碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體制備工藝技術(shù)主要研究?jī)?nèi)容包含：碳化硅顆粒級(jí)配粉料配置、碳化硅陶瓷顆粒表面改性、碳化硅陶瓷粉料混料、造粒、過篩、二次造粒、干壓、烘干排膠、燒結(jié)**部分。在技術(shù)方法和路線上采用添加造孔劑和粘結(jié)劑進(jìn)行壓制成型技術(shù)制備碳化硅預(yù)制型，采用低溫?zé)Y(jié)技術(shù)制備高體積分?jǐn)?shù)碳化硅陶瓷多孔預(yù)制體，采用阿基米德排水法測(cè)定碳化硅陶瓷的密度、體積分?jǐn)?shù)、氣孔率，通過三點(diǎn)彎曲法用萬(wàn)能拉力試驗(yàn)機(jī)測(cè)定碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的碳化硅陶瓷預(yù)制體開氣孔率超過99.7%以上。北京有什么碳化硅預(yù)制件
在強(qiáng)碳-硅共價(jià)鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機(jī)械強(qiáng)度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點(diǎn)，其在高溫?zé)煔獬龎m、水處理和氣體分離等方面有著***的應(yīng)用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機(jī)膜相比，SiC有著更優(yōu)異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結(jié)溫度高，純質(zhì)SiC燒結(jié)溫度通常需要高達(dá)2000℃。添加燒結(jié)助劑可以有效降低SiC的燒成溫度，常用的燒結(jié)助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料，如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物，高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質(zhì)。北京標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件價(jià)格多少碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體開氣孔率將影響鋁碳化硅鑄件質(zhì)量和成品率。
SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí)，SiC以β－SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時(shí)，β－SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對(duì)于6H，SiC，即使溫度超過2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會(huì)引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。
多孔陶瓷預(yù)制件具有良好的吸附能力和活性。被覆催化劑后，反應(yīng)流體通過泡沫陶瓷孔道，將**提高轉(zhuǎn)化效率和反應(yīng)速率。由于多孔陶瓷具有比表面積高、熱穩(wěn)定性好、耐磨、不易中毒、低密度等特點(diǎn)，作為汽車尾氣催化凈化器載體已被***使用除了作催化劑載體外，它還可以作為其它功能性載體，例如藥劑載體、微晶載體、氣體儲(chǔ)存等。根據(jù)成孔方法和孔隙結(jié)構(gòu)，多孔陶瓷可分為三類：①粒狀陶瓷；②泡沫陶瓷；③蜂窩陶瓷?？梢蕴砑佑袡C(jī)微球來造孔。杭州陶飛侖生產(chǎn)的碳化硅陶瓷骨架有效避免鋁碳化硅鑄件內(nèi)部裂紋、斷裂、變形等缺陷的產(chǎn)生。
SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)述如下：碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。
硅、碳直接反應(yīng)法是對(duì)自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有耗能少、設(shè)備工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn),其缺點(diǎn)是目發(fā)反應(yīng)難以控制。此外硅、碳之間的反應(yīng)是一個(gè)弱放熱反應(yīng),在室溫下反應(yīng)難以點(diǎn)燃和維持下去,為此常采用化學(xué)爐、將電流直接通過反應(yīng)體、對(duì)反應(yīng)體進(jìn)行預(yù)熱、輔加電場(chǎng)等方法補(bǔ)充能量。 模具設(shè)計(jì)對(duì)于陶瓷坯體成型的完整性、尺寸精度和鑄造產(chǎn)品的表層平面度和致密性具有決定性。大規(guī)模碳化硅預(yù)制件方法
在骨料中加入相同組分的微細(xì)顆粒及一些添加劑，利用微細(xì)顆粒易于燒結(jié)的特點(diǎn)，在一定溫度下將大顆粒連起來。北京有什么碳化硅預(yù)制件
SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)是密切相關(guān)的：SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性*12％左右。因此，SiC具有強(qiáng)度高、彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會(huì)被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時(shí)易發(fā)生氧化，但氧化時(shí)表面形成的SiO2會(huì)抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散，故氧化速率并不高。在電性能方面，SiC具有半導(dǎo)體性，少量雜質(zhì)的引入會(huì)表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外，SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性等等。北京有什么碳化硅預(yù)制件
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