倒裝芯片封裝FCP技術(shù)優(yōu)勢在于能大幅度提高產(chǎn)品的電性能、散熱效能，適合高引腳數(shù)、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫?zé)Y(jié)陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時(shí)還具有髙熱傳導(dǎo)率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護(hù)。AlSiC可制作出復(fù)雜的外形，例如，AlSiC外殼產(chǎn)品有多個(gè)空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設(shè)計(jì)。AlSiC外形表面支持不同的標(biāo)識(shí)和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網(wǎng)印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。鋁碳化硅可替代鋁、銅、銅鎢、銅鉬等應(yīng)用于高功率封裝領(lǐng)域。上海質(zhì)量鋁碳化硅檢測技術(shù) 鋁碳...

鋁碳化硅是目前金屬基復(fù)合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于微波處理器的蓋板中。安徽大規(guī)模鋁碳化硅發(fā)展趨勢作為結(jié)構(gòu)件或結(jié)構(gòu)-功能一體化構(gòu)件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛(wèi)星...

3）、增強(qiáng)體SiC在基體中均勻分布的問題：按結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需求，使增強(qiáng)材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團(tuán)聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項(xiàng)難點(diǎn)。該問題主要解決方法：①、對增強(qiáng)體SiC進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚?，使其浸漬基體速度加快；②、加入適當(dāng)?shù)暮辖鹪馗纳苹w的分散性；③、施加適當(dāng)?shù)膲毫?，使其分散性增大；④、施加外?磁場,超聲場等)。杭州陶飛侖新材料有限公司研制的產(chǎn)品表面金屬化焊接孔隙率小于3%。河北有什么鋁碳化硅制定***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時(shí)集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計(jì)、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機(jī)械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項(xiàng)**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機(jī)械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導(dǎo)率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項(xiàng)創(chuàng)新儲(chǔ)備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅熱導(dǎo)率超過230W/m...

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測任務(wù)工程火星探測器*****孫澤洲介紹，為適應(yīng)火星的特殊環(huán)境，火星車將采用復(fù)合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)缸套。新型鋁碳化硅價(jià)格多少低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2...

鋁碳化硅是目前金屬基復(fù)合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。杭州陶飛侖新材料有限公司在鋁碳化硅全部工藝流程的研發(fā)、生產(chǎn)過程中具有自主研發(fā)、生產(chǎn)、檢測能力。河南新型鋁碳化硅鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善...

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無需進(jìn)一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟(jì)性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時(shí)也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。高體分鋁碳化硅目前已應(yīng)用于光學(xué)反射鏡...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強(qiáng)度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強(qiáng)度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強(qiáng)度及比模量可達(dá)鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復(fù)合材料能夠使制動(dòng)盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長，減少運(yùn)行保養(yǎng)成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導(dǎo)熱性（豐田制造發(fā)動(dòng)機(jī)活塞導(dǎo)熱性比鑄鐵活塞導(dǎo)熱性提升4倍...

(3)、激光加工：目前國內(nèi)外學(xué)者對鋁基復(fù)合材料激光加工技術(shù)的研究主要集中在打孔、切割、劃線和型腔加工等方面。用自行研制的機(jī)械斬光盤調(diào)脈沖激光器切割試驗(yàn)表明，在高峰值能量、短脈沖寬度、高脈沖頻率和適當(dāng)?shù)钠骄β蕳l件下，采用高速多次重復(fù)走刀切割工藝，可以得到無裂紋的精細(xì)切口。有研究采用氧氣作輔助氣體，用800W的連續(xù)波CO2激光在厚度13.5mm的復(fù)合材料上加工出了直徑0.72mm的無損傷深孔，深徑比達(dá)18.75。有研究提出了基于裂紋加工單元的激光銑削方法，他們采用激光對復(fù)合材料進(jìn)行了基于裂紋加工單元的激光銑削加工，并在零件上加工出了形狀較復(fù)雜的型腔。研究結(jié)果表明，采用該方法進(jìn)行激光銑削所需要的功...

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應(yīng)高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應(yīng)用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優(yōu)勢性能。隨之發(fā)展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導(dǎo)方面優(yōu)于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質(zhì)的器件封裝材料。杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產(chǎn)...

中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數(shù)和優(yōu)于鈹材的尺寸穩(wěn)定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導(dǎo)航系統(tǒng)器件，被譽(yù)為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國某型號(hào)慣性環(huán)形激光陀螺制導(dǎo)系統(tǒng)，并已形成美國的國軍標(biāo)（MIL-M-46196）。此外，還替代鈹材被成功地用于三叉戟導(dǎo)彈的慣性導(dǎo)航向地球及其慣性測量單元（IMU）的檢查口蓋，并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服（MYS）是表征材料尺寸穩(wěn)定性的主要指標(biāo)，而該種復(fù)合材料的微屈服度為118MPa，該值是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且已超過美國布拉什公司研制的高尺寸穩(wěn)定性...

