中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數(shù)和優(yōu)于鈹材的尺寸穩(wěn)定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導(dǎo)航系統(tǒng)器件，被譽(yù)為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國(guó)某型號(hào)慣性環(huán)形激光陀螺制導(dǎo)系統(tǒng)，并已形成美國(guó)的國(guó)軍標(biāo)（MIL-M-46196）。此外，還替代鈹材被成功地用于三叉戟導(dǎo)彈的慣性導(dǎo)航向地球及其慣性測(cè)量單元（IMU）的檢查口蓋，并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服（MYS）是表征材料尺寸穩(wěn)定性的主要指標(biāo)，而該種復(fù)合材料的微屈服度為118MPa，該值是國(guó)產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且已超過(guò)美國(guó)布拉什公司研制的高尺寸穩(wěn)定性新型光學(xué)儀表級(jí)**I-250鈹材。高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于高鐵的大功率IGBT模塊中。北京標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅發(fā)展趨勢(shì)
SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開(kāi)發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化?；w是強(qiáng)度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結(jié)合成AlSiC，解決SiC與Al潤(rùn)濕性差，高SiC含量難于機(jī)加工成形等問(wèn)題，成為理想的封裝材料。上海多功能鋁碳化硅分類杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅致密度超過(guò)99.7%。
低體分鋁碳化硅的**應(yīng)用領(lǐng)域——輕量化結(jié)構(gòu)件方向、耐磨方向：
早在20世紀(jì)80年代，低體分鋁碳化硅就作為非主承載結(jié)構(gòu)件成功地應(yīng)用于飛機(jī)上，典型案例為洛克希德馬丁公司生產(chǎn)的電子設(shè)備支架。本世紀(jì)開(kāi)始，該材料作為主承載結(jié)構(gòu)件在飛機(jī)上正式應(yīng)用。F-18“大黃蜂”戰(zhàn)斗機(jī)上采用鋁碳化硅作為液壓制動(dòng)器缸體，與替代材料鋁青銅相比，不僅重量減輕、膨脹系數(shù)降低，而且疲勞極限還提高一倍以上。在直升機(jī)上的應(yīng)用方面，歐盟也取得了突破性進(jìn)展。
鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份等因素。杭州陶飛侖新材料有限公司可生產(chǎn)大尺寸的鋁碳化硅結(jié)構(gòu)件。
鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點(diǎn)，如何設(shè)計(jì)產(chǎn)品，才能在保障產(chǎn)品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設(shè)計(jì)原則，作為設(shè)計(jì)人員的參考（當(dāng)然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產(chǎn)品圖紙、用途和使用環(huán)境郵件發(fā)送給我們，我們會(huì)遵循鋁碳化硅的生產(chǎn)工藝原則，為您設(shè)計(jì)出產(chǎn)品圖，發(fā)回給您審核）：
1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個(gè)方向上，零件的鑄造尺寸公差應(yīng)大于1.5/1000。
2.平面度：產(chǎn)品平面度可以做到0.75/1000。
3.表面光潔度：形狀簡(jiǎn)單的產(chǎn)品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復(fù)雜的產(chǎn)品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度，可以加拋光工序。
4.盡量不設(shè)計(jì)螺絲孔、通孔、沉孔等孔類結(jié)構(gòu)在零件上，能用U形孔替代，則盡量使用U形孔。 高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。天津使用鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)
杭州陶飛侖可根據(jù)客戶產(chǎn)品技術(shù)要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產(chǎn)品。北京標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅發(fā)展趨勢(shì)
真空壓力浸滲法
工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機(jī)加（—表面處理）
工藝設(shè)備：真空壓力浸滲爐
工藝優(yōu)勢(shì)：1、可實(shí)現(xiàn)近凈成型加工，尤其是復(fù)雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對(duì)于粉末冶金，其工藝過(guò)程易于控制。
工藝不足：1、對(duì)成型設(shè)備要求高；2、受限于設(shè)備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。
適應(yīng)性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應(yīng)用。 北京標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅發(fā)展趨勢(shì)
杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來(lái)良好體驗(yàn)。陶飛侖新材料始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng)，以敏銳的市場(chǎng)洞察力，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。