上海標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件技術(shù)規(guī)范

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-08

SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)是密切相關(guān)的:SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性*12%左右。因此,SiC具有強(qiáng)度高、彈性模量大,具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會(huì)被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時(shí)易發(fā)生氧化,但氧化時(shí)表面形成的SiO2會(huì)抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導(dǎo)體性,少量雜質(zhì)的引入會(huì)表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外,SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性等等。杭州陶飛侖研制的碳化硅陶瓷預(yù)制件無二氧化硅玻璃相,對(duì)復(fù)合材料熱導(dǎo)率無抑制作用。上海標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件技術(shù)規(guī)范

1.直寫成型(DIW):DIW 技術(shù)的打印原理是在計(jì)算機(jī)的輔助下,將具有高粘度的材料通過噴頭擠壓成長(zhǎng)絲,按照計(jì)算機(jī)輸出的模型橫截面進(jìn)行構(gòu)建,然后逐層“書寫”建立三維結(jié)構(gòu),***將制得的預(yù)制件進(jìn)行熱解、燒結(jié)。DIW技術(shù)制備碳化硅陶瓷的優(yōu)點(diǎn)主要是簡(jiǎn)易、便宜、快捷,對(duì)打印具有周期性規(guī)律結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀多孔結(jié)構(gòu)的材料具有較大優(yōu)勢(shì),常用于制備具有大孔結(jié)構(gòu)、桁架結(jié)構(gòu)的陶瓷部件;但是存在致密度低、打印精度低、產(chǎn)品表面質(zhì)量差、氣孔率高、強(qiáng)度低等缺點(diǎn)。廣東大規(guī)模碳化硅預(yù)制件杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種復(fù)合材料線膨脹系數(shù)要求的碳化硅陶瓷預(yù)制體。

3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷是近些年發(fā)展起來的一種新型制備工藝。該工藝借助于計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)的三維數(shù)據(jù)模型,通過打印頭噴射結(jié)合劑將原料粉體層層堆疊成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。3D打印法與反應(yīng)燒結(jié)工藝相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜形狀陶瓷的無模制造與近凈尺寸成型。[7]3D打印法制備多孔碳化硅陶瓷具有成型工藝簡(jiǎn)單、制備和加工效率高且無需模具等特點(diǎn),不僅可用來制備形狀復(fù)雜、顯微結(jié)構(gòu)均勻和孔連通性好的多孔碳化硅陶瓷,而且多孔陶瓷的孔隙率和孔徑大小均可控可調(diào)。但是,該方法目前仍處于探索研究階段,工藝參數(shù)還需進(jìn)一步優(yōu)化。另外,該方法很難一步制備出**度的多孔碳化硅陶瓷,需要輔助其他工藝來制備所需制品,成本較高。

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,例如:以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁,可提高其耐磨性而延長(zhǎng)使用壽命1~2倍;用以制成的高級(jí)耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高,節(jié)能效果好。低品級(jí)碳化硅(含SiC約85%)是極好的脫氧劑,用它可加快煉鋼速度,并便于控制化學(xué)成分,提高鋼的質(zhì)量。此外,碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒等產(chǎn)品。對(duì)坯體中所添加的造孔劑、粘結(jié)劑等物質(zhì)進(jìn)行成分含量和熔點(diǎn)測(cè)定。

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí),*次于世界上**硬的金剛石(10級(jí)),具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時(shí)能抗氧化。

碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破,LELY提出生長(zhǎng)***碳化概念,從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年***采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(zhǎng)方法。


杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產(chǎn)各種體分的碳化硅陶瓷預(yù)制體。江蘇優(yōu)勢(shì)碳化硅預(yù)制件聯(lián)系人

杭州陶飛侖新材料公司可生產(chǎn)大尺寸多孔陶瓷結(jié)構(gòu)件。上海標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件技術(shù)規(guī)范

新型特種陶瓷——多孔陶瓷件

性能優(yōu)點(diǎn):采用自主研發(fā)的創(chuàng)性型工藝方法研制,工藝過程未產(chǎn)生二氧化硅,提高M(jìn)MCs熱導(dǎo)率;開氣孔率高,提高M(jìn)MCs致密度;抗彎強(qiáng)度高,浸滲過程不易變形、斷裂,提高M(jìn)MCs成品率及結(jié)構(gòu)復(fù)雜度??筛鶕?jù)產(chǎn)品技術(shù)要求,采用多種級(jí)配和顆粒粒徑,陶瓷體分可從50%到75%之間調(diào)配。

主要應(yīng)用:高體分MMCs浸滲工藝預(yù)制件;液體提純、過濾領(lǐng)域功能件;氣體吸附領(lǐng)域功能件。

主要性能指標(biāo)(SiC):
體分%:50-75%;體密度(g/cm3):1.6-2.4;抗彎強(qiáng)度(MPa):≥5;開孔率%:≥99 上海標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件技術(shù)規(guī)范

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件,是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷等,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠(chéng)信為本的理念,打造電子元器件良好品牌。陶飛侖新材料立足于全國(guó)市場(chǎng),依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,融合前沿的技術(shù)理念,飛快響應(yīng)客戶的變化需求。