天津多功能碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程

來源: 發(fā)布時間:2021-12-29

碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體制備工藝技術(shù)主要研究內(nèi)容包含:碳化硅顆粒級配粉料配置、碳化硅陶瓷顆粒表面改性、碳化硅陶瓷粉料混料、造粒、過篩、二次造粒、干壓、烘干排膠、燒結(jié)**部分。在技術(shù)方法和路線上采用添加造孔劑和粘結(jié)劑進行壓制成型技術(shù)制備碳化硅預(yù)制型,采用低溫?zé)Y(jié)技術(shù)制備高體積分數(shù)碳化硅陶瓷多孔預(yù)制體,采用阿基米德排水法測定碳化硅陶瓷的密度、體積分數(shù)、氣孔率,通過三點彎曲法用萬能拉力試驗機測定碳化硅陶瓷的抗彎強度。由于每一粒骨料在幾個點上與其他顆粒發(fā)生連接,因而形成大量三維貫通孔道。天津多功能碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程

1.直寫成型(DIW):DIW 技術(shù)的打印原理是在計算機的輔助下,將具有高粘度的材料通過噴頭擠壓成長絲,按照計算機輸出的模型橫截面進行構(gòu)建,然后逐層“書寫”建立三維結(jié)構(gòu),***將制得的預(yù)制件進行熱解、燒結(jié)。DIW技術(shù)制備碳化硅陶瓷的優(yōu)點主要是簡易、便宜、快捷,對打印具有周期性規(guī)律結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀多孔結(jié)構(gòu)的材料具有較大優(yōu)勢,常用于制備具有大孔結(jié)構(gòu)、桁架結(jié)構(gòu)的陶瓷部件;但是存在致密度低、打印精度低、產(chǎn)品表面質(zhì)量差、氣孔率高、強度低等缺點。天津好的碳化硅預(yù)制件電話多少杭州陶飛侖生產(chǎn)的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體具有良好的加工性能。

在強碳-硅共價鍵作用下,SiC多孔陶瓷具有機械強度大,耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點,其在高溫?zé)煔獬龎m、水處理和氣體分離等方面有著***的應(yīng)用前景,而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比,SiC有著更優(yōu)異的抗污染性能。然而,SiC陶瓷燒結(jié)溫度高,純質(zhì)SiC燒結(jié)溫度通常需要高達2000℃。添加燒結(jié)助劑可以有效降低SiC的燒成溫度,常用的燒結(jié)助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料,如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物,高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質(zhì)。

固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應(yīng)法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉(zhuǎn)爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實質(zhì)是高溫強電場作用下的電化學(xué)反應(yīng),己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產(chǎn),為熱損失。20世紀70年代發(fā)展起來的法對古典Acheson法進行了改進,80年代出現(xiàn)了豎式爐、高溫轉(zhuǎn)爐等合成β一SiC粉的新設(shè)備,90年代此法得到了進一步的發(fā)展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應(yīng)制得日一,隨著溫度的提高及保溫時間的延長,放出的SiO氣體,粉末的比表面積隨之降低。碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體開氣孔率將影響鋁碳化硅鑄件質(zhì)量和成品率。

碳化硅陶瓷具有硬度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等優(yōu)異特性,已成為一種優(yōu)異的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,被***用于汽車、航空航天、半導(dǎo)體、光學(xué)、耐火和防護結(jié)構(gòu)等眾多領(lǐng)域。

然而,傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷成型方法由于精度低、難以制作形貌復(fù)雜的產(chǎn)品,無法滿足許多領(lǐng)域的應(yīng)用需求。3D 打印則可以顛覆傳統(tǒng)加工工藝,為此提供了新的發(fā)展方向。碳化硅陶瓷 3D 打印技術(shù)主要包括三種類型,分別是基于漿料、粉末以及固塊的 3D 打印技術(shù)。


碳化硅多孔陶瓷密度、孔隙率、體份、抗彎強度等性能檢測方法多種,檢測精度不同,檢測結(jié)果存在一定差異。上海有什么碳化硅預(yù)制件怎么樣

杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜的預(yù)制件。天津多功能碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程

鋁碳化硅(AlSiC)復(fù)合材料是大功率IGBT封裝的理想材料,目前先進制備技術(shù)主要被美日系企業(yè)壟斷,國內(nèi)廠商面臨**、制造水平、加工技術(shù)等多方面的壁壘,國內(nèi)大功率IGBT封裝用AlSiC產(chǎn)品主要依賴于從日本進口。受國內(nèi)政策支持影響,近年來出現(xiàn)了一批AlSiC復(fù)合材料制備的企業(yè),雖然他們在鋁碳化硅復(fù)合材料制備技術(shù)上取得了較大的發(fā)展和進步,但主要集中在復(fù)合材料結(jié)構(gòu)件和低體分(≤40%)制造方面,大功率IGBT用高體分(≥55%)的AlSiC復(fù)合材料存在加工精度低和焊接性能差的技術(shù)壁壘問題并沒有得到有效解決。天津多功能碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程

杭州陶飛侖新材料有限公司主要經(jīng)營范圍是電子元器件,擁有一支專業(yè)技術(shù)團隊和良好的市場口碑。公司業(yè)務(wù)涵蓋鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷等,價格合理,品質(zhì)有保證。公司將不斷增強企業(yè)重點競爭力,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。陶飛侖新材料秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點競爭力。