SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡述如下：碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。
硅、碳直接反應(yīng)法是對(duì)自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有耗能少、設(shè)備工藝簡單、生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn),其缺點(diǎn)是目發(fā)反應(yīng)難以控制。此外硅、碳之間的反應(yīng)是一個(gè)弱放熱反應(yīng),在室溫下反應(yīng)難以點(diǎn)燃和維持下去,為此常采用化學(xué)爐、將電流直接通過反應(yīng)體、對(duì)反應(yīng)體進(jìn)行預(yù)熱、輔加電場等方法補(bǔ)充能量。 SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價(jià)格比較低、來源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的。浙江新型碳化硅預(yù)制件哪家好
SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)是密切相關(guān)的：SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性*12％左右。因此，SiC具有強(qiáng)度高、彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會(huì)被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時(shí)易發(fā)生氧化，但氧化時(shí)表面形成的SiO2會(huì)抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散，故氧化速率并不高。在電性能方面，SiC具有半導(dǎo)體性，少量雜質(zhì)的引入會(huì)表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外，SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性等等。北京標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件量大從優(yōu)對(duì)坯體中所添加的造孔劑、粘結(jié)劑等物質(zhì)進(jìn)行成分含量和熔點(diǎn)測定。
固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應(yīng)法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉(zhuǎn)爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實(shí)質(zhì)是高溫強(qiáng)電場作用下的電化學(xué)反應(yīng),己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產(chǎn),為熱損失。20世紀(jì)70年代發(fā)展起來的法對(duì)古典Acheson法進(jìn)行了改進(jìn),80年代出現(xiàn)了豎式爐、高溫轉(zhuǎn)爐等合成β一SiC粉的新設(shè)備,90年代此法得到了進(jìn)一步的發(fā)展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應(yīng)制得日一,隨著溫度的提高及保溫時(shí)間的延長,放出的SiO氣體,粉末的比表面積隨之降低。
新型特種陶瓷——多孔陶瓷件
性能優(yōu)點(diǎn):采用自主研發(fā)的創(chuàng)性型工藝方法研制，工藝過程未產(chǎn)生二氧化硅，提高M(jìn)MCs熱導(dǎo)率；開氣孔率高，提高M(jìn)MCs致密度；抗彎強(qiáng)度高，浸滲過程不易變形、斷裂，提高M(jìn)MCs成品率及結(jié)構(gòu)復(fù)雜度。可根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求，采用多種級(jí)配和顆粒粒徑，陶瓷體分可從50%到75%之間調(diào)配。
主要應(yīng)用:高體分MMCs浸滲工藝預(yù)制件；液體提純、過濾領(lǐng)域功能件；氣體吸附領(lǐng)域功能件。
主要性能指標(biāo)（SiC）：
體分%：50-75%；體密度（g/cm3）：1.6-2.4；抗彎強(qiáng)度（MPa）：≥5；開孔率%：≥99
杭州陶飛侖研制的多孔陶瓷材料抗彎強(qiáng)度高，浸滲、運(yùn)輸?shù)冗^程中不易破損。
在強(qiáng)碳-硅共價(jià)鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機(jī)械強(qiáng)度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點(diǎn)，其在高溫?zé)煔獬龎m、水處理和氣體分離等方面有著***的應(yīng)用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機(jī)膜相比，SiC有著更優(yōu)異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結(jié)溫度高，純質(zhì)SiC燒結(jié)溫度通常需要高達(dá)2000℃。添加燒結(jié)助劑可以有效降低SiC的燒成溫度，常用的燒結(jié)助劑主要包括金屬氧化物或以金屬氧化物為主要成分的硅酸鹽材料，如Al2O3、ZrO2、Y2O3等金屬氧化物，高嶺土、黏土和鋁土礦等礦物質(zhì)。杭州陶飛侖生產(chǎn)的多孔陶瓷預(yù)制體可按客戶產(chǎn)品要求加工成各種形狀。北京質(zhì)量碳化硅預(yù)制件發(fā)展趨勢
杭州陶飛侖新材料公司生產(chǎn)的多孔陶瓷結(jié)構(gòu)件不含對(duì)復(fù)合材料性能有抑制作用的雜質(zhì)。浙江新型碳化硅預(yù)制件哪家好
杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體解決了現(xiàn)有制備工藝制備的碳化硅陶瓷預(yù)制體的強(qiáng)度低、結(jié)構(gòu)不均一及碳化硅的體積分?jǐn)?shù)低的技術(shù)問題。碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體研制過程中參考的國家標(biāo)準(zhǔn)GJB/5443-2005高體積分?jǐn)?shù)碳化硅顆粒/鋁基復(fù)合材料規(guī)范GB/T1965多孔陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法------GB/T1965-1966GB/T1966多孔陶瓷顯氣孔率、容重試驗(yàn)方法GB/T1967多孔陶瓷孔道直徑試驗(yàn)方法GB/T1969多孔陶瓷耐酸、堿腐蝕性能試驗(yàn)方法---GB/T1970-1996。浙江新型碳化硅預(yù)制件哪家好
杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，是一家生產(chǎn)型的公司。公司業(yè)務(wù)分為鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn)，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌。陶飛侖新材料憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽(yù)和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。