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發(fā)泡法
發(fā)泡法是通過向陶瓷組分中添加有機或無機化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑,在加熱處理時形成揮發(fā)性氣體,產(chǎn)生泡沫,經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過程中,發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵,通過調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例,可控制制品的性能。
優(yōu)點包括:該方法更容易制得一定形狀、組成和密度的多孔陶瓷,而且還可以制備出小孔徑的閉口氣孔。缺點包括:對原料的要求比較高,工藝條件不易控制,難以獲得小范圍孔徑分布的陶瓷。 碳化硅多孔陶瓷骨架性能對鋁碳化硅復(fù)合材料性能具有直接影響。山東好的碳化硅預(yù)制件好選擇
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,*次于世界上**硬的金剛石(10級),具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時能抗氧化。
碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破,LELY提出生長***碳化概念,從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學(xué)術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術(shù)”的晶粒提純生長方法。
北京好的碳化硅預(yù)制件供應(yīng)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體開氣孔率將影響鋁碳化硅鑄件質(zhì)量和成品率。
SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡述如下:碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。
硅、碳直接反應(yīng)法是對自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有耗能少、設(shè)備工藝簡單、生產(chǎn)率高的優(yōu)點,其缺點是目發(fā)反應(yīng)難以控制。此外硅、碳之間的反應(yīng)是一個弱放熱反應(yīng),在室溫下反應(yīng)難以點燃和維持下去,為此常采用化學(xué)爐、將電流直接通過反應(yīng)體、對反應(yīng)體進行預(yù)熱、輔加電場等方法補充能量。
添加造孔劑法:
添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑,利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間,然后在升溫或燒結(jié)過程中,使造孔劑燃盡或揮發(fā)而在陶瓷體中留下孔隙來制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似,關(guān)鍵在于造孔劑種類和用量的選擇,以及在基料中的均勻分布性。
優(yōu)點:采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜、氣孔結(jié)構(gòu)各異的制品,工藝過程簡單,添加劑少,成本較低;缺點:難以制取高氣孔率制品,氣孔分布均勻性較差,對造孔劑的分散性要求比較高等。 杭州陶飛侖研制的碳化硅陶瓷預(yù)制件無顆粒聚集缺陷。
碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體制備工藝技術(shù)主要研究內(nèi)容包含:碳化硅顆粒級配粉料配置、碳化硅陶瓷顆粒表面改性、碳化硅陶瓷粉料混料、造粒、過篩、二次造粒、干壓、烘干排膠、燒結(jié)**部分。在技術(shù)方法和路線上采用添加造孔劑和粘結(jié)劑進行壓制成型技術(shù)制備碳化硅預(yù)制型,采用低溫?zé)Y(jié)技術(shù)制備高體積分?jǐn)?shù)碳化硅陶瓷多孔預(yù)制體,采用阿基米德排水法測定碳化硅陶瓷的密度、體積分?jǐn)?shù)、氣孔率,通過三點彎曲法用萬能拉力試驗機測定碳化硅陶瓷的抗彎強度。杭州陶飛侖生產(chǎn)的多孔陶瓷預(yù)制體可按客戶產(chǎn)品要求加工成各種形狀。山東大規(guī)模碳化硅預(yù)制件
杭州陶飛侖新材料有限公司探索出預(yù)制體強度與鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關(guān)系。山東好的碳化硅預(yù)制件好選擇
多孔陶瓷制備的氣體過濾器的優(yōu)點是排氣阻力小、再生方便和過濾效果高。多孔SiC陶瓷具有壓力損失低,耐熱性、耐熱沖擊性以及油煙捕集效率高等特性,使其在柴油機油煙收集過濾方面得到了***關(guān)注。多孔SiC陶瓷具有孔率高、熱導(dǎo)率高、力學(xué)性能良好、抗氧化和耐腐蝕等優(yōu)點,同時其表面通常凹凸不平,存在大量微孔。當(dāng)作為催化劑載體時,這種特殊的顯微結(jié)構(gòu)極大地增加了兩相接觸面積。此外,其較高的熱導(dǎo)率可使催化劑達到反應(yīng)所需活化溫度的時間**縮短。山東好的碳化硅預(yù)制件好選擇
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