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此外,AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成,用作封裝整體化,發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊(Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等)嵌人SiC預(yù)制件中,通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中,可在**需要的部位設(shè)置這些成本相對較高的快速散熱材料,降低成本,擴大生產(chǎn)規(guī)模,嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測試和評估。另外,還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料,此類材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等,在熔滲之前插入SiC預(yù)成形件內(nèi),在AlSiC復(fù)合成形過程中,經(jīng)濟地完成并存集成,方便光電器件封裝的激光連接。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于機床-主軸、導軌。浙江鋁碳化硅提升熱導率
3)、增強體SiC在基體中均勻分布的問題:按結(jié)構(gòu)設(shè)計需求,使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中,SiC顆粒的團聚,以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法:①、對增強體SiC進行適當?shù)谋砻嫣幚?,使其浸漬基體速度加快;②、加入適當?shù)暮辖鹪馗纳苹w的分散性;③、施加適當?shù)膲毫?,使其分散性增大;④、施加外?磁場,超聲場等)。天津好的鋁碳化硅銷售公司杭州陶飛侖新材料有限公司鋁碳化硅產(chǎn)品覆蓋輕質(zhì)耐磨/高精密結(jié)構(gòu)件、微波電子/光電/大功率 IGBT 模塊封裝等。
鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復(fù)合材料,因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學性能和物理性能,被用于電子封裝構(gòu)件材料,在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應(yīng)用。高體分SiCp/Al復(fù)合材料中主要采用焊接的方式與器件連接,基體材料由于碳化硅顆粒的存在,導致其表面潤濕性能較差,無法滿足焊接功能要求,因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。
封裝金屬基復(fù)合材料的增強體有數(shù)種,SiC是其中應(yīng)用**為***的一種,這是因為它具有優(yōu)良的熱性能,用作顆粒磨料技術(shù)成熟,價格相對較低;另一方面,顆粒增強體材料具有各向同性,**有利于實現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(shù)(含量)及分布和粒度大小,以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài),可對材料熱物理與力學性能進行設(shè)計,從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中,SiC體積分數(shù)尤為重要,實際應(yīng)用時,AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸,要求CTE盡可能匹配。杭州陶飛侖可根據(jù)客戶產(chǎn)品技術(shù)要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產(chǎn)品。
a、T/R模塊封裝:機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上,采用機電方式掃描,其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點是從美國F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制,其探測距離下表所示:圖三機載雷達探測距離
APG-80捷變波束雷達、多功能機頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等,所用T/R (發(fā)/收)模塊封裝技術(shù)日趨成熟,每個T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬美元降至600-800美元,數(shù)年內(nèi)可降至約200美元,成為機載雷達的**部分。幾乎所有的美國參戰(zhàn)飛機都有安裝新的或更新AESA計劃,使其作戰(zhàn)效能進一步發(fā)揮,在多目標威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷,F(xiàn)-22機載AESA雷達可同時探測**目標數(shù)分別為空中30 個、地面16個、探測范圍為360°全周向。 鋁碳化硅可替代鋁合金、不銹鋼、鈦合金等用于高精度精密結(jié)構(gòu)件中。上海使用鋁碳化硅價格多少
高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。浙江鋁碳化硅提升熱導率
二、高體分鋁碳化硅(SiC體積比55%-75%)材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向:(1)、低密度:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右,密度**低于W/Cu合金({11~18}g/cm3)、Mo/Cu合金({9~10}g/cm3)和Kovar合金(8.3g/cm3),可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例,在同樣的強度和剛度條件下,可減重高達80%以上。(2)、低膨脹系數(shù):(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數(shù)一般為(6~9)×10-6m/℃(-60℃~200℃),遠低于W/Cu合金({7~13}×10-6/K)、Mo/Cu合金({7~13}×10-6/K)等傳統(tǒng)封裝材料,與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。浙江鋁碳化硅提升熱導率
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