中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、高微屈服強度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達（110～120）MPa水平，是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動，保證穩(wěn)定性。（2）、高比強度、高比剛度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結(jié)構(gòu)件質(zhì)量，實現(xiàn)武器裝備的輕量化，高比剛度可保證零件的面型（如反射鏡鏡面）精度。（3）、低膨脹系數(shù):（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數(shù)（9～11）×10-6/K，可以保證結(jié)構(gòu)件在較大溫差變化的情況下仍保持穩(wěn)定的尺寸。（4）、高導熱...

中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數(shù)和優(yōu)于鈹材的尺寸穩(wěn)定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導航系統(tǒng)器件，被譽為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國某型號慣性環(huán)形激光陀螺制導系統(tǒng)，并已形成美國的國軍標（MIL-M-46196）。此外，還替代鈹材被成功地用于三叉戟導彈的慣性導航向地球及其慣性測量單元（IMU）的檢查口蓋，并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服（MYS）是表征材料尺寸穩(wěn)定性的主要指標，而該種復(fù)合材料的微屈服度為118MPa，該值是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且已超過美國布拉什公司研制的高尺寸穩(wěn)定性...

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢看，AlSiC可實現(xiàn)低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經(jīng)濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于新能源汽車的...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計要求，具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。杭州陶飛侖致力...

3）、增強體SiC在基體中均勻分布的問題：按結(jié)構(gòu)設(shè)計需求，使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法：①、對增強體SiC進行適當?shù)谋砻嫣幚?，使其浸漬基體速度加快；②、加入適當?shù)暮辖鹪馗纳苹w的分散性；③、施加適當?shù)膲毫?，使其分散性增大；④、施加外?磁場,超聲場等)。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于飛機的油箱口蓋。浙江鋁碳化硅設(shè)計標準鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復(fù)合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好...

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時AlSiC材質(zhì)的熱導率可高達（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導率還高50%。英飛凌試驗證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經(jīng)過上萬次熱循環(huán)，模塊工作良好如初，焊層完好。 AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨特的高熱導、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強度的結(jié)合優(yōu)勢成為不可替...

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學對準部分無需額外的加工，保證光電器件的對接，降低成本。此外，AlSiC有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。 AlSiC金屬基復(fù)合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調(diào)的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于玉兔號行走裝置。...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時多采用熔滲法，其實質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤濕多孔基體時，在毛細管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預(yù)制作孔隙，脫模無需機械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛(wèi)星光學反射鏡中。使用鋁碳化硅技術(shù)規(guī)范鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀初，美國的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計要求，具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。杭州陶飛侖新材...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創(chuàng)新儲備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。高體分鋁碳化硅用于空間掃描機構(gòu)框架中。浙江高鋁碳化硅密度IC...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創(chuàng)新儲備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預(yù)制件制備、...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強度及比模量可達鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復(fù)合材料能夠使制動盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長，減少運行保養(yǎng)成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導熱性（豐田制造發(fā)動機活塞導熱性比鑄鐵活塞導熱性提升4倍...

IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與其設(shè)計、測試、流片、封裝等 各環(huán)節(jié)密切相聯(lián)，**終在市場應(yīng)用中體現(xiàn)價值認同，良性循環(huán)形成量產(chǎn)規(guī)模，實現(xiàn)經(jīng)濟效益。封裝技術(shù)至關(guān)重要，尤其是***產(chǎn)品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結(jié)構(gòu)，確保器件、模塊、組件、系統(tǒng)的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當今航空航天、艦船、雷達、電子戰(zhàn)、精確打擊、天基和?；到y(tǒng)對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算，未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度，現(xiàn)有的設(shè)計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統(tǒng)的需求。AlSiC恰好首先在這一領(lǐng)域發(fā)揮作用，現(xiàn)以***為主，進而...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復(fù)合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構(gòu)件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應(yīng)用。高體分SiCp/Al復(fù)合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。杭州陶飛侖經(jīng)過不斷研究，創(chuàng)新性的開發(fā)出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結(jié)構(gòu)...

鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點，如何設(shè)計產(chǎn)品，才能在保障產(chǎn)品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設(shè)計原則，作為設(shè)計人員的參考（當然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產(chǎn)品圖紙、用途和使用環(huán)境郵件發(fā)送給我們，我們會遵循鋁碳化硅的生產(chǎn)工藝原則，為您設(shè)計出產(chǎn)品圖，發(fā)回給您審核）： 1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個方向上，零件的鑄造尺寸公差應(yīng)大于1.5/1000。 2.平面度：產(chǎn)品平面度可以做到0.75/1000。 3.表面光潔度：形狀簡單的產(chǎn)品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復(fù)雜的產(chǎn)品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度...

