北京好的鋁碳化硅好選擇

來源: 發(fā)布時間:2021-12-20

更為引人注目的是,在20世紀(jì)90年代末,鋁碳化硅在大型客機(jī)上獲得正式應(yīng)用。普惠公司從PW4084發(fā)動機(jī)開始,將DWA公司生產(chǎn)的擠壓態(tài)顆粒增強(qiáng)變形鋁合金基復(fù)合材料(6092/SiC/17.5p-T6)作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片,用于所有采用PW4000系發(fā)動機(jī)的波音777上。普惠公司的研發(fā)工作表明:作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片或壓氣機(jī)靜子葉片,鋁基復(fù)合材料耐沖擊(冰雹、鳥撞等外物損傷)能力比樹脂基(石墨纖維/環(huán)氧)復(fù)合材料好,且任何損傷易于發(fā)現(xiàn)。此外,還具有七倍于樹脂基復(fù)合材料的抗沖蝕(沙子、雨水)能力,并使成本下降三分之一以上。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于豐田發(fā)動機(jī)缸體。北京好的鋁碳化硅好選擇

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為(6~9)X10-6/K,參考芯片的6X 10-6/K,如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板,那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)(180~240)W/mK(25℃),比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試驗(yàn)證明,采用AlSiC材料制作的IGBT基板,經(jīng)過上萬次熱循環(huán),模塊工作良好如初,焊層完好。

AlSiC材料很輕,只有銅材的1/3,和鋁差不多,但抗彎強(qiáng)度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現(xiàn)***,超過銅基板。因此,在高功率電子封裝方面,AlSiC材料以其獨(dú)特的高熱導(dǎo)、低熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度的結(jié)合優(yōu)勢成為不可替代的材質(zhì)。 陜西標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅好選擇高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于微電子的散熱基板中。

目前,鋁碳化硅制備工藝中,在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時多采用熔滲法,其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件,再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件,其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤濕多孔基體時,在毛細(xì)管力作用下,金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預(yù)制作孔隙,脫模無需機(jī)械加工,在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層,按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等,供封裝使用。

鋁碳化硅制備技術(shù)介紹:

1、鋁碳化硅材料成型技術(shù)應(yīng)具備的條件:

鋁碳化硅制備工藝種類較多,包含粉末冶金法、攪拌鑄造法、真空壓力浸滲法、原位生成法、無壓浸滲法等等,使增強(qiáng)材料SiC均勻地分布金屬基體中,滿足復(fù)合材料結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度要求;能使復(fù)合材料界面效應(yīng)、混雜效應(yīng)或復(fù)合效應(yīng)充分發(fā)揮;能夠充分發(fā)揮增強(qiáng)材料對基休金屬的增強(qiáng)、增韌效果;設(shè)備投資少,工藝簡單易行,可操作性強(qiáng);便于實(shí)現(xiàn)批量或規(guī)模生產(chǎn);能制造出接近**終產(chǎn)品的形狀,尺寸和結(jié)構(gòu),減少或避免后加工工序。 我司主要研制、生產(chǎn)低體分和高體分的金屬陶瓷復(fù)合材料。

a、T/R模塊封裝:機(jī)載雷達(dá)天線安裝在飛機(jī)萬向支架上,采用機(jī)電方式掃描,其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)是從美國F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制,其探測距離下表所示:圖三機(jī)載雷達(dá)探測距離

APG-80捷變波束雷達(dá)、多功能機(jī)頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等,所用T/R (發(fā)/收)模塊封裝技術(shù)日趨成熟,每個T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬美元降至600-800美元,數(shù)年內(nèi)可降至約200美元,成為機(jī)載雷達(dá)的**部分。幾乎所有的美國參戰(zhàn)飛機(jī)都有安裝新的或更新AESA計(jì)劃,使其作戰(zhàn)效能進(jìn)一步發(fā)揮,在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷,F(xiàn)-22機(jī)載AESA雷達(dá)可同時探測**目標(biāo)數(shù)分別為空中30 個、地面16個、探測范圍為360°全周向。 鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于機(jī)床-主軸、導(dǎo)軌。鋁碳化硅量大從優(yōu)

鋁碳化硅可有效防止大功率元器件熱失效問題。北京好的鋁碳化硅好選擇

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵,一般分為有壓力滲透和無壓力滲透,前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同,又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備,滲透時間較短,有效控制Al與SiC的界面反應(yīng),同時與精度的模具相配套,獲得實(shí)用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預(yù)制件上,在合金熔點(diǎn)以上保溫,Al合金液依托毛細(xì)管力的作用自發(fā)滲入預(yù)制件中,所需設(shè)備簡單,易于低成本制備,但產(chǎn)品的機(jī)械性能與熱性能略低,對基體合金的成分有較為嚴(yán)格的要求,浸透需要在保護(hù)氣氛中進(jìn)行。粉末冶金法對SiC體積分?jǐn)?shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié),SiC承載量大,但較難實(shí)現(xiàn)材料的一次成形。北京好的鋁碳化硅好選擇

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