SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結構為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關系。在溫度低于1600℃時，SiC以β－SiC形式存在。當高于1600℃時，β－SiC緩慢轉變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對于6H，SiC，即使溫度超過2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩(wěn)定關系變化。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的多孔陶瓷骨架可提高復合材料各方面的性能。上海標準碳化硅預制件檢測技術
孔率是指多孔材料中孔隙所占體積與多孔材料總體積的百分比（包括開口孔、半開孔和閉合孔3種）。研究表明，多孔材料的性能主要取決于孔率?？紫缎蚊彩侵付嗫滋沾芍锌紫兜男螒B(tài)。當孔隙為等軸孔隙時，材料整體性能呈各向同性；但當孔隙為條狀或扁平狀時，如通過碳化后的木材經由滲硅反應燒結制備的多孔SiC陶瓷，其孔隙結構呈一定的方向性?？紫吨睆叫∮?nm的為微孔材料，孔隙尺寸在2~50nm之間的為介孔材料，尺寸大于20nm的為宏孔材料。受孔徑及分布影響較大的性能包括透過性、滲透速率和過濾性能。新型碳化硅預制件行業(yè)標準杭州陶飛侖在多孔陶瓷骨架制備方面已經完成了充分的技術積累。
SiC陶瓷的生產工藝簡述如下：碳化硅粉體的制備技術就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。
硅、碳直接反應法是對自蔓延高溫合成法的應用,是以外加熱源點燃反應物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學反應熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有耗能少、設備工藝簡單、生產率高的優(yōu)點,其缺點是目發(fā)反應難以控制。此外硅、碳之間的反應是一個弱放熱反應,在室溫下反應難以點燃和維持下去,為此常采用化學爐、將電流直接通過反應體、對反應體進行預熱、輔加電場等方法補充能量。
發(fā)泡成型法是將氣體或者可以通過后續(xù)處理產生氣體的物質加入陶瓷坯體或前驅體，然后再經過燒結得到多孔碳化硅陶瓷。與其他制備方法不同，發(fā)泡法是一種有效的制備閉孔陶瓷的工藝?；瘜W法是指多孔碳化硅陶瓷中的孔狀結構是由無機鹽或添加的有機物質分解或發(fā)生反應之后，在原位置留下空位。常見的化學法制備多孔碳化硅陶瓷的方法有添加造孔劑法、有機泡沫浸漬法及生物模板法等。綜合國內外的發(fā)展現狀，每種制備技術都有各自的優(yōu)勢與不足。現代工業(yè)科技的飛速發(fā)展，對新材料、新技術不斷提出更高的要求。碳化硅預制體材料性能檢測結果不準確，將直接導致鋁碳化硅浸滲工藝過程鋁液含量和工藝參數設計的準確性。
新型特種陶瓷——多孔陶瓷件
性能優(yōu)點:采用自主研發(fā)的創(chuàng)性型工藝方法研制，工藝過程未產生二氧化硅，提高MMCs熱導率；開氣孔率高，提高MMCs致密度；抗彎強度高，浸滲過程不易變形、斷裂，提高MMCs成品率及結構復雜度?？筛鶕a品技術要求，采用多種級配和顆粒粒徑，陶瓷體分可從50%到75%之間調配。
主要應用:高體分MMCs浸滲工藝預制件；液體提純、過濾領域功能件；氣體吸附領域功能件。
主要性能指標（SiC）：
體分%：50-75%；體密度（g/cm3）：1.6-2.4；抗彎強度（MPa）：≥5；開孔率%：≥99
杭州陶飛侖新材料有限公司探索出預制體強度與鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關系。山東多功能碳化硅預制件結構設計
碳化硅多孔陶瓷骨架性能對鋁碳化硅復合材料性能具有直接影響。上海標準碳化硅預制件檢測技術
3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷是近些年發(fā)展起來的一種新型制備工藝。該工藝借助于計算機輔助設計的三維數據模型，通過打印頭噴射結合劑將原料粉體層層堆疊成三維網狀結構。3D打印法與反應燒結工藝相結合，可實現復雜形狀陶瓷的無模制造與近凈尺寸成型。[7]3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷具有成型工藝簡單、制備和加工效率高且無需模具等特點，不僅可用來制備形狀復雜、顯微結構均勻和孔連通性好的多孔碳化硅陶瓷，而且多孔陶瓷的孔隙率和孔徑大小均可控可調。但是，該方法目前仍處于探索研究階段，工藝參數還需進一步優(yōu)化。另外，該方法很難一步制備出**度的多孔碳化硅陶瓷，需要輔助其他工藝來制備所需制品，成本較高。上海標準碳化硅預制件檢測技術
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