低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強度及比模量可達鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復(fù)合材料能夠使制動盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長，減少運行保養(yǎng)成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導(dǎo)熱性（豐田制造發(fā)動機活塞導(dǎo)熱性比鑄鐵活塞導(dǎo)熱性提升4倍），在相同速度相同載荷下，制動盤摩擦過程中溫度變化較小，熱裂紋產(chǎn)生的可能性減小、摩擦穩(wěn)定性更好；（5）、主要應(yīng)用方向及**零件：低體分鋁碳化硅主要應(yīng)用于輕量化、耐磨等方向，可替代鋁合金、鑄鋼、鑄鐵、鈦合金等材料。**零件為剎車類零件、活塞及連桿、戰(zhàn)機腹鰭、直升機旋翼模鍛件等。高體分鋁碳化硅已經(jīng)用于天空二號太陽板支架中。江蘇多功能鋁碳化硅設(shè)計
碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復(fù)合材料的簡稱，它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領(lǐng)域，是解決熱學(xué)管理問題的優(yōu)先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應(yīng)用也因此具有很大的市場潛力。天津有什么鋁碳化硅電話多少因鋁碳化硅具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低（熱膨脹系數(shù)同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。
2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強材料與基體浸潤性差；增強材料在基體中的分布。
（1）、高溫下的不利化學(xué)反應(yīng)問題：在加工過程中，為了確?；w的浸潤性和流動性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點）。在高溫下，基體與增強材料易發(fā)生界面反應(yīng)，生成有害的反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3，呈脆性，會成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復(fù)合材料的加工溫度是一項關(guān)鍵技術(shù)。該問題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時間，使增強材料與基體界面反應(yīng)時間降低至比較低程度；②、通過提高工作壓力使增強材料與基體浸潤速度加快；③、采用擴散粘接法可有效地控制溫度并縮短時間。
AESA由數(shù)以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構(gòu)成，在每個T/R模塊內(nèi)部都有用GaAs 技術(shù)制作的功率發(fā)射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關(guān)、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產(chǎn)關(guān)鍵在其封裝技術(shù)上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導(dǎo)熱、輕質(zhì)于一體，采用AlSiC外殼封裝T/R模塊，包括S、C、X、Ku波段產(chǎn)品，可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達，其AESA直 徑約1m，用2 000個T/R模塊構(gòu)成，每個T/R模塊 輸出功率10W，移相器6位，接收噪聲系數(shù)2.9dB，體積6.4cm3，重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h，其發(fā)射功率比初期產(chǎn)品增加16倍，接收噪聲系數(shù)降低1倍，體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個T/R模塊構(gòu)成機載AESA雷達為例，用 AlSiC替代Kovar，雷達重量可減輕34kg，而熱導(dǎo)率比Kovar提高10余倍，且提高整機可靠性MTBF達2000h以上。試驗表明，即使AESA中10%的T/R模塊產(chǎn)生故障，對系統(tǒng)無***影響，30%失效時，仍可維持基本工作性能，具有所謂的“完美降級” 能力。高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。
在我國工業(yè)和信息化部于2019年印發(fā)的《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019年版）》中，收錄了鋁碳化硅復(fù)合材料，并對相關(guān)性能提出了明確要求：熱導(dǎo)率 W(m·k)室溫≥200抗彎折強度≥300MPa熱膨脹系數(shù) ppm/℃（RT～200℃）＜9
杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅相關(guān)產(chǎn)品性能可完全滿足上述要求，并有大幅優(yōu)勢。
我們相信在全球新時代技術(shù)**的浪潮和我國“十四五”戰(zhàn)略規(guī)劃及**裝備改裝升級的背景下，我司生產(chǎn)的質(zhì)量鋁碳化硅產(chǎn)品做為當下**有潛力的金屬基陶瓷復(fù)合新材料，在航空航天及***領(lǐng)域、電子封裝、汽車輕量化等領(lǐng)域有著巨大的市場前景。 鋁碳化硅可以應(yīng)用于軌道交通轉(zhuǎn)向架-框架。天津優(yōu)勢鋁碳化硅行業(yè)標準
杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關(guān)方產(chǎn)品主要應(yīng)用于航空、航天、電子、電力等多個行業(yè)。江蘇多功能鋁碳化硅設(shè)計
2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導(dǎo)體封裝材料，已率先實現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統(tǒng)芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應(yīng)用開發(fā)的重要趨勢。
（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導(dǎo)體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構(gòu)成導(dǎo)熱性能比較好，總耗散功率提高到數(shù)十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結(jié)構(gòu)，為芯片、HIC提供一個高可靠穩(wěn)定的工作環(huán)境，具體材料性能是個優(yōu)先關(guān)鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優(yōu)于其他材料。 江蘇多功能鋁碳化硅設(shè)計
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