鋁碳化硅是目前金屬基復(fù)合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動機缸體。湖北新型鋁碳化硅量大從優(yōu)在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應(yīng)高性能芯片...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時與精度的模具相配套，獲得實用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預(yù)制件上，在合金熔點以上保溫，Al合金液依托毛細管力的作用自發(fā)滲入預(yù)制件中，所需設(shè)備簡單，易于低成本制備，但產(chǎn)品的機械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴格的要求，浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數(shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié)，SiC承載量大，但較難實現(xiàn)材料的一次成形。鋁...

鋁碳化硅材料成型制造技術(shù)的發(fā)展趨勢：鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進和發(fā)展，高效、低成本、批量生產(chǎn)的方法仍需研究開發(fā)，這將關(guān)系到鋁碳化硅材料的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。當前，現(xiàn)代制造技術(shù)的發(fā)展為鋁碳化硅復(fù)合材料的制備從理論研究到具體應(yīng)用提供了有力的保證。計算機技術(shù)、現(xiàn)代測試技術(shù)、新材料技術(shù)的完善，使復(fù)合材料的制備技術(shù)、工藝不斷推出，這些工藝本身也有交叉并相互融合，鋁碳化硅材料制備技術(shù)的發(fā)展趨勢必將是多學科、多種技術(shù)相“復(fù)合”的綜合過程。杭州陶飛侖新材料有限公司在鋁碳化硅全部工藝流程的研發(fā)、生產(chǎn)過程中具有自主研發(fā)、生產(chǎn)、檢測能力。質(zhì)量鋁碳化硅設(shè)備在國內(nèi)，隨著AESA產(chǎn)品的定型，T/R模塊出現(xiàn)批量生產(chǎn)需求...

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力，但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm，這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話，焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán)，焊接外緣就會出現(xiàn)分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊，如長期在震動環(huán)境下使用，如軌道機...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復(fù)合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構(gòu)件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應(yīng)用。高體分SiCp/Al復(fù)合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。杭州陶飛侖新材料有限公司可生產(chǎn)大尺寸的鋁碳化硅結(jié)構(gòu)件。陜西有什么鋁碳化硅技術(shù)規(guī)...

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應(yīng)高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應(yīng)用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優(yōu)勢性能。隨之發(fā)展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導方面優(yōu)于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質(zhì)的器件封裝材料。低體分鋁碳化硅具有塑性高、耐磨性好、...

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地擴散熱控元件的熱量。（5）、主要應(yīng)用方向及**零件：可同時運用于***和民用領(lǐng)域的熱管理材料領(lǐng)域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。杭州陶飛侖制備的大尺寸結(jié)構(gòu)件不僅材料性能優(yōu)異，且大幅提高了材料的可...

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地擴散熱控元件的熱量。（5）、主要應(yīng)用方向及**零件：可同時運用于***和民用領(lǐng)域的熱管理材料領(lǐng)域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。高體分鋁碳化硅已經(jīng)用于天空二號太陽板支架中。上海質(zhì)量鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強度及比模量可達鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復(fù)合材料能夠使制動盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長，減少運行保養(yǎng)成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導熱性（豐田制造發(fā)動機活塞導熱性比鑄鐵活塞導熱性提升4倍...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創(chuàng)新儲備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。高體分鋁碳化硅已經(jīng)用于天空二號太陽板支架中。湖北優(yōu)勢鋁碳化硅...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競爭力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點，其熱導率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化?；w是強度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結(jié)合成AlSiC，解決SiC與Al潤濕性差，高SiC含量難于機加工成形等問題，成為理想的封裝材料。我司主要研制、生產(chǎn)低體分...

更為引人注目的是，在20世紀90年代末，鋁碳化硅在大型客機上獲得正式應(yīng)用。普惠公司從PW4084發(fā)動機開始，將DWA公司生產(chǎn)的擠壓態(tài)顆粒增強變形鋁合金基復(fù)合材料（6092/SiC/17.5p-T6）作為風扇出口導流葉片，用于所有采用PW4000系發(fā)動機的波音777上。普惠公司的研發(fā)工作表明：作為風扇出口導流葉片或壓氣機靜子葉片，鋁基復(fù)合材料耐沖擊（冰雹、鳥撞等外物損傷）能力比樹脂基（石墨纖維/環(huán)氧）復(fù)合材料好，且任何損傷易于發(fā)現(xiàn)。此外，還具有七倍于樹脂基復(fù)合材料的抗沖蝕（沙子、雨水）能力，并使成本下降三分之一以上。杭州陶飛侖經(jīng)過不斷研究，創(chuàng)新性的開發(fā)出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結(jié)構(gòu)件...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計要求，具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)...

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力，但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm，這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話，焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán)，焊接外緣就會出現(xiàn)分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊，如長期在震動環(huán)境下使用，如軌道機...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關(guān)部門調(diào)試重視。經(jīng)過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復(fù)合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。杭州陶飛侖新材料有限公司研制的產(chǎn)品表面金屬化焊接孔隙率小于3%。江蘇標準鋁碳化硅價格多少作為結(jié)構(gòu)件或結(jié)構(gòu)-功能一體化構(gòu)件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛(wèi)星...