2024年3月6日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。無(wú)壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過(guò)1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過(guò)快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度后不進(jìn)行保溫，立即以很快的速度降溫到相對(duì)較低的溫度進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的保溫。與常規(guī)燒結(jié)方法相比，兩步燒結(jié)法巧妙地通過(guò)控制溫度的變化，在抑制晶界遷移（這將導(dǎo)致晶粒長(zhǎng)大）的同時(shí)，保持晶界擴(kuò)散（這是坯體致密化的動(dòng)力）處于活躍狀態(tài)，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶粒不長(zhǎng)大的前提下達(dá)到燒結(jié)的目的。3、兩段法燒結(jié)在相對(duì)較低的溫度下保溫一段時(shí)間，然后再在較高的溫度下保溫，后自然冷卻。用此工藝可以降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時(shí)間，此方式可以用于燒結(jié)細(xì)晶鈦酸鋇陶瓷?！爸袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”匯聚國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英：2025年3月10日上海見(jiàn)。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2024年3月6日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！華東國(guó)際先進(jìn)陶瓷博覽會(huì)中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，為行業(yè)搭建品質(zhì)的全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新互動(dòng)平臺(tái)。2025年3月10日上海世博展覽館！

碳化硅外延環(huán)節(jié)呈現(xiàn)美、日兩強(qiáng)局面，美國(guó)Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國(guó)II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機(jī)、意法半導(dǎo)體（ST）、德國(guó)英飛凌（Infineon）等企業(yè)。國(guó)內(nèi)東莞天域、瀚天天成為主要廠商，晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導(dǎo)體、深圳納設(shè)智能等亦有布局，努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。預(yù)計(jì)2025年全球和國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延設(shè)備新增市場(chǎng)空間分別約為130億元和53億元美元?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

AlN有兩個(gè)非常重要的性能值得注意：一個(gè)是高的熱導(dǎo)率，一個(gè)是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點(diǎn)是即使在表面有非常薄的氧化層也會(huì)對(duì)熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響，只有對(duì)材料和工藝進(jìn)行嚴(yán)格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國(guó)內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對(duì)于Al2O3，AlN價(jià)格相對(duì)偏高許多，這個(gè)也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過(guò)隨著經(jīng)濟(jì)的提升，技術(shù)的升級(jí)，這種瓶頸終會(huì)消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導(dǎo)地位而被大量運(yùn)用?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！先進(jìn)陶瓷行業(yè)精英齊聚上海、交流合作、共謀發(fā)展，中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，3月10日我們共同見(jiàn)證盛會(huì)開(kāi)幕！

碳化硅半導(dǎo)體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認(rèn)證壁壘，高度依賴于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭(zhēng)相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，全球碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，市場(chǎng)份額主要被美國(guó)、歐洲、日本等國(guó)?家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)未來(lái)將面臨國(guó)際先進(jìn)企業(yè)和國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者的雙重競(jìng)爭(zhēng)。若競(jìng)爭(zhēng)過(guò)早進(jìn)入白熱化，會(huì)對(duì)大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長(zhǎng)造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2025年3月10-12日，讓我們相聚中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，共同探索先進(jìn)陶瓷行業(yè)的萬(wàn)千可能！3月6日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷展

匯聚多方力量，整合優(yōu)勢(shì)資源，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10日上海世博展覽館，共襄行業(yè)盛會(huì)！2024年3月6日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展

碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對(duì)應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對(duì)應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、MOSFET（縮寫(xiě)為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國(guó)?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2024年3月6日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展