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***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡(jiǎn)單封裝,主要的用途是將器件封裝在一起,起到包封、支撐、固定、絕緣等作用,這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料,以可伐(Kovar)合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**,其對(duì)于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢(shì)的當(dāng)代封裝業(yè)來(lái)講,有先天的劣勢(shì)。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅(AlSiC)是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合,能滿足多功能特性及設(shè)計(jì)要求,具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能,是當(dāng)今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車,微電子封裝等領(lǐng)域。低體分鋁碳化硅具有塑性高、耐磨性好、加工性能優(yōu)異等特點(diǎn)。陜西多功能鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化
a、T/R模塊封裝:機(jī)載雷達(dá)天線安裝在飛機(jī)萬(wàn)向支架上,采用機(jī)電方式掃描,其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)是從美國(guó)F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制,其探測(cè)距離下表所示:圖三機(jī)載雷達(dá)探測(cè)距離
APG-80捷變波束雷達(dá)、多功能機(jī)頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等,所用T/R (發(fā)/收)模塊封裝技術(shù)日趨成熟,每個(gè)T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬(wàn)美元降至600-800美元,數(shù)年內(nèi)可降至約200美元,成為機(jī)載雷達(dá)的**部分。幾乎所有的美國(guó)參戰(zhàn)飛機(jī)都有安裝新的或更新AESA計(jì)劃,使其作戰(zhàn)效能進(jìn)一步發(fā)揮,在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷,F(xiàn)-22機(jī)載AESA雷達(dá)可同時(shí)探測(cè)**目標(biāo)數(shù)分別為空中30 個(gè)、地面16個(gè)、探測(cè)范圍為360°全周向。 江蘇大規(guī)模鋁碳化硅技術(shù)規(guī)范杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅顆粒分布均勻,無(wú)顆粒聚集情況,加工性能優(yōu)異。
二、高體分鋁碳化硅(SiC體積比55%-75%)材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向:(1)、低密度:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右,密度**低于W/Cu合金({11~18}g/cm3)、Mo/Cu合金({9~10}g/cm3)和Kovar合金(8.3g/cm3),可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達(dá)微波功率管封裝底座為例,在同樣的強(qiáng)度和剛度條件下,可減重高達(dá)80%以上。(2)、低膨脹系數(shù):(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數(shù)一般為(6~9)×10-6m/℃(-60℃~200℃),遠(yuǎn)低于W/Cu合金({7~13}×10-6/K)、Mo/Cu合金({7~13}×10-6/K)等傳統(tǒng)封裝材料,與Si、GaAs、AlN等無(wú)機(jī)陶瓷基片材料熱匹配良好。
更為引人注目的是,在20世紀(jì)90年代末,鋁碳化硅在大型客機(jī)上獲得正式應(yīng)用。普惠公司從PW4084發(fā)動(dòng)機(jī)開始,將DWA公司生產(chǎn)的擠壓態(tài)顆粒增強(qiáng)變形鋁合金基復(fù)合材料(6092/SiC/17.5p-T6)作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片,用于所有采用PW4000系發(fā)動(dòng)機(jī)的波音777上。普惠公司的研發(fā)工作表明:作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片或壓氣機(jī)靜子葉片,鋁基復(fù)合材料耐沖擊(冰雹、鳥撞等外物損傷)能力比樹脂基(石墨纖維/環(huán)氧)復(fù)合材料好,且任何損傷易于發(fā)現(xiàn)。此外,還具有七倍于樹脂基復(fù)合材料的抗沖蝕(沙子、雨水)能力,并使成本下降三分之一以上。杭州陶飛侖新材料有限公司在鋁碳化硅全部工藝流程的研發(fā)、生產(chǎn)過(guò)程中具有自主研發(fā)、生產(chǎn)、檢測(cè)能力。
封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種,SiC是其中應(yīng)用**為***的一種,這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能,用作顆粒磨料技術(shù)成熟,價(jià)格相對(duì)較低;另一方面,顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性,**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小,以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài),可對(duì)材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì),從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中,SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要,實(shí)際應(yīng)用時(shí),AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸,要求CTE盡可能匹配。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅致密度超過(guò)99.7%。北京鋁碳化硅結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
高體分鋁碳化硅用于光學(xué)遙感衛(wèi)星光學(xué)反射鏡中。陜西多功能鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化
AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學(xué)對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形,精確控制圖形尺寸,關(guān)鍵的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)部分無(wú)需額外的加工,保證光電器件的對(duì)接,降低成本。此外,AlSiC有優(yōu)良的散熱性能,能保持溫度均勻性,并優(yōu)化冷卻器性能,改善光電器件的熱管理。
AlSiC金屬基復(fù)合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調(diào)的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料,為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金,尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 陜西多功能鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化
杭州陶飛侖新材料有限公司是一家一般項(xiàng)目:技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣;新材料技術(shù)研發(fā);模具銷售;新型陶瓷材料銷售;金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售;特種陶瓷制品銷售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。以下限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng):一般項(xiàng)目:金屬材料制造;特種陶瓷制品制造;模具制造;金屬工具制造(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來(lái),投身于鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷,是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶產(chǎn)品上的貼心,為用戶帶來(lái)良好體驗(yàn)。陶飛侖新材料創(chuàng)始人王成,始終關(guān)注客戶,創(chuàng)新科技,竭誠(chéng)為客戶提供良好的服務(wù)。