更為引人注目的是，在20世紀(jì)90年代末，鋁碳化硅在大型客機(jī)上獲得正式應(yīng)用。普惠公司從PW4084發(fā)動(dòng)機(jī)開始，將DWA公司生產(chǎn)的擠壓態(tài)顆粒增強(qiáng)變形鋁合金基復(fù)合材料（6092/SiC/17.5p-T6）作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片，用于所有采用PW4000系發(fā)動(dòng)機(jī)的波音777上。普惠公司的研發(fā)工作表明：作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片或壓氣機(jī)靜子葉片，鋁基復(fù)合材料耐沖擊（冰雹、鳥撞等外物損傷）能力比樹脂基（石墨纖維/環(huán)氧）復(fù)合材料好，且任何損傷易于發(fā)現(xiàn)。此外，還具有七倍于樹脂基復(fù)合材料的抗沖蝕（沙子、雨水）能力，并使成本下降三分之一以上。杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關(guān)方產(chǎn)品主要應(yīng)用于航空、航天、電子、電力等多個(gè)行業(yè)。優(yōu)勢...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當(dāng)代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計(jì)要求，具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當(dāng)今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。高體分鋁碳化硅...

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用**為***的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價(jià)格相對較低；另一方面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產(chǎn)高性能的鋁碳化硅復(fù)合材料。天津通用鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀鋁基碳化硅（AlSiC）的全...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時(shí)集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計(jì)、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機(jī)械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項(xiàng)**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機(jī)械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導(dǎo)率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項(xiàng)創(chuàng)新儲(chǔ)備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。天津標(biāo)準(zhǔn)鋁碳...

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達(dá)微波功率管封裝底座為例，在同樣的強(qiáng)度和剛度條件下，可減重高達(dá)80%以上。（2）、低膨脹系數(shù)：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數(shù)一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠(yuǎn)低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K...

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強(qiáng)材料與基體浸潤性差；增強(qiáng)材料在基體中的分布。 （1）、高溫下的不利化學(xué)反應(yīng)問題：在加工過程中，為了確?；w的浸潤性和流動(dòng)性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點(diǎn)）。在高溫下，基體與增強(qiáng)材料易發(fā)生界面反應(yīng)，生成有害的反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3，呈脆性，會(huì)成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復(fù)合材料的加工溫度是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。該問題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時(shí)間，使增強(qiáng)材料與基體界面...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得實(shí)用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預(yù)制件上，在合金熔點(diǎn)以上保溫，Al合金液依托毛細(xì)管力的作用自發(fā)滲入預(yù)制件中，所需設(shè)備簡單，易于低成本制備，但產(chǎn)品的機(jī)械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴(yán)格的要求，浸透需要在保護(hù)氣氛中進(jìn)行。粉末冶金法對SiC體積分?jǐn)?shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié)，SiC承載量大，但較難實(shí)現(xiàn)材料的一次成形。杭...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得實(shí)用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預(yù)制件上，在合金熔點(diǎn)以上保溫，Al合金液依托毛細(xì)管力的作用自發(fā)滲入預(yù)制件中，所需設(shè)備簡單，易于低成本制備，但產(chǎn)品的機(jī)械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴(yán)格的要求，浸透需要在保護(hù)氣氛中進(jìn)行。粉末冶金法對SiC體積分?jǐn)?shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié)，SiC承載量大，但較難實(shí)現(xiàn)材料的一次成形。鋁...

中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數(shù)和優(yōu)于鈹材的尺寸穩(wěn)定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導(dǎo)航系統(tǒng)器件，被譽(yù)為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國某型號(hào)慣性環(huán)形激光陀螺制導(dǎo)系統(tǒng)，并已形成美國的國軍標(biāo)（MIL-M-46196）。此外，還替代鈹材被成功地用于三叉戟導(dǎo)彈的慣性導(dǎo)航向地球及其慣性測量單元（IMU）的檢查口蓋，并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服（MYS）是表征材料尺寸穩(wěn)定性的主要指標(biāo)，而該種復(fù)合材料的微屈服度為118MPa，該值是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且已超過美國布拉什公司研制的高尺寸穩(wěn)定性...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，因其具有高比強(qiáng)度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強(qiáng)度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導(dǎo)熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學(xué)性能和物理性能，被用于電子封裝構(gòu)件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應(yīng)用。高體分SiCp/Al復(fù)合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導(dǎo)致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。高體分鋁碳化硅用于光學(xué)遙感衛(wèi)星光學(xué)反射鏡中。天津標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)目前，常用...

