2025年3月10-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對(duì)應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對(duì)應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、MOSFET（縮寫(xiě)為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類(lèi)功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國(guó)?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：展會(huì)將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開(kāi)幕。2025年3月10-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

碳化硅半導(dǎo)體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認(rèn)證壁壘，高度依賴(lài)于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭(zhēng)相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門(mén)賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，全球碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，市場(chǎng)份額主要被美國(guó)、歐洲、日本等國(guó)家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)未來(lái)將面臨國(guó)際先進(jìn)企業(yè)和國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者的雙重競(jìng)爭(zhēng)。若競(jìng)爭(zhēng)過(guò)早進(jìn)入白熱化，會(huì)對(duì)大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長(zhǎng)造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2025年3月10至12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷及粉末冶金展覽會(huì)“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”以先進(jìn)材料為基點(diǎn)：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

在電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢(shì)，如功率轉(zhuǎn)換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機(jī)鐵損、束線輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價(jià)格較高，但其優(yōu)勢(shì)可降低整車(chē)系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車(chē)逆變器效率，越來(lái)越多的車(chē)廠如比亞迪、蔚來(lái)、小鵬、保時(shí)捷等正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買(mǎi)家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢(shì)。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時(shí)仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)1kHz時(shí)，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗相比可降低多達(dá)80%，整體功率損耗降低66%。導(dǎo)通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導(dǎo)通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高，可達(dá)200℃或更高，適用于汽車(chē)市場(chǎng)，其高耐溫性可降低系統(tǒng)散熱要求和導(dǎo)通電阻偏移?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日上海世博展覽館，讓我們相聚上海，共同見(jiàn)證盛會(huì)開(kāi)幕！

在需要高功率的場(chǎng)景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類(lèi)型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類(lèi)型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！提高材料性能，創(chuàng)新技術(shù)工藝，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日上海世博展覽館！3月10-12日上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷專(zhuān)題論壇

匯聚多方力量，整合優(yōu)勢(shì)資源，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10日上海世博展覽館，共襄行業(yè)盛會(huì)！2025年3月10-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向，再用精密機(jī)械加工成標(biāo)準(zhǔn)尺寸和角度的碳化硅晶棒，并對(duì)所有晶棒進(jìn)行尺寸、角度等指標(biāo)檢測(cè)。在考慮后續(xù)加工余量后，用金剛石細(xì)線切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通過(guò)全自動(dòng)測(cè)試設(shè)備對(duì)面型進(jìn)行檢測(cè)。切片作為晶體加工的首要步驟，對(duì)后續(xù)加工和產(chǎn)能的影響較大。碳化硅的高硬度導(dǎo)致鋸線消耗大、加工時(shí)間長(zhǎng)、廢料率高、產(chǎn)量有限、高成本等問(wèn)題。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買(mǎi)家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2025年3月10-12日上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)