山東大規(guī)模碳化硅預(yù)制件包括哪些

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-10

碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體制備工藝技術(shù)主要研究?jī)?nèi)容包含:碳化硅顆粒級(jí)配粉料配置、碳化硅陶瓷顆粒表面改性、碳化硅陶瓷粉料混料、造粒、過(guò)篩、二次造粒、干壓、烘干排膠、燒結(jié)**部分。在技術(shù)方法和路線上采用添加造孔劑和粘結(jié)劑進(jìn)行壓制成型技術(shù)制備碳化硅預(yù)制型,采用低溫?zé)Y(jié)技術(shù)制備高體積分?jǐn)?shù)碳化硅陶瓷多孔預(yù)制體,采用阿基米德排水法測(cè)定碳化硅陶瓷的密度、體積分?jǐn)?shù)、氣孔率,通過(guò)三點(diǎn)彎曲法用萬(wàn)能拉力試驗(yàn)機(jī)測(cè)定碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度。杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種復(fù)合材料線膨脹系數(shù)要求的碳化硅陶瓷預(yù)制體。山東大規(guī)模碳化硅預(yù)制件包括哪些

多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷(recrystallized silicon Carbides,RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質(zhì)相而具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性能、高熱導(dǎo)率以及較小的熱膨脹系數(shù),作為高溫結(jié)構(gòu)材料***用于航空航天等領(lǐng)域。而且由于燒結(jié)過(guò)程中不收縮,可以制備形狀復(fù)雜、精度較高的部件。目前,針對(duì)RSiC的研究和應(yīng)用,一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結(jié)構(gòu)材料,另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過(guò)濾催化用的多孔結(jié)構(gòu)/功能材料。山西質(zhì)量碳化硅預(yù)制件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)坯體干壓模具設(shè)計(jì)主要是考慮碳化硅陶瓷粉體在模具內(nèi)成型充分填充的過(guò)程。

添加造孔劑法:

添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑,利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間,然后在升溫或燒結(jié)過(guò)程中,使造孔劑燃盡或揮發(fā)而在陶瓷體中留下孔隙來(lái)制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似,關(guān)鍵在于造孔劑種類和用量的選擇,以及在基料中的均勻分布性。

優(yōu)點(diǎn):采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜、氣孔結(jié)構(gòu)各異的制品,工藝過(guò)程簡(jiǎn)單,添加劑少,成本較低;缺點(diǎn):難以制取高氣孔率制品,氣孔分布均勻性較差,對(duì)造孔劑的分散性要求比較高等。

多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu),它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過(guò)制備方法來(lái)調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來(lái)得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以,它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是由制備過(guò)程中的一系列物理現(xiàn)象導(dǎo)致的,并沒(méi)有化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生或新物質(zhì)的生成。其主要機(jī)理是依靠固相物質(zhì)的受熱收縮、液相的蒸發(fā)、固相的直接升華而留下的空隙而形成多孔結(jié)構(gòu)。杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種體分、孔徑大小的碳化硅陶瓷預(yù)制體。

在強(qiáng)碳-硅共價(jià)鍵作用下,SiC多孔陶瓷具有機(jī)械強(qiáng)度大,耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點(diǎn),其在高溫?zé)煔獬龎m、水處理和氣體分離等方面有著***的應(yīng)用前景,而且與氧化物陶瓷膜和有機(jī)膜相比,SiC有著更優(yōu)異的抗污染性能。然而,SiC陶瓷燒結(jié)溫度高,純質(zhì)SiC燒結(jié)溫度通常需要高達(dá)2000℃。添加燒結(jié)助劑可以有效降低SiC的燒成溫度,常用的燒結(jié)助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料,如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物,高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質(zhì)。杭州陶飛侖新材料公司可為客戶提供高效率、低成本的多孔陶瓷生產(chǎn)方案。廣東優(yōu)勢(shì)碳化硅預(yù)制件供應(yīng)

碳化硅多孔陶瓷骨架性能對(duì)鋁碳化硅復(fù)合材料性能具有直接影響。山東大規(guī)模碳化硅預(yù)制件包括哪些

制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對(duì)碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度,復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié), 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力,相繼開(kāi)發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇,要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn),其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。山東大規(guī)模碳化硅預(yù)制件包括哪些

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