中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、高微屈服強(qiáng)度：（35%～55%）光學(xué)儀表級(jí)鋁碳化硅的微屈強(qiáng)度服度可達(dá)（110～120）MPa水平，是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導(dǎo)航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動(dòng)，保證穩(wěn)定性。（2）、高比強(qiáng)度、高比剛度：（35%～55%）光學(xué)儀表級(jí)鋁碳化硅的高比強(qiáng)度特性可以降低結(jié)構(gòu)件質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)武器裝備的輕量化，高比剛度可保證零件的面型（如反射鏡鏡面）精度。（3）、低膨脹系數(shù):（35%～55%）光學(xué)儀表級(jí)鋁碳化硅具有低熱膨脹系數(shù)（9～11）×10-6/K，可以保證結(jié)構(gòu)件在較大溫差變化的情況下仍保持穩(wěn)定的尺寸。（4）、高導(dǎo)熱...

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預(yù)制件中，通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在**需要的部位設(shè)置這些成本相對較高的快速散熱材料，降低成本，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測試和評(píng)估。另外，還可并存集成48號(hào)合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等，在熔滲之前插入SiC預(yù)成形件內(nèi)，在AlSiC復(fù)合成形過程中，經(jīng)濟(jì)地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。杭州陶...

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測任務(wù)工程火星探測器*****孫澤洲介紹，為適應(yīng)火星的特殊環(huán)境，火星車將采用復(fù)合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份。因鋁碳化硅具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低（熱膨脹系數(shù)同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。陜西標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅方法 a、T/R模塊封裝：機(jī)載雷達(dá)...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關(guān)部門調(diào)試重視。經(jīng)過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，相繼推動(dòng)高體分碳化硅與鋁合金的復(fù)合材料SiC/Al實(shí)用化進(jìn)程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強(qiáng)度、低密度、導(dǎo)電性好的封裝材料。鋁碳化硅可以應(yīng)用于軌道交通轉(zhuǎn)向架-框架。浙江鋁碳化硅基板公司熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的...

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗(yàn)證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經(jīng)過上萬次熱循環(huán)，模塊工作良好如初，焊層完好。 AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強(qiáng)度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨(dú)特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度的結(jié)合優(yōu)勢成為不可替...

倒裝芯片封裝FCP技術(shù)優(yōu)勢在于能大幅度提高產(chǎn)品的電性能、散熱效能，適合高引腳數(shù)、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫?zé)Y(jié)陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時(shí)還具有髙熱傳導(dǎo)率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護(hù)。AlSiC可制作出復(fù)雜的外形，例如，AlSiC外殼產(chǎn)品有多個(gè)空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設(shè)計(jì)。AlSiC外形表面支持不同的標(biāo)識(shí)和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網(wǎng)印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅熱膨脹系數(shù)較低，比剛度較高。上海標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅生產(chǎn)廠...

除用作慣性器件外，光學(xué)/儀表級(jí)鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如，美國已采用碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料制成了超輕空間望遠(yuǎn)鏡的主反射鏡和次反射鏡，主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學(xué)鍍鎳層，鎳反射層與鋁基復(fù)合材料基材結(jié)合良好、膨脹也十分匹配。在（230-340）K之間進(jìn)行320次循環(huán)后，鎳反射層仍能保持1/10可見光波長的平面度。由于結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，鋁碳化硅反射鏡比傳統(tǒng)玻璃反射鏡輕50%以上。由于多處采用了新材料。使得整個(gè)空間望遠(yuǎn)鏡重量*為4.54kg。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)缸套。浙江鋁碳化硅的措施AlSiC封裝材料產(chǎn)業(yè)化引起國內(nèi)科研院所、大學(xué)等單位的***重視...

低體分鋁碳化硅的**應(yīng)用領(lǐng)域——輕量化結(jié)構(gòu)件方向、耐磨方向： 早在20世紀(jì)80年代，低體分鋁碳化硅就作為非主承載結(jié)構(gòu)件成功地應(yīng)用于飛機(jī)上，典型案例為洛克希德馬丁公司生產(chǎn)的電子設(shè)備支架。本世紀(jì)開始，該材料作為主承載結(jié)構(gòu)件在飛機(jī)上正式應(yīng)用。F-18“大黃蜂”戰(zhàn)斗機(jī)上采用鋁碳化硅作為液壓制動(dòng)器缸體，與替代材料鋁青銅相比，不僅重量減輕、膨脹系數(shù)降低，而且疲勞極限還提高一倍以上。在直升機(jī)上的應(yīng)用方面，歐盟也取得了突破性進(jìn)展。 杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅致密度超過99.7%。河北多功能鋁碳化硅行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) a、T/R模塊封裝：機(jī)載雷達(dá)天線安裝在飛機(jī)萬向支架上，采用機(jī)電方式掃描，其發(fā)展的...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當(dāng)代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計(jì)要求，具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當(dāng)今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。杭州陶飛侖新材...