鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢看，AlSiC可實現(xiàn)低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經(jīng)濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。湖北大規(guī)模鋁碳化硅分類
更為引人注目的是，在20世紀90年代末，鋁碳化硅在大型客機上獲得正式應(yīng)用。普惠公司從PW4084發(fā)動機開始，將DWA公司生產(chǎn)的擠壓態(tài)顆粒增強變形鋁合金基復合材料（6092/SiC/17.5p-T6）作為風扇出口導流葉片，用于所有采用PW4000系發(fā)動機的波音777上。普惠公司的研發(fā)工作表明：作為風扇出口導流葉片或壓氣機靜子葉片，鋁基復合材料耐沖擊（冰雹、鳥撞等外物損傷）能力比樹脂基（石墨纖維/環(huán)氧）復合材料好，且任何損傷易于發(fā)現(xiàn)。此外，還具有七倍于樹脂基復合材料的抗沖蝕（沙子、雨水）能力，并使成本下降三分之一以上。上海好的鋁碳化硅常見問題鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于機床-主軸、導軌。
2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統(tǒng)芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應(yīng)用開發(fā)的重要趨勢。
（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構(gòu)成導熱性能比較好，總耗散功率提高到數(shù)十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結(jié)構(gòu)，為芯片、HIC提供一個高可靠穩(wěn)定的工作環(huán)境，具體材料性能是個優(yōu)先關(guān)鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優(yōu)于其他材料。
鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數(shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。鋁碳化硅可以應(yīng)用于軌道交通轉(zhuǎn)向架-框架。
鋁碳化硅材料成型制造技術(shù)的發(fā)展趨勢：鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進和發(fā)展，高效、低成本、批量生產(chǎn)的方法仍需研究開發(fā)，這將關(guān)系到鋁碳化硅材料的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。當前，現(xiàn)代制造技術(shù)的發(fā)展為鋁碳化硅復合材料的制備從理論研究到具體應(yīng)用提供了有力的保證。計算機技術(shù)、現(xiàn)代測試技術(shù)、新材料技術(shù)的完善，使復合材料的制備技術(shù)、工藝不斷推出，這些工藝本身也有交叉并相互融合，鋁碳化硅材料制備技術(shù)的發(fā)展趨勢必將是多學科、多種技術(shù)相“復合”的綜合過程。杭州陶飛侖新材料有限公司研制的產(chǎn)品表面金屬化焊接孔隙率小于3%。湖北大規(guī)模鋁碳化硅分類
杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關(guān)方產(chǎn)品主要應(yīng)用于航空、航天、電子、電力等多個行業(yè)。湖北大規(guī)模鋁碳化硅分類
AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關(guān)鍵的復雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學對準部分無需額外的加工，保證光電器件的對接，降低成本。此外，AlSiC有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。
AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調(diào)的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 湖北大規(guī)模鋁碳化硅分類
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