***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結合，能滿足多功能特性及設計要求，具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領域。杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復合材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術服務為一體的高科技企業(yè)。湖南鋁碳化硅技術規(guī)范
碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領域，是解決熱學管理問題的優(yōu)先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。浙江新型鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)鋁碳化硅以其優(yōu)越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料，廣泛應用于電子封裝領域。
（2）、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題：增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關鍵技術，基體對增強材料浸潤性差，有時根本不發(fā)生潤濕現(xiàn)象。該問題主要解決方法：①、加入合金元素，優(yōu)化基體組分，改善基體對增強體的浸潤性，常用的合金元素有：鎂、硅等；②、對增強材料SiC進行表面處理，涂敷一層可抑制界面反應的涂層，可有效改善其浸潤性，表面涂層涂覆方法較多，如化學氣相沉積，物***相沉積，溶膠－凝膠和電鍍或化學鍍等。
鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料，采用鋁合金作為基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數(shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。高體分鋁碳化硅復合材料具有強度高、高導熱、低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能。
2、鋁碳化硅材料成型的關鍵技術：由于金屬所固有的物理和化學特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關鍵技術，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學反應；增強材料與基體浸潤性差；增強材料在基體中的分布。
（1）、高溫下的不利化學反應問題：在加工過程中，為了確?；w的浸潤性和流動性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點）。在高溫下，基體與增強材料易發(fā)生界面反應，生成有害的反應產(chǎn)物Al4C3，呈脆性，會成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復合材料的加工溫度是一項關鍵技術。該問題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時間，使增強材料與基體界面反應時間降低至比較低程度；②、通過提高工作壓力使增強材料與基體浸潤速度加快；③、采用擴散粘接法可有效地控制溫度并縮短時間。 鋁碳化硅已經(jīng)應用于直升機模鍛件。陜西優(yōu)勢鋁碳化硅生產(chǎn)廠家
鋁碳化硅已經(jīng)應用于PW4000發(fā)動機風扇出口導葉。湖南鋁碳化硅技術規(guī)范
鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢看，AlSiC可實現(xiàn)低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導石墨等）的經(jīng)濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。湖南鋁碳化硅技術規(guī)范
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