碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí)，*次于世界上**硬的金剛石（10級(jí)），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化。
碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長(zhǎng)***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年***采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(zhǎng)方法。
在骨料中加入相同組分的微細(xì)顆粒及一些添加劑，利用微細(xì)顆粒易于燒結(jié)的特點(diǎn)，在一定溫度下將大顆粒連起來(lái)。上海新型碳化硅預(yù)制件電話多少
顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強(qiáng)度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進(jìn)行搭配，強(qiáng)化相的容積比可達(dá)90％。SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價(jià)格比較低、來(lái)源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的復(fù)合材料。通過(guò)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體的顆粒表面改性技術(shù)研究、陶瓷顆粒級(jí)配設(shè)計(jì)研究、粘結(jié)劑性能研究、球磨、混料、干壓及燒結(jié)工藝技術(shù)研究、碳化硅陶瓷預(yù)制體檢測(cè)技術(shù)研究等，獲得碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率較低、陶瓷強(qiáng)度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。山東碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過(guò)程杭州陶飛侖新材料公司生產(chǎn)的多孔陶瓷結(jié)構(gòu)件不含對(duì)復(fù)合材料性能有抑制作用的雜質(zhì)。
多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu)，它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過(guò)制備方法來(lái)調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來(lái)得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以，它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是由制備過(guò)程中的一系列物理現(xiàn)象導(dǎo)致的，并沒(méi)有化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生或新物質(zhì)的生成。其主要機(jī)理是依靠固相物質(zhì)的受熱收縮、液相的蒸發(fā)、固相的直接升華而留下的空隙而形成多孔結(jié)構(gòu)。
制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對(duì)碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的碳化硅陶瓷預(yù)制體抗彎強(qiáng)度超過(guò)5兆帕以上。
碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長(zhǎng)使用壽命1～2倍；用以制成的高級(jí)耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好。低品級(jí)碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒等產(chǎn)品。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜的預(yù)制件。廣東多功能碳化硅預(yù)制件包括哪些
由于每一粒骨料在幾個(gè)點(diǎn)上與其他顆粒發(fā)生連接，因而形成大量三維貫通孔道。上海新型碳化硅預(yù)制件電話多少
SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí)，SiC以β－SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時(shí)，β－SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對(duì)于6H，SiC，即使溫度超過(guò)2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會(huì)引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。上海新型碳化硅預(yù)制件電話多少
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