顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡(jiǎn)單，而且過(guò)程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結(jié)程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結(jié)合劑作用下的水或有機(jī)溶劑均勻混合制成漿料，然后將混合均勻的漿料倒入模具中，在低溫條件下使其快速冷凍，讓液相基體迅速凝結(jié)為固體，而后再通過(guò)減壓或真空干燥處理使凝結(jié)的固相升華去除，從而得到在漿料內(nèi)部留下定向排列孔洞結(jié)構(gòu)的坯體，***經(jīng)燒結(jié)制得多孔碳化硅陶瓷的方法。杭州陶飛侖新材料有限公司探索出預(yù)制體強(qiáng)度與鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關(guān)系。北京碳化硅預(yù)制件聯(lián)系人
顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強(qiáng)度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進(jìn)行搭配，強(qiáng)化相的容積比可達(dá)90％。SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價(jià)格比較低、來(lái)源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的復(fù)合材料。通過(guò)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體的顆粒表面改性技術(shù)研究、陶瓷顆粒級(jí)配設(shè)計(jì)研究、粘結(jié)劑性能研究、球磨、混料、干壓及燒結(jié)工藝技術(shù)研究、碳化硅陶瓷預(yù)制體檢測(cè)技術(shù)研究等，獲得碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率較低、陶瓷強(qiáng)度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。浙江通用碳化硅預(yù)制件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)在骨料中加入相同組分的微細(xì)顆粒及一些添加劑，利用微細(xì)顆粒易于燒結(jié)的特點(diǎn)，在一定溫度下將大顆粒連起來(lái)。
顆粒堆積燒結(jié)法也稱為固態(tài)燒結(jié)法，其成孔是通過(guò)顆粒堆積留下空隙形成氣孔。在骨料中加入相同組分的微細(xì)顆粒及一些添加劑，利用微細(xì)顆粒易于燒結(jié)的特點(diǎn)，在一定溫度下將大顆粒連接起來(lái)。由于每一粒骨料*在幾個(gè)點(diǎn)上與其他顆粒發(fā)生連接，因而形成大量三維貫通孔道。
多孔SiC陶瓷的制備方法的優(yōu)點(diǎn)包括：采用顆粒堆積法制得的制品易于加工成型，并且強(qiáng)度也相對(duì)比較高；
多孔SiC陶瓷的制備方法的缺點(diǎn)包括：孔隙率比較低，一般的為20%~30%。
1.直寫(xiě)成型（DIW）：DIW 技術(shù)的打印原理是在計(jì)算機(jī)的輔助下，將具有高粘度的材料通過(guò)噴頭擠壓成長(zhǎng)絲，按照計(jì)算機(jī)輸出的模型橫截面進(jìn)行構(gòu)建，然后逐層“書(shū)寫(xiě)”建立三維結(jié)構(gòu)，***將制得的預(yù)制件進(jìn)行熱解、燒結(jié)。DIW技術(shù)制備碳化硅陶瓷的優(yōu)點(diǎn)主要是簡(jiǎn)易、便宜、快捷，對(duì)打印具有周期性規(guī)律結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀多孔結(jié)構(gòu)的材料具有較大優(yōu)勢(shì)，常用于制備具有大孔結(jié)構(gòu)、桁架結(jié)構(gòu)的陶瓷部件；但是存在致密度低、打印精度低、產(chǎn)品表面質(zhì)量差、氣孔率高、強(qiáng)度低等缺點(diǎn)。碳化硅多孔陶瓷骨架性能對(duì)鋁碳化硅復(fù)合材料性能具有直接影響。
SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí)，SiC以β－SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時(shí)，β－SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對(duì)于6H，SiC，即使溫度超過(guò)2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會(huì)引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體開(kāi)氣孔率將影響鋁碳化硅鑄件質(zhì)量和成品率。湖南新型碳化硅預(yù)制件發(fā)展趨勢(shì)
杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種體分、孔徑大小的碳化硅陶瓷預(yù)制體。北京碳化硅預(yù)制件聯(lián)系人
固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應(yīng)法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉(zhuǎn)爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實(shí)質(zhì)是高溫強(qiáng)電場(chǎng)作用下的電化學(xué)反應(yīng),己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產(chǎn),為熱損失。20世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的法對(duì)古典Acheson法進(jìn)行了改進(jìn),80年代出現(xiàn)了豎式爐、高溫轉(zhuǎn)爐等合成β一SiC粉的新設(shè)備,90年代此法得到了進(jìn)一步的發(fā)展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應(yīng)制得日一,隨著溫度的提高及保溫時(shí)間的延長(zhǎng),放出的SiO氣體,粉末的比表面積隨之降低。北京碳化硅預(yù)制件聯(lián)系人
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