池州京東方用的蝕刻液蝕刻液按需定制

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-10-19

    silane)系偶聯(lián)劑和水,上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外,提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其特征在于,選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)異的硅烷系偶聯(lián)劑的效果。此外,本發(fā)明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時(shí)*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說(shuō)明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時(shí)氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發(fā)生的工序不良的圖。圖4是示出能夠?qū)?dnand閃存制造工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯(lián)劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯(lián)劑的aeff值與蝕刻程度。哪家蝕刻液的的性價(jià)比好。池州京東方用的蝕刻液蝕刻液按需定制

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    故仍舊會(huì)有少量的藥液51噴灑在擋液板結(jié)構(gòu)10上而留下該藥液51的水滴,而該藥液51的水滴亦不能落入該基板20上,以避免基板20的蝕刻不均的現(xiàn)象產(chǎn)生;此外,該輸送裝置30用以承載并運(yùn)送至少一該基板20于該濕式蝕刻機(jī)內(nèi)運(yùn)行,并接受濕式蝕刻的噴灑裝置50的制程運(yùn)作,故該輸送裝置30具有一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)以驅(qū)動(dòng)該滾輪31轉(zhuǎn)動(dòng),以帶動(dòng)該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動(dòng)。步驟三s3:使用一設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10下方的風(fēng)刀裝置40對(duì)該基板20吹出一氣體43,以使該基板20干燥;在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中,該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部,該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41,以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42,其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20,以將該基板20上的該藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向,以使該基板20降低該藥液51殘留,其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3,且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。步驟四s4:該氣體43經(jīng)由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121宣泄;在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中。無(wú)錫天馬用的蝕刻液蝕刻液蝕刻液的大概費(fèi)用大概是多少?

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    因此存在開(kāi)發(fā)蝕刻液組合物時(shí)會(huì)過(guò)度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問(wèn)題。美國(guó)公開(kāi)**第2號(hào)公開(kāi)了在3dnand閃存的制造工序中,對(duì)于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物。然而,為了選擇構(gòu)成成分的種類和濃度,不得不需要測(cè)試蝕刻液組合物的蝕刻性能,實(shí)際情況是,與上述同樣,仍然沒(méi)有解決在找尋蝕刻液組合物的適宜組成方面過(guò)度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問(wèn)題?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)**文獻(xiàn)**文獻(xiàn)1:美國(guó)公開(kāi)**第2號(hào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:所要解決的課題本發(fā)明是為了改善上述以往技術(shù)問(wèn)題的發(fā)明,其目的在于,提供用于選擇硅烷系偶聯(lián)劑的參數(shù)以及包含由此獲得的硅烷系偶聯(lián)劑的蝕刻液組合物,所述硅烷系偶聯(lián)劑作為添加劑即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也具有在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力。此外,本發(fā)明的目的在于,提供一種以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中能夠*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征的蝕刻液組合物。此外,本發(fā)明的目的在于,提供利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。此外,本發(fā)明的目的在于,提供選擇上述蝕刻液組合物所包含的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。解決課題的方法為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種蝕刻液組合物,其特征在于,包含磷酸、硅烷。

