中國國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會

來源: 發(fā)布時間:2024-11-26

先進陶瓷又稱高性能陶瓷、精細陶瓷、高技術陶瓷等,是指采用高純度、超細人工合成或精選的無機化合物為原料,具有優(yōu)異的力學、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統(tǒng)陶瓷,特定的精細結構使其具有gao強、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導、生物相容等一系列優(yōu)點,被廣泛應用于國防、化工、冶金、電子、機械、航空、航天、生物醫(yī)學等領域?!暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!五展聯動;第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會(PMCHINA)、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會(AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(POWDEXCHINA)同期同地舉辦。五展聯動,串聯相關產業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內外觀眾預計將達到70,000人次。整合全產業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀!“中國?國際先進陶瓷展覽會”分享行業(yè)前沿技術:2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀!中國國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會

中國國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會,先進陶瓷

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型,而導電型對應同質外延,半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD(肖特基勢壘二極管)、MOSFET(縮寫為MOS,金屬氧化物半導體場效應晶體管)等功率器件,適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發(fā)電等;在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片,用于各類功率器件。異質外延制成HEMT(高電子遷徙率晶體管)等微波射頻器件,適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域;在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?!暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點,整合全產業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀!第十六屆上海國際先進陶瓷技術產品展賦能前沿智造,智領行業(yè)未來,“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10日上海共創(chuàng)無限商機!

中國國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會,先進陶瓷

碳化硅襯底的電學性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣,為滿足不同芯片功能需求,需制備不同電學性能的碳化硅襯底。按照電學性能的不同,碳化硅襯底可分為兩類:高電阻率(電阻率≥105Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,以及低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件,通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片;導電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件,需在導電型襯底上生長碳化硅外延層?!暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!誠邀您蒞臨參觀!

從國內看,碳化硅制造廠商包括長飛先進、芯聯集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤等,其中長飛先進、芯聯集成、上海積塔已實現碳化硅MOSFET產品的大規(guī)模量產,其他企業(yè)尚不具備大規(guī)模量產能力。三家企業(yè)產能合計為25萬片/年,規(guī)劃產能為44.8萬片/年。國外he心技術封鎖為常態(tài),國產替代需求迫切。和許多先進科技一樣,國內發(fā)展碳化硅產業(yè)也受到國外技術禁運的限制,尤其是寬禁帶半導體器件在jun事領域的應用,這進一步催生了國產替代的迫切需求。國內碳化硅產業(yè)在自主創(chuàng)新的推動下,正加速自主研發(fā)步伐,以bao障供應鏈的安全穩(wěn)定?!暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!五展聯動,串聯相關產業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點,整合全產業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀!誠邀您參加中國?國際先進陶瓷展覽會,展示前沿技術、前沿產品,2025年3月10-12日上海世博展覽館見!

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碳化硅下游應用場景眾多,包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網、航空航天等,而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量,比如新能源車的產銷量、充電樁的配套數量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟,價格有所下降,但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本,短期內將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率,大規(guī)模應用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預期的情況,將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產造成不利影響?!暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!五展聯動,串聯相關產業(yè)鏈,吸引更多的觀眾群體,形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技,又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點,整合全產業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀!“中國?國際先進陶瓷展覽會”提高材料性能,創(chuàng)新技術工藝。2025年3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨!2024年上海國際先進陶瓷機械展

中國?國際先進陶瓷展覽會,2025年3月10-12日與業(yè)內精英齊聚上海,為行業(yè)加油鼓勁,為展會助力喝彩!中國國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵,刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前,SiC刻蝕多采用干法刻蝕,其中電感耦合等離子體(ICP)刻蝕因其低壓高密度的特點,具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點,而廣泛應用。此外,刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側壁控zhi、蝕刻速率和側壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)??涛g環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現更小尺寸器件結構、提高深寬比和形貌圓滑度,以及從淺溝槽向深溝槽的轉變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科,及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、中微半導體、中科院微電子所、珠海恒格微電子、稷以科技等。北方華創(chuàng)在SiC器件領域具備完整的刻蝕解決方案,其SiC器件刻蝕機出貨量的市占率較高。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕!展會展覽面積將超過50,000平方米,中外展商約900家,參展品牌1500個,國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點,整合全產業(yè)鏈資源,集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀!中國國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會