孔率是指多孔材料中孔隙所占體積與多孔材料總體積的百分比（包括開口孔、半開孔和閉合孔3種）。研究表明，多孔材料的性能主要取決于孔率?？紫缎蚊彩侵付嗫滋沾芍锌紫兜男螒B(tài)。當(dāng)孔隙為等軸孔隙時，材料整體性能呈各向同性；但當(dāng)孔隙為條狀或扁平狀時，如通過碳化后的木材經(jīng)由滲硅反應(yīng)燒結(jié)制備的多孔SiC陶瓷，其孔隙結(jié)構(gòu)呈一定的方向性?？紫吨睆叫∮?nm的為微孔材料，孔隙尺寸在2~50nm之間的為介孔材料，尺寸大于20nm的為宏孔材料。受孔徑及分布影響較大的性能包括透過性、滲透速率和過濾性能。碳化硅陶瓷預(yù)制體孔道的分布決定金屬和陶瓷兩相的分布均勻性。通用碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程
多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷(recrystallized silicon Carbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質(zhì)相而具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性能、高熱導(dǎo)率以及較小的熱膨脹系數(shù)，作為高溫結(jié)構(gòu)材料***用于航空航天等領(lǐng)域。而且由于燒結(jié)過程中不收縮，可以制備形狀復(fù)雜、精度較高的部件。目前，針對RSiC的研究和應(yīng)用，一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結(jié)構(gòu)材料，另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過濾催化用的多孔結(jié)構(gòu)/功能材料。遼寧標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件量大從優(yōu)杭州陶飛侖研制的多孔陶瓷材料抗彎強度高，浸滲、運輸?shù)冗^程中不易破損。
熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時又具備耐熱耐蝕不污染等特性。
復(fù)合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強度高和導(dǎo)熱性好等特點，使其成為一種常用的金屬基復(fù)合材料增強相。LI等研究發(fā)現(xiàn)，在含相同體積分數(shù)SiC時，以三維連續(xù)多孔SiC作為骨架制備的SiC/Al復(fù)合材料，其各項性能均優(yōu)于以粉末SiC作為骨架制備的SiC/Al復(fù)合材料。
顆粒堆積燒結(jié)法也稱為固態(tài)燒結(jié)法，其成孔是通過顆粒堆積留下空隙形成氣孔。在骨料中加入相同組分的微細顆粒及一些添加劑，利用微細顆粒易于燒結(jié)的特點，在一定溫度下將大顆粒連接起來。由于每一粒骨料*在幾個點上與其他顆粒發(fā)生連接，因而形成大量三維貫通孔道。
多孔SiC陶瓷的制備方法的優(yōu)點包括：采用顆粒堆積法制得的制品易于加工成型，并且強度也相對比較高；
多孔SiC陶瓷的制備方法的缺點包括：孔隙率比較低，一般的為20%~30%。 采用杭州陶飛侖生產(chǎn)的多孔陶瓷預(yù)制體浸滲的復(fù)合材料微觀組織具有雙連通效果，可大幅提高復(fù)合材料熱導(dǎo)率。
立體光刻（SLA）：SLA 技術(shù)是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術(shù)，常用于制備高精度、復(fù)雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑（如光引發(fā)劑、稀釋劑等）均勻混合成打印漿料，保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經(jīng)脫粘、燒結(jié)后的陶瓷零件能夠保持原形貌。首先將打印參數(shù)、3D 模型輸入計算機，由計算機控制打印頭移動，打印頭發(fā)射的激光選擇性地照射在漿料表面，光引發(fā)劑吸收對應(yīng)波長的激光后受激產(chǎn)生自由基，引發(fā)光固化樹脂的光聚合過程，將陶瓷粉體填充在固化后的樹脂骨架中，通常是點對線、線對層，一層打印完成后，打印臺向下移動，然后進行逐層打印，獲得陶瓷預(yù)制體，再通過脫粘、燒結(jié)等過程，得到**終陶瓷零件。杭州陶飛侖的碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率及低、陶瓷強度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。湖南好的碳化硅預(yù)制件產(chǎn)品介紹
對坯體中所添加的造孔劑、粘結(jié)劑等物質(zhì)進行成分含量和熔點測定。通用碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化。
碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學(xué)術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術(shù)”的晶粒提純生長方法。
通用碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過程
杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型的公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等，價格合理，品質(zhì)有保證。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌。陶飛侖新材料秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念，全力打造公司的重點競爭力。