河北好的鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀

來源: 發(fā)布時間:2022-01-11

AlSiC封裝材料產(chǎn)業(yè)化引起國內科研院所、大學等單位的***重視,積極著手研發(fā)其凈成形工藝,部分單位研制成功樣品,為AlSiC工業(yè)化生產(chǎn)積累經(jīng)驗, 離規(guī)模化生產(chǎn)尚有一定距離,存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術等問題。我們公司采用創(chuàng)新型制備工藝,可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產(chǎn)品,在碳化硅預制件制備過程中,區(qū)別于氧化燒結法,所制備的碳化硅預制件無二氧化硅,對復合材料的熱導率無抑制作用,極大的提高了復合材料的熱導率,且極大低降低了加工成本。高體分鋁碳化硅復合材料具有強度高、高導熱、低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能。河北好的鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀

中體分鋁碳化硅(SiC體積比35%-55%):1、性能優(yōu)勢及應用方向:(1)、高微屈服強度:(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達(110~120)MPa水平,是國產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍,且無毒,可確保慣性導航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動,保證穩(wěn)定性。(2)、高比強度、高比剛度:(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結構件質量,實現(xiàn)武器裝備的輕量化,高比剛度可保證零件的面型(如反射鏡鏡面)精度。(3)、低膨脹系數(shù):(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數(shù)(9~11)×10-6/K,可以保證結構件在較大溫差變化的情況下仍保持穩(wěn)定的尺寸。(4)、高導熱性:(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅具有高導熱性率({120-180}W/m·K),可快速散熱,可避免零件過熱對機能的降低。(5)、主要應用方向及**零件:可應用于航空航天及**行業(yè)中的光學反射鏡、慣性導航系統(tǒng)零件,可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等。浙江新型鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀杭州陶飛侖經(jīng)過不斷研究,創(chuàng)新性的開發(fā)出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結構件制備工藝。

鋁碳化硅材料成型制造技術的發(fā)展趨勢:鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進和發(fā)展,高效、低成本、批量生產(chǎn)的方法仍需研究開發(fā),這將關系到鋁碳化硅材料的廣泛應用和發(fā)展。當前,現(xiàn)代制造技術的發(fā)展為鋁碳化硅復合材料的制備從理論研究到具體應用提供了有力的保證。計算機技術、現(xiàn)代測試技術、新材料技術的完善,使復合材料的制備技術、工藝不斷推出,這些工藝本身也有交叉并相互融合,鋁碳化硅材料制備技術的發(fā)展趨勢必將是多學科、多種技術相“復合”的綜合過程。

(2)、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題:增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關鍵技術,基體對增強材料浸潤性差,有時根本不發(fā)生潤濕現(xiàn)象。該問題主要解決方法:①、加入合金元素,優(yōu)化基體組分,改善基體對增強體的浸潤性,常用的合金元素有:鎂、硅等;②、對增強材料SiC進行表面處理,涂敷一層可抑制界面反應的涂層,可有效改善其浸潤性,表面涂層涂覆方法較多,如化學氣相沉積,物***相沉積,溶膠-凝膠和電鍍或化學鍍等。杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復合材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術服務為一體的高科技企業(yè)。

熔滲法是AlSiC制備的關鍵,一般分為有壓力滲透和無壓力滲透,前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同,又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備,滲透時間較短,有效控制Al與SiC的界面反應,同時與精度的模具相配套,獲得實用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上,在合金熔點以上保溫,Al合金液依托毛細管力的作用自發(fā)滲入預制件中,所需設備簡單,易于低成本制備,但產(chǎn)品的機械性能與熱性能略低,對基體合金的成分有較為嚴格的要求,浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數(shù)可在15% ~ 75%之間調節(jié),SiC承載量大,但較難實現(xiàn)材料的一次成形。鋁碳化硅已經(jīng)應用于飛機的油箱口蓋。北京標準鋁碳化硅一體化

高體分鋁碳化硅目前已應用于光學反射鏡、空間掃描機構主框架及光學平臺、衛(wèi)星箱體及蓋板、散熱基板領域。河北好的鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀

在長期使用中,許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化,存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如,Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金)的CTE低,與芯片材料相近,但其K值差、密度高、比剛度低,無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料,具有其綜合的優(yōu)勢性能。隨之發(fā)展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導方面優(yōu)于Kovar,但其密度大于Kovar,仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。河北好的鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀

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