2025年3月10日上海市國際先進陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當下業(yè)內(nèi)稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領(lǐng)域，是國家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機遇與挑戰(zhàn)。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日，讓我們相聚中國?國際先進陶瓷展覽會，共商共享，共創(chuàng)未來。探索先進制造的萬千可能。2025年3月10日上海市國際先進陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會

注射成型過程中由于工藝參數(shù)控制不當，或者是喂料本身缺陷，以及模具設(shè)計不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結(jié)合具體過程，對常見的注射缺陷進行分析，并加以控制，以提高生產(chǎn)率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過程中不能充滿整個模腔。一般在剛開始注射時產(chǎn)生，可能是由喂料溫度或模具溫度過低、加料量不足、喂料粘度過大等因素引起的。通過增加預塑時間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發(fā)生在脫模中，往往是脆斷。主要是因為模具溫度太低，或者是保壓和冷卻時間過長，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體緊緊箍在下部凸模上，在模具頂出機構(gòu)的強烈沖擊下，很容易引起脆斷。通過適當升高模溫以及減少保壓和冷卻時間，在脫模過程中可以避免斷裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的橫截面上可以發(fā)現(xiàn)的孔隙。有的是一個近圓形的小孔，有的就發(fā)展為幾乎貫穿生坯坯體的中心通孔，這是常見的缺陷，注射成型樣品不同部位產(chǎn)生的氣孔的原因也不一樣?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。3月10日至12日中國上海市國際先進陶瓷及粉末冶金展覽會提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝，“中國?國際先進陶瓷展覽會：展會將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。

外延生長技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯、貫穿螺型位錯（TSD）、貫穿刃型位錯（TED）和基平面位錯（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應(yīng)不同耐壓等級的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對應(yīng)100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時，外延層厚度需在100μm以上。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！聚焦行業(yè)發(fā)展前沿，探索業(yè)界先進技術(shù)，“中國?國際先進陶瓷展覽會”：2025年3月10-12日上海世博展覽館！

在電動汽車主驅(qū)逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢，如功率轉(zhuǎn)換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機鐵損、束線輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價格較高，但其優(yōu)勢可降低整車系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時捷等正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會和2025上海國際粉體加工與處理展覽會同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“2025年中國?國際先進陶瓷展覽會：粉末冶金及硬質(zhì)合金展、3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10-12日上海國際先進陶瓷及粉末冶金展

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日與您相聚上海，共襄行業(yè)盛會！2025年3月10日上海市國際先進陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因為其尺寸小、精度高、內(nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)生組織統(tǒng)計，牙齒畸形并發(fā)率約為49%，在美國50-60%的家庭都會進行牙齒正畸，必須配帶牙齒矯形托槽。采用陶瓷注射成型生產(chǎn)的該類產(chǎn)品尺寸精度高且性能良好，在國內(nèi)的市場前景開闊。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。2025年3月10日上海市國際先進陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會