多孔陶瓷是指經(jīng)過特殊成型和高溫燒結(jié)工藝制備的一種具有較多孔洞的無機非金屬材料。具有耐高溫、開口孔隙率高、比表面積大、孔結(jié)構(gòu)可控等特點，因而在吸附、分離、過濾、分散、滲透、換熱隔熱、吸聲、隔音、催化載體、傳感以及生物醫(yī)學等方面都有著***的應(yīng)用。商業(yè)化的多孔陶瓷以碳化硅、二氧化硅、三氧化二鋁等材質(zhì)為主。
多孔碳化硅陶瓷還具有高溫強度高、抗氧化、耐磨蝕、抗熱震好、比重小、較高的熱導(dǎo)率及微波吸收能力等特點，在過濾材料、催化劑載體、吸聲材料和復(fù)合材料骨架材料方面應(yīng)用***。 杭州陶飛侖在多孔陶瓷骨架制備方面已經(jīng)完成了充分的技術(shù)積累。湖南優(yōu)勢碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程
液相法主要有溶膠一凝膠法和聚合物分解法。Ewell年等***提出溶膠一凝膠法法,而真正用于陶瓷制備則始于1952年左右。該法以液體化學試劑配制成的醇鹽前驅(qū)體,將它在低溫下溶于溶劑形成均勻的溶液,加入適當凝固劑使醇鹽發(fā)生水解、聚合反應(yīng)后生成均勻而穩(wěn)定的溶膠體系,再經(jīng)過長時間放置或干燥處理,濃縮成Si和C在分子水平上的混合物或聚合物,繼續(xù)加熱形成混合均勻且粒徑細小的Si和C的兩相混合物,在1460一1600℃左右發(fā)生碳還原反應(yīng)**終制得SiC細粉?？刂迫苣z一凝膠化的主要參數(shù)有溶液的pH值、溶液濃度、反應(yīng)溫度和時間等。該法在工藝操作過程中易于實現(xiàn)各種微量成份的添加,混合均勻性好；但工藝產(chǎn)物中常殘留羥基、有機溶劑對人的身體有害,原料成本高且處理過程中收縮量大是其不足。廣東優(yōu)勢碳化硅預(yù)制件檢測技術(shù)杭州陶飛侖的碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率及低、陶瓷強度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。
顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡單，而且過程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結(jié)程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結(jié)合劑作用下的水或有機溶劑均勻混合制成漿料，然后將混合均勻的漿料倒入模具中，在低溫條件下使其快速冷凍，讓液相基體迅速凝結(jié)為固體，而后再通過減壓或真空干燥處理使凝結(jié)的固相升華去除，從而得到在漿料內(nèi)部留下定向排列孔洞結(jié)構(gòu)的坯體，***經(jīng)燒結(jié)制得多孔碳化硅陶瓷的方法。
碳化硅陶瓷具有硬度高、化學性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等優(yōu)異特性，已成為一種優(yōu)異的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，被***用于汽車、航空航天、半導(dǎo)體、光學、耐火和防護結(jié)構(gòu)等眾多領(lǐng)域。
然而，傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷成型方法由于精度低、難以制作形貌復(fù)雜的產(chǎn)品，無法滿足許多領(lǐng)域的應(yīng)用需求。3D 打印則可以顛覆傳統(tǒng)加工工藝，為此提供了新的發(fā)展方向。碳化硅陶瓷 3D 打印技術(shù)主要包括三種類型，分別是基于漿料、粉末以及固塊的 3D 打印技術(shù)。
杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜的預(yù)制件。
顆粒增強鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進行搭配，強化相的容積比可達90％。SiC顆粒增強鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價格比較低、來源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的復(fù)合材料。通過碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體的顆粒表面改性技術(shù)研究、陶瓷顆粒級配設(shè)計研究、粘結(jié)劑性能研究、球磨、混料、干壓及燒結(jié)工藝技術(shù)研究、碳化硅陶瓷預(yù)制體檢測技術(shù)研究等，獲得碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率較低、陶瓷強度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。顆粒增強鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑搭配。北京多功能碳化硅預(yù)制件技術(shù)規(guī)范
杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種體分、孔徑大小的碳化硅陶瓷預(yù)制體。湖南優(yōu)勢碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化。
碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術(shù)”的晶粒提純生長方法。
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