特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度的結(jié)合優(yōu)勢(shì)成為不可替...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強(qiáng)度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強(qiáng)度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強(qiáng)度及比模量可達(dá)鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復(fù)合材料能夠使制動(dòng)盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長(zhǎng)，減少運(yùn)行保養(yǎng)成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導(dǎo)熱性（豐田制造發(fā)動(dòng)機(jī)活塞導(dǎo)熱性比鑄鐵活塞導(dǎo)熱性提升4倍...

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預(yù)制件中，通過(guò)金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過(guò)程中，可在**需要的部位設(shè)置這些成本相對(duì)較高的快速散熱材料，降低成本，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測(cè)試和評(píng)估。另外，還可并存集成48號(hào)合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等，在熔滲之前插入SiC預(yù)成形件內(nèi)，在AlSiC復(fù)合成形過(guò)程中，經(jīng)濟(jì)地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。高體分...

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達(dá)微波功率管封裝底座為例，在同樣的強(qiáng)度和剛度條件下，可減重高達(dá)80%以上。（2）、低膨脹系數(shù)：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數(shù)一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠(yuǎn)低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，因其具有高比強(qiáng)度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強(qiáng)度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導(dǎo)熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學(xué)性能和物理性能，被用于電子封裝構(gòu)件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應(yīng)用。高體分SiCp/Al復(fù)合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導(dǎo)致其表面潤(rùn)濕性能較差，無(wú)法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動(dòng)機(jī)缸體。湖北標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅方法除用作慣性器件外，光學(xué)/...

(2)、銑磨加工技術(shù)： 目前，切削加工是AlSiC復(fù)合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴(yán)重和難以獲得良好加工表面質(zhì)量的問(wèn)題。有研究提出了顆粒增強(qiáng)AlSiC復(fù)合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結(jié))在數(shù)控銑床上對(duì)工件進(jìn)行切削加工，具有磨削加工中多刃切削的特點(diǎn)，又同時(shí)具有和銑加工相似的加工路線，可以用于曲面、孔、槽的加工，在獲得較高加工效率的同時(shí)，又能保證加工表面質(zhì)量。目前此種加工方法已經(jīng)在鋁碳化硅材料成型過(guò)程中廣泛應(yīng)用。 高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于雷達(dá)的T/R組件中。新型鋁碳化硅電話多少 5、鋁碳化硅材料制機(jī)械加工技術(shù)介紹： 鋁碳化硅材料，尤其...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強(qiáng)度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強(qiáng)度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強(qiáng)度及比模量可達(dá)鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復(fù)合材料能夠使制動(dòng)盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長(zhǎng)，減少運(yùn)行保養(yǎng)成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導(dǎo)熱性（豐田制造發(fā)動(dòng)機(jī)活塞導(dǎo)熱性比鑄鐵活塞導(dǎo)熱性提升4倍...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關(guān)部門調(diào)試重視。經(jīng)過(guò)近些年來(lái)研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，相繼推動(dòng)高體分碳化硅與鋁合金的復(fù)合材料SiC/Al實(shí)用化進(jìn)程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強(qiáng)度、低密度、導(dǎo)電性好的封裝材料。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅致密度超過(guò)99.7%。江蘇優(yōu)勢(shì)鋁碳化硅設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn) 超聲加工的主要特點(diǎn)是： 不受鋁碳化硅材料是否導(dǎo)電的限制；工具對(duì)鋁碳化...

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差；增強(qiáng)材料在基體中的分布。 （1）、高溫下的不利化學(xué)反應(yīng)問(wèn)題：在加工過(guò)程中，為了確?；w的浸潤(rùn)性和流動(dòng)性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點(diǎn)）。在高溫下，基體與增強(qiáng)材料易發(fā)生界面反應(yīng)，生成有害的反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3，呈脆性，會(huì)成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復(fù)合材料的加工溫度是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。該問(wèn)題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時(shí)間，使增強(qiáng)材料與基體界面...

隨著AlSiC復(fù)合材料在航空航天、汽車、***、電子、體育用具等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其制品的加工精和表面質(zhì)量的要求也越來(lái)越高，采用傳統(tǒng)的機(jī)械加工方法或單一的特種加工方法，都難以實(shí)現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)的加工要求。這就要求在對(duì)AlSiC復(fù)合材料的機(jī)械切削加工、激光加工、超聲加工和電火花加工的加工工藝、加工機(jī)理進(jìn)行研究的同時(shí)，更多地注重研究復(fù)合加工技術(shù)，尤其是超聲加工與機(jī)械切削加工、電解加工、電火花加工相配合的復(fù)合加工技術(shù)的研究工作。高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊中。好的鋁碳化硅發(fā)展趨勢(shì)中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。基體是強(qiáng)度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結(jié)合成AlSiC，解決SiC與Al潤(rùn)濕性差，高SiC含量難于機(jī)加工成形等問(wèn)題，成為理想的封裝材料。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于直升機(jī)...