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定位器404被耦合到底座406，并且可以包括四個步進電機，這些步進電機提供目標(biāo)的4軸運動，即x、v、z以及繞z軸的旋轉(zhuǎn)。這樣，如圖4b所示的系統(tǒng)400能夠沿包括z方向在內(nèi)的所有可能方向掃描位置定位器系統(tǒng)410中的接收二器線圈上方的金屬目標(biāo)408，以產(chǎn)生不同的氣隙。如前所述，氣隙是金屬目標(biāo)408與放置位置定位系統(tǒng)410的發(fā)射線圈和接收線圈的pcb之間的距離。這樣的系統(tǒng)可以用于位置定位器系統(tǒng)410的校準、線性化和分析。圖4c示出在具有發(fā)射線圈106和接收線圈104的旋轉(zhuǎn)位置定位器系統(tǒng)410上方的金屬目標(biāo)408的掃描。如圖4c所示，金屬目標(biāo)408在線圈104上方從0°掃描到θ°。圖4d示出當(dāng)如圖4c所示地掃描金屬目標(biāo)408時從線圈104測量的電壓vsin和電壓vcos與仿真的結(jié)果的比較的示例。在圖4d的特定示例中，金屬目標(biāo)408在50個位置被掃描。十字表示樣本電壓，實線表示由電磁場求解程序cdice-bim所仿真的值。傳感器線圈的各方面的特性；官方授權(quán)經(jīng)銷傳感器線圈價格便宜

相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個線圈中的通孔比另一個線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時，就會出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動時正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設(shè)計的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中，算法712計算不具有目標(biāo)時的偏差。abs傳感器線圈口碑推薦傳感器線圈通常用于檢測磁場的變化。

    可以替代地修改余弦接收線圈，并且相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個接收器線圈中的通孔比另一個接收器線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時，就會出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動時正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設(shè)計的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中。

為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應(yīng)。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標(biāo)1024通?？梢员唤楸〗饘倨?。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈的線圈在強磁場中可能會受到干擾。

    正弦定向接收器線圈906包括阱908和阱912，并且被連接到引線924。類似地，余弦定向接收器線圈904包括阱910和阱914，并且被耦合到引線926。pcb還可以具有安裝孔918。圖9a示出線圈設(shè)計900的平面圖，而圖9b示出線圈設(shè)計900的斜視圖，其示出在其上形成線圈設(shè)計900的pcb板的兩側(cè)上的通孔和跡線。圖9c示出印刷電路板930上的線圈設(shè)計900的平面圖。此外，被耦合到引線920、引線924和引線926的控制電路932被安裝在電路板930上。圖9d示出類似于在定位系統(tǒng)400中使用的實際位置的實際位置與在例如算法700的步驟704中通過使用rx電壓通過仿真重構(gòu)的位置之間的百分比誤差。如圖9d所示，在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計900之后，理論結(jié)果與仿真結(jié)果之間的百分比誤差小于％。圖9e示出在已經(jīng)根據(jù)算法700優(yōu)化線圈設(shè)計900之后的實際角位置和仿真角位置。圖6也示出在已經(jīng)應(yīng)用線性化算法之后經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計900的全標(biāo)度誤差的百分比。在該標(biāo)度下，誤差小于％fs。本發(fā)明的實施例包括：仿真步驟704，其仿真位置定位系統(tǒng)線圈設(shè)計的響應(yīng)；以及，線圈設(shè)計調(diào)整算法712，其使用所仿真的響應(yīng)來調(diào)整線圈設(shè)計以獲得更好的準確性。如上所述，位置傳感器遭受許多非理想性。首先，tx線圈所產(chǎn)生的磁場高度不均勻。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無錫東英電子有限公司為您服務(wù)！陜西傳感器線圈市場價

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    仿真可以輸入pcb跡線的幾何形狀、金屬目標(biāo)的幾何形狀、氣隙、金屬目標(biāo)在由跡線形成的線圈上的平移/旋轉(zhuǎn)、以及另外的固定導(dǎo)體，其例如可用于仿真pct或傳感器附近的其他導(dǎo)體的接地層。仿真可以輸出線圈上方的金屬目標(biāo)的一系列位置處來自接收器線圈的仿真電壓。在一些實施例中，在本申請中也可以使用有限元方法(fem)或類似方法。然而，在一些情況下，執(zhí)行這些仿真可能需要大量的計算時間?？梢灶A(yù)期，相對于上述bim方法，每個傳感器目標(biāo)位置的計算可能使用兩個或更多個數(shù)量級的計算時間。此外，可能需要針對每個目標(biāo)位置從頭開始重建計算域的網(wǎng)格。而且，由于長而細的導(dǎo)體需要大量的網(wǎng)格元素來獲得精確的解，因此這些技術(shù)的準確性可能受限。這些計算也可能受到存儲器和計算時間資源的限制。圖10a示出算法700的仿真步驟704的示例。實際上，如圖7a的示例中所示的算法700基本上補償了上述的非理想性，并因此產(chǎn)生與提供精確的位置定位系統(tǒng)的問題的物理學(xué)相容的佳的可能的解。為此，開發(fā)了位置定位系統(tǒng)的一種真實高效的數(shù)值模型。如下面更詳細地討論的，在一些實施例中，形成發(fā)射線圈、接收器線圈和連接線的跡線用一維金屬導(dǎo)線表示。一些實施例可以使用更精細的仿真算法。官方授權(quán)經(jīng)銷傳感器線圈價格便宜