浙江鋁碳化硅設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)

來源: 發(fā)布時間:2022-01-08

3)、增強體SiC在基體中均勻分布的問題:按結(jié)構(gòu)設(shè)計需求,使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中,SiC顆粒的團聚,以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法:①、對增強體SiC進行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚恚蛊浣n基體速度加快;②、加入適當(dāng)?shù)暮辖鹪馗纳苹w的分散性;③、施加適當(dāng)?shù)膲毫?,使其分散性增大;④、施加外?磁場,超聲場等)。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于飛機的油箱口蓋。浙江鋁碳化硅設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復(fù)合材料,因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導(dǎo)熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學(xué)性能和物理性能,被用于電子封裝構(gòu)件材料,在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應(yīng)用。高體分SiCp/Al復(fù)合材料中主要采用焊接的方式與器件連接,基體材料由于碳化硅顆粒的存在,導(dǎo)致其表面潤濕性能較差,無法滿足焊接功能要求,因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。浙江鋁碳化硅設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)高體分鋁碳化硅用于**慣性導(dǎo)航臺體中。

隨著AlSiC復(fù)合材料在航空航天、汽車、***、電子、體育用具等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對其制品的加工精和表面質(zhì)量的要求也越來越高,采用傳統(tǒng)的機械加工方法或單一的特種加工方法,都難以實現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)的加工要求。這就要求在對AlSiC復(fù)合材料的機械切削加工、激光加工、超聲加工和電火花加工的加工工藝、加工機理進行研究的同時,更多地注重研究復(fù)合加工技術(shù),尤其是超聲加工與機械切削加工、電解加工、電火花加工相配合的復(fù)合加工技術(shù)的研究工作。

a、T/R模塊封裝:機載雷達(dá)天線安裝在飛機萬向支架上,采用機電方式掃描,其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點是從美國F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制,其探測距離下表所示:圖三機載雷達(dá)探測距離

APG-80捷變波束雷達(dá)、多功能機頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等,所用T/R (發(fā)/收)模塊封裝技術(shù)日趨成熟,每個T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬美元降至600-800美元,數(shù)年內(nèi)可降至約200美元,成為機載雷達(dá)的**部分。幾乎所有的美國參戰(zhàn)飛機都有安裝新的或更新AESA計劃,使其作戰(zhàn)效能進一步發(fā)揮,在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷,F(xiàn)-22機載AESA雷達(dá)可同時探測**目標(biāo)數(shù)分別為空中30 個、地面16個、探測范圍為360°全周向。 杭州陶飛侖制備的大尺寸結(jié)構(gòu)件不僅材料性能優(yōu)異,且大幅提高了材料的可加工性能。

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為(6~9)X10-6/K,參考芯片的6X 10-6/K,如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板,那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)(180~240)W/mK(25℃),比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗證明,采用AlSiC材料制作的IGBT基板,經(jīng)過上萬次熱循環(huán),模塊工作良好如初,焊層完好。

AlSiC材料很輕,只有銅材的1/3,和鋁差不多,但抗彎強度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***,超過銅基板。因此,在高功率電子封裝方面,AlSiC材料以其獨特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強度的結(jié)合優(yōu)勢成為不可替代的材質(zhì)。 鋁碳化硅可有效防止大功率元器件熱失效問題。河北使用鋁碳化硅分類

鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于F16-腹鰭及蒙皮。浙江鋁碳化硅設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)

中體分鋁碳化硅(SiC體積比35%-55%):1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向:(1)、高微屈服強度:(35%~55%)光學(xué)儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達(dá)(110~120)MPa水平,是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍,且無毒,可確保慣性導(dǎo)航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動,保證穩(wěn)定性。(2)、高比強度、高比剛度:(35%~55%)光學(xué)儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結(jié)構(gòu)件質(zhì)量,實現(xiàn)武器裝備的輕量化,高比剛度可保證零件的面型(如反射鏡鏡面)精度。(3)、低膨脹系數(shù):(35%~55%)光學(xué)儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數(shù)(9~11)×10-6/K,可以保證結(jié)構(gòu)件在較大溫差變化的情況下仍保持穩(wěn)定的尺寸。(4)、高導(dǎo)熱性:(35%~55%)光學(xué)儀表級鋁碳化硅具有高導(dǎo)熱性率({120-180}W/m·K),可快速散熱,可避免零件過熱對機能的降低。(5)、主要應(yīng)用方向及**零件:可應(yīng)用于航空航天及**行業(yè)中的光學(xué)反射鏡、慣性導(dǎo)航系統(tǒng)零件,可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等。浙江鋁碳化硅設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件,以科技創(chuàng)新實現(xiàn)***管理的追求。公司自創(chuàng)立以來,投身于鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷,是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料繼續(xù)堅定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長,又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,實現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。陶飛侖新材料始終關(guān)注自身,在風(fēng)云變化的時代,對自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使陶飛侖新材料在行業(yè)的從容而自信。