廣東量化檢測(cè)技術(shù)有限公司2025-08-16
高純氦(99.999%)的檢測(cè)項(xiàng)目主要圍繞純度以及影響其使用性能的雜質(zhì)展開(kāi),檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T 4844-2011《純氦、高純氦和超純氦》執(zhí)行。
以下是主要檢測(cè)項(xiàng)目:
一、純度檢測(cè) 氦氣純度:這是主要指標(biāo),通常以體積分?jǐn)?shù)表示(如 99.999%、99.9999% 等)。檢測(cè)方法主要有氣相色譜法(通過(guò)分離并測(cè)定雜質(zhì)含量,從而計(jì)算氦氣純度)。
二、主要雜質(zhì)檢測(cè) 高純氦中的雜質(zhì)包括氣體雜質(zhì)、水分等,具體檢測(cè)項(xiàng)目如下:
1.氖(Ne):與氦同屬惰性氣體,且沸點(diǎn)接近(氦沸點(diǎn)-268.9℃,氖-246.1℃),在低溫應(yīng)用中(如超導(dǎo)磁體冷卻)會(huì)影響氦的制冷效率,導(dǎo)致冷卻溫度升高。
2.氫氣(H2):與其他氣體混合可能形成爆破性氛圍(如與氧氣共存時(shí));在半導(dǎo)體工藝中,氫氣可能導(dǎo)致材料氫化缺陷。
3.(氧氣+氬)含量:氬密度遠(yuǎn)大于氦,會(huì)降低氦氣的浮力(影響飛艇、氣球等應(yīng)用);在精密儀器(如質(zhì)譜儀)中,會(huì)干擾檢測(cè)信號(hào)。在高溫或高壓下,氧氣可能與材料反應(yīng)(如航天器燃料系統(tǒng));在光纖制造中,微量氧會(huì)導(dǎo)致光纖氧化變質(zhì)。
4.氮?dú)猓涸陔娮有袠I(yè)(如半導(dǎo)體刻蝕)中,氮?dú)饪赡芘c工藝氣體反應(yīng)生成雜質(zhì)薄膜;在低溫場(chǎng)景中,氮?dú)庖滓夯ǚ悬c(diǎn) - 195.8℃),堵塞管道或設(shè)備。
5.一氧化碳含量:在某些還原反應(yīng)中可能干擾工藝(如金屬冶煉)
6.二氧化碳含量:在低溫下易固化(干冰,沸點(diǎn) - 78.5℃),堵塞低溫管道(如氦制冷系統(tǒng))。
7.甲烷含量:在高溫下可能分解產(chǎn)生碳顆粒(如等離子體加工),污染精密部件。
6.水分(H2O):水分在低溫下會(huì)結(jié)冰(冰點(diǎn) 0℃),堵塞氦氣輸送管道或低溫設(shè)備(如 MRI 制冷系統(tǒng));在電子行業(yè),水分可能導(dǎo)致元件氧化或短路。
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