碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱，它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域，是解決熱學(xué)管理問題的優(yōu)先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力。高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于雷達的T/R組件中。陜西鋁碳化硅方法
(2)、銑磨加工技術(shù)：
目前，切削加工是AlSiC復(fù)合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴重和難以獲得良好加工表面質(zhì)量的問題。有研究提出了顆粒增強AlSiC復(fù)合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結(jié))在數(shù)控銑床上對工件進行切削加工，具有磨削加工中多刃切削的特點，又同時具有和銑加工相似的加工路線，可以用于曲面、孔、槽的加工，在獲得較高加工效率的同時，又能保證加工表面質(zhì)量。目前此種加工方法已經(jīng)在鋁碳化硅材料成型過程中廣泛應(yīng)用。 河南優(yōu)勢鋁碳化硅技術(shù)規(guī)范鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于F16-腹鰭及蒙皮。
二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例，在同樣的強度和剛度條件下，可減重高達80%以上。（2）、低膨脹系數(shù)：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數(shù)一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）、Mo/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）等傳統(tǒng)封裝材料，與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。
大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。銅基板具有良好的導(dǎo)熱能力，但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm，這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話，焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán)，焊接外緣就會出現(xiàn)分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊，如長期在震動環(huán)境下使用，如軌道機車、電動汽車、飛機等，其可靠性會大幅下降。那么，如何牢固封裝高功率IGBT模塊，使其在震動、高溫、粉塵等環(huán)境下可使用呢？業(yè)界的辦法是采用AlSiC材料來制作IGBT基板。杭州陶飛侖新材料有限公司可生產(chǎn)大尺寸的鋁碳化硅結(jié)構(gòu)件。
鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數(shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。高體分鋁碳化硅用于**慣性導(dǎo)航臺體中。上海好的鋁碳化硅聯(lián)系人
杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復(fù)合材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。陜西鋁碳化硅方法
目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關(guān)部門調(diào)試重視。經(jīng)過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復(fù)合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導(dǎo)電性好的封裝材料。陜西鋁碳化硅方法
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