    使硝酸鉀儲(chǔ)罐21和其它儲(chǔ)罐的內(nèi)部形成一個(gè)密閉的空間,避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進(jìn)入儲(chǔ)罐內(nèi),有效的提高了裝置使用的密封性;緊接著,將磷酸與醋酸在個(gè)攪拌倉(cāng)23中充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆颍缓笤诘诙€(gè)攪拌倉(cāng)23中與硝酸充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆蚝?,再進(jìn)入配料罐中混合,將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個(gè)攪拌倉(cāng)23混合后再進(jìn)入第四個(gè)攪拌倉(cāng)23中,與氯化鉀、硝酸鉀、去離子水一起在第四個(gè)攪拌倉(cāng)23中混合均勻,然后過(guò)濾后封裝,先檢查過(guò)濾板26進(jìn)行更換或安裝,過(guò)濾部件9的內(nèi)部?jī)蓚?cè)嵌入連接有過(guò)濾板26,常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合,其分散混合性能差,蝕刻液雜質(zhì)含量多,過(guò)濾板26能將蝕刻液內(nèi)部的雜質(zhì)進(jìn)行過(guò)濾,使制備出的蝕刻液的雜質(zhì)被過(guò)濾板26過(guò)濾出,得到不含雜質(zhì)的蝕刻液,避免多種強(qiáng)酸直接共混有效的減小了蝕刻液制備的安全隱患;,通過(guò)過(guò)濾部件9將蝕刻液進(jìn)行過(guò)濾,過(guò)濾部件9設(shè)置有一個(gè),過(guò)濾部件9設(shè)置在連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè),過(guò)濾部件9與連接構(gòu)件11固定連接,過(guò)濾部件9能將制備出的蝕刻液進(jìn)行過(guò)濾,且過(guò)濾部件9能將內(nèi)部的過(guò)濾板26進(jìn)行拆卸更換,將過(guò)濾部件9的內(nèi)部進(jìn)行清洗,在將過(guò)濾部件9進(jìn)行連接安裝時(shí),將滑動(dòng)蓋24向外側(cè)滑動(dòng)。哪家的蝕刻液蝕刻效果好?

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    對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例,基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一,請(qǐng)參閱圖1-4,本實(shí)用新型提供技術(shù)方案:高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機(jī)4,裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2,裝置主體1的后面一側(cè)底部固定連接有電源線3,裝置主體1的一側(cè)中間部位固定連接有控制器5,裝置主體1的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)4,裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲(chǔ)罐14,裝置主體1的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲(chǔ)罐15,磷酸儲(chǔ)罐15的底部固定連接有攪拌倉(cāng)23,攪拌倉(cāng)23的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī)13,攪拌倉(cāng)23的另一側(cè)頂部固定連接有醋酸儲(chǔ)罐16,裝置主體1的頂部中間一側(cè)固定連接有硝酸儲(chǔ)罐17,裝置主體1的頂部中間另一側(cè)固定連接有陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐18,陰離子表面活性劑儲(chǔ)罐18的另一側(cè)固定連接有聚氧乙烯型非離子表面活性劑儲(chǔ)罐19,裝置主體1的頂部另一側(cè)固定連接有氯化鉀儲(chǔ)罐20。蘇州性價(jià)比高的蝕刻液。綿陽(yáng)ITO蝕刻液蝕刻液配方技術(shù)

ITO蝕刻液的配方是什么?池州京東方用的蝕刻液蝕刻液按需定制

    將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進(jìn)行清洗,具有很好的清理作用。工作原理:對(duì)于這類的回收處理裝置,首先將蝕刻液倒入進(jìn)液漏斗6并由過(guò)濾網(wǎng)7過(guò)濾到進(jìn)液管8中,之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時(shí),啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng),從而通過(guò)圓環(huán)塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng),進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中,避免蝕刻液對(duì)電解池4造成沖擊而影響其使用壽命,具有保護(hù)電解池4的功能,之后金屬銅在隔膜5左側(cè)析出;其次在蝕刻液初次電解后,通過(guò)控制面板30啟動(dòng)增壓泵16并打開(kāi)一號(hào)電磁閥18,將蝕刻液通過(guò)回流管15抽入到一號(hào)排液管17中,并由進(jìn)液管8導(dǎo)入到伸縮管9中,直至蝕刻液由噴頭10重新噴到電解池4中,可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉(zhuǎn)化為金屬銅,起到循環(huán)電解蝕刻液的作用,然后打開(kāi)二號(hào)電磁閥23,將蝕刻液通過(guò)二號(hào)排液管22導(dǎo)入到分隔板2左側(cè),傾斜板24使得蝕刻液向左流動(dòng)以便排出到裝置主體1外,接著啟動(dòng)抽氣泵19,將電解池4中產(chǎn)生的有害氣體抽入到排氣管20并導(dǎo)入到集氣箱21中,實(shí)現(xiàn)有害氣體的清理,緊接著打開(kāi)活動(dòng)板25將金屬銅取出,之后啟動(dòng)增壓泵16并打開(kāi)三號(hào)電磁閥29,將由進(jìn)水管27導(dǎo)入到蓄水箱26中的清水。池州京東方用的蝕刻液蝕刻液按需定制