2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)孕育無限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日中國?國際先進(jìn)陶瓷展，匯聚眾多國內(nèi)外杰出供應(yīng)商和制造商，誠邀您蒞臨上海探索無限商機(jī)。2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇業(yè)界精英云集中國國際先進(jìn)陶瓷展，為行業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。2025年3月10-12日，我們?cè)谏虾５饶?/p>

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時(shí)間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間對(duì)陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。 誠邀您蒞臨參觀！

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！“2025中國?國際先進(jìn)陶瓷展”為行業(yè)精英提供學(xué)術(shù)研究與應(yīng)用實(shí)踐的融合平臺(tái)，2025年3月10日上海見！

得益于碳化硅的物理特性，其功率器件較硅基器件具有更高的工作頻率、更高的能量轉(zhuǎn)換效率、更好的散熱能力。碳化硅功率器件和功能模塊廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、電源、軌道交通等領(lǐng)域。在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于電驅(qū)主逆變器、車載充電器（OBC）及DC-DC（直流—直流）轉(zhuǎn)換器。隨著新能源汽車需求增長及碳化硅功率器件的普及，其市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在光伏發(fā)電領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于光伏逆變器，能提高能量轉(zhuǎn)換效率、降低能量損耗、增加功率密度并解決系統(tǒng)成本。隨著光伏電站電壓等級(jí)從1000V提升至1500V，未來將進(jìn)一步提升至1700V乃至2000V，在更高的電壓等級(jí)下，碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)將更加突出?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！敬請(qǐng)關(guān)注中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，品牌精英齊聚盛會(huì)，傾情見證行業(yè)新輝煌，2025年3月10日上海見！上海國際先進(jìn)陶瓷裝備展

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碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對(duì)應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對(duì)應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2024第十六屆上海國際先進(jìn)陶瓷發(fā)展前沿論壇