河南標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-28

AESA由數(shù)以千計(jì)的T/R模塊(有的高達(dá)9 000 個(gè)左右)構(gòu)成,在每個(gè)T/R模塊內(nèi)部都有用GaAs 技術(shù)制作的功率發(fā)射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開(kāi)關(guān)、多功能增益/相位控制等電路芯片,**終生產(chǎn)關(guān)鍵在其封裝技術(shù)上,因機(jī)載對(duì)其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導(dǎo)熱、輕質(zhì)于一體,采用AlSiC外殼封裝T/R模塊,包括S、C、X、Ku波段產(chǎn)品,可滿(mǎn)足實(shí)用需求。雷達(dá)APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達(dá),其AESA直 徑約1m,用2 000個(gè)T/R模塊構(gòu)成,每個(gè)T/R模塊 輸出功率10W,移相器6位,接收噪聲系數(shù)2.9dB,體積6.4cm3,重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬(wàn)h,其發(fā)射功率比初期產(chǎn)品增加16倍,接收噪聲系數(shù)降低1倍,體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個(gè)T/R模塊構(gòu)成機(jī)載AESA雷達(dá)為例,用 AlSiC替代Kovar,雷達(dá)重量可減輕34kg,而熱導(dǎo)率比Kovar提高10余倍,且提高整機(jī)可靠性MTBF達(dá)2000h以上。試驗(yàn)表明,即使AESA中10%的T/R模塊產(chǎn)生故障,對(duì)系統(tǒng)無(wú)***影響,30%失效時(shí),仍可維持基本工作性能,具有所謂的“完美降級(jí)” 能力。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅顆粒分布均勻,無(wú)顆粒聚集情況,加工性能優(yōu)異。河南標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化

真空壓力浸滲法

工藝流程;多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機(jī)加(—表面處理)

工藝設(shè)備:真空壓力浸滲爐

工藝優(yōu)勢(shì):1、可實(shí)現(xiàn)近凈成型加工,尤其是復(fù)雜的零件;2、組織致密度高,材料性能好;3、相對(duì)于粉末冶金,其工藝過(guò)程易于控制。

工藝不足:1、對(duì)成型設(shè)備要求高;2、受限于設(shè)備尺寸,制造大尺寸零件困難;3、組織易粗大。

適應(yīng)性:高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應(yīng)用。 安徽新型鋁碳化硅常見(jiàn)問(wèn)題杭州陶飛侖可根據(jù)客戶(hù)產(chǎn)品技術(shù)要求定制化制備滿(mǎn)足客戶(hù)要求的鋁碳化硅產(chǎn)品。

大電流IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在工作時(shí),會(huì)產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類(lèi)似功率模塊的封裝熱管理工藝中,考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么,需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。銅基板具有良好的導(dǎo)熱能力,但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍,而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達(dá)50mmx60mm,這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來(lái)過(guò)渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時(shí)在下方接合散熱器的話(huà),焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán),焊接外緣就會(huì)出現(xiàn)分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊,如長(zhǎng)期在震動(dòng)環(huán)境下使用,如軌道機(jī)車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)、飛機(jī)等,其可靠性會(huì)大幅下降。那么,如何牢固封裝高功率IGBT模塊,使其在震動(dòng)、高溫、粉塵等環(huán)境下可使用呢?業(yè)界的辦法是采用AlSiC材料來(lái)制作IGBT基板。

除用作慣性器件外,光學(xué)/儀表級(jí)鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如,美國(guó)已采用碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料制成了超輕空間望遠(yuǎn)鏡的主反射鏡和次反射鏡,主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學(xué)鍍鎳層,鎳反射層與鋁基復(fù)合材料基材結(jié)合良好、膨脹也十分匹配。在(230-340)K之間進(jìn)行320次循環(huán)后,鎳反射層仍能保持1/10可見(jiàn)光波長(zhǎng)的平面度。由于結(jié)構(gòu)的改進(jìn),鋁碳化硅反射鏡比傳統(tǒng)玻璃反射鏡輕50%以上。由于多處采用了新材料。使得整個(gè)空間望遠(yuǎn)鏡重量*為4.54kg。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于跑車(chē)及飛機(jī)、高鐵發(fā)動(dòng)機(jī)剎車(chē)盤(pán)。

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡(jiǎn)單封裝,主要的用途是將器件封裝在一起,起到包封、支撐、固定、絕緣等作用,這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料,以可伐(Kovar)合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**,其對(duì)于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢(shì)的當(dāng)代封裝業(yè)來(lái)講,有先天的劣勢(shì)。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅(AlSiC)是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合,能滿(mǎn)足多功能特性及設(shè)計(jì)要求,具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能,是當(dāng)今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車(chē)、電力火車(chē),微電子封裝等領(lǐng)域。鋁碳化硅可有效防止大功率元器件熱失效問(wèn)題。河北大規(guī)模鋁碳化硅生產(chǎn)過(guò)程

杭州陶飛侖新材料有限公司研制的產(chǎn)品表面金屬化焊接孔隙率小于3%。河南標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化

a、T/R模塊封裝:機(jī)載雷達(dá)天線安裝在飛機(jī)萬(wàn)向支架上,采用機(jī)電方式掃描,其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)是從美國(guó)F-22開(kāi)始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制,其探測(cè)距離下表所示:圖三機(jī)載雷達(dá)探測(cè)距離

APG-80捷變波束雷達(dá)、多功能機(jī)頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等,所用T/R (發(fā)/收)模塊封裝技術(shù)日趨成熟,每個(gè)T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬(wàn)美元降至600-800美元,數(shù)年內(nèi)可降至約200美元,成為機(jī)載雷達(dá)的**部分。幾乎所有的美國(guó)參戰(zhàn)飛機(jī)都有安裝新的或更新AESA計(jì)劃,使其作戰(zhàn)效能進(jìn)一步發(fā)揮,在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷,F(xiàn)-22機(jī)載AESA雷達(dá)可同時(shí)探測(cè)**目標(biāo)數(shù)分別為空中30 個(gè)、地面16個(gè)、探測(cè)范圍為360°全周向。 河南標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化

杭州陶飛侖新材料有限公司屬于電子元器件的高新企業(yè),技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶(hù)提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù),是一家有限責(zé)任公司(自然)企業(yè)。公司業(yè)務(wù)涵蓋鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證,深受廣大客戶(hù)的歡迎。陶飛侖新材料將以真誠(chéng)的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品,為彼此贏得全新的未來(lái)!