浙江鋁碳化硅應(yīng)用公司

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿(mǎn)足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關(guān)部門(mén)調(diào)試重視。經(jīng)過(guò)近些年來(lái)研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，相繼推動(dòng)高體分碳化硅與鋁合金的復(fù)合材料SiC/Al實(shí)用化進(jìn)程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結(jié)合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強(qiáng)度、低密度、導(dǎo)電性好的封裝材料。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅熱導(dǎo)率超過(guò)230W/m·K.浙江鋁碳化硅應(yīng)用公司

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學(xué)對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)部分無(wú)需額外的加工，保證光電器件的對(duì)接，降低成本。此外，AlSiC有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。

AlSiC金屬基復(fù)合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調(diào)的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 江蘇優(yōu)勢(shì)鋁碳化硅原料高體分鋁碳化硅目前已應(yīng)用于光學(xué)反射鏡、空間掃描機(jī)構(gòu)主框架及光學(xué)平臺(tái)、衛(wèi)星箱體及蓋板、散熱基板領(lǐng)域。

隨著AlSiC復(fù)合材料在航空航天、汽車(chē)、***、電子、體育用具等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其制品的加工精和表面質(zhì)量的要求也越來(lái)越高，采用傳統(tǒng)的機(jī)械加工方法或單一的特種加工方法，都難以實(shí)現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)的加工要求。這就要求在對(duì)AlSiC復(fù)合材料的機(jī)械切削加工、激光加工、超聲加工和電火花加工的加工工藝、加工機(jī)理進(jìn)行研究的同時(shí)，更多地注重研究復(fù)合加工技術(shù)，尤其是超聲加工與機(jī)械切削加工、電解加工、電火花加工相配合的復(fù)合加工技術(shù)的研究工作。

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類(lèi)似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。銅基板具有良好的導(dǎo)熱能力，但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達(dá)50mmx60mm，這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來(lái)過(guò)渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時(shí)在下方接合散熱器的話(huà)，焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán)，焊接外緣就會(huì)出現(xiàn)分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊，如長(zhǎng)期在震動(dòng)環(huán)境下使用，如軌道機(jī)車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)、飛機(jī)等，其可靠性會(huì)大幅下降。那么，如何牢固封裝高功率IGBT模塊，使其在震動(dòng)、高溫、粉塵等環(huán)境下可使用呢？業(yè)界的辦法是采用AlSiC材料來(lái)制作IGBT基板。杭州陶飛侖新材料有限公司在鋁碳化硅全部工藝流程的研發(fā)、生產(chǎn)過(guò)程中具有自主研發(fā)、生產(chǎn)、檢測(cè)能力。

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預(yù)制件中，通過(guò)金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過(guò)程中，可在**需要的部位設(shè)置這些成本相對(duì)較高的快速散熱材料，降低成本，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測(cè)試和評(píng)估。另外，還可并存集成48號(hào)合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類(lèi)材料或插件、引線(xiàn)、密封環(huán)、基片等，在熔滲之前插入SiC預(yù)成形件內(nèi)，在AlSiC復(fù)合成形過(guò)程中，經(jīng)濟(jì)地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于F16-腹鰭及蒙皮。河南大規(guī)模鋁碳化硅檢測(cè)技術(shù)

杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產(chǎn)高性能的鋁碳化硅復(fù)合材料。浙江鋁碳化硅應(yīng)用公司

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹(shù)脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差；增強(qiáng)材料在基體中的分布。

（1）、高溫下的不利化學(xué)反應(yīng)問(wèn)題：在加工過(guò)程中，為了確保基體的浸潤(rùn)性和流動(dòng)性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點(diǎn)）。在高溫下，基體與增強(qiáng)材料易發(fā)生界面反應(yīng)，生成有害的反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3，呈脆性，會(huì)成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復(fù)合材料的加工溫度是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。該問(wèn)題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時(shí)間，使增強(qiáng)材料與基體界面反應(yīng)時(shí)間降低至比較低程度；②、通過(guò)提高工作壓力使增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)速度加快；③、采用擴(kuò)散粘接法可有效地控制溫度并縮短時(shí)間。 浙江鋁碳化硅應(yīng)用公司

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢(xún)、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；新材料技術(shù)研發(fā)；模具銷(xiāo)售；新型陶瓷材料銷(xiāo)售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷(xiāo)售；特種陶瓷制品銷(xiāo)售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。以下限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng)：一般項(xiàng)目：金屬材料制造；特種陶瓷制品制造；模具制造；金屬工具制造(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。陶飛侖新材料創(chuàng)始人王成，始終關(guān)注客戶(hù)，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶(hù)提供良好的服務(wù)。