實際價格鍵合機鍵合精度

來源: 發(fā)布時間:2022-06-05

EVG320技術數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉:蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質:聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性材質:不銹鋼和藍寶石刷的參數(shù):材質:PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調參數(shù)(刷壓縮,介質分配)自動化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領域EVG320,使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作,達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染??蛇x功能:ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644)EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。實際價格鍵合機鍵合精度

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共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此,中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力,同時鈦也具有阻擋擴散層的作用, 可以阻止金向硅中擴散[10,11]。EVG610鍵合機研發(fā)生產(chǎn)我們的服務包括通過安全的連接,電話或電子郵件,對包括現(xiàn)場驗證,進行實時遠程診斷和設備/工藝排除故障。

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EVG®850鍵合機 EVG®850鍵合機特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預鍵合 先進的遠程診斷 技術數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預鍵合室 對準類型:平面到平面或凹口到凹口 對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結合力:蕞/高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質:去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉:蕞/高3000rpm(5s)

ZiptronixInc.與EVGroup(簡稱“EVG”)近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制,只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ?,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準精度,此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?!弊詣渔I合系統(tǒng)EVG?540,擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。

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半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸,并蕞小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼EricBeyne表示:“在imec,我們相信3D技術的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業(yè)界標準間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半?!盓VG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。EVG620鍵合機質量怎么樣

EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。實際價格鍵合機鍵合精度

儀器儀表行業(yè)飛速發(fā)展一是因為我國的經(jīng)濟高速穩(wěn)定發(fā)展的運行;按照過去的經(jīng)驗,如果GDP的增長在10%以上時,儀表行業(yè)的增長率則在26%~30%之間。二是因為我國宏觀調控對儀表行業(yè)的影響有一個滯后期,儀表往往在工程的后期才交付使用,因此,因宏觀調控政策而減少的收入對儀表行業(yè)的影響不會太大。隨著網(wǎng)絡消費的不斷遞增,而互聯(lián)網(wǎng)的的商業(yè)價值不斷被挖掘出來,呈爆發(fā)式增長,傳統(tǒng)的營銷模式將逐步被取代。其他有限責任公司企業(yè)要抓住機遇,融入到互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的行業(yè)中,為行業(yè)的發(fā)展提高競爭力。隨著手機移動網(wǎng)絡的消費潛力不斷隱現(xiàn),消費者利用手機消費的頻率和份額逐年遞增。移動互聯(lián)網(wǎng)所隱藏的商業(yè)價值被更多地挖掘出來之后,各種傳統(tǒng)行業(yè)(包括半導體工藝設備,半導體測量設備,光刻機 鍵合機,膜厚測量儀行業(yè))的移動網(wǎng)上平臺相繼誕生。隨著中國的不斷進步,世界上只有一個救世主——市場,能救企業(yè)的只有你自己——自強,提高貿(mào)易型重點競爭力才是中國制造業(yè)的獨一出路。以顯微科學儀器行業(yè)的發(fā)展與變化為例,以親身的實踐為例,毛磊認為,隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展,我國的環(huán)境和實力都發(fā)生了巨大變化,有了完全不同的基礎,這為國產(chǎn)科學儀器走向**增強了信心。實際價格鍵合機鍵合精度

岱美儀器技術服務(上海)有限公司專注技術創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大。一批專業(yè)的技術團隊,是實現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標的基礎,是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。公司業(yè)務范圍主要包括:半導體工藝設備,半導體測量設備,光刻機 鍵合機,膜厚測量儀等。公司奉行顧客至上、質量為本的經(jīng)營宗旨,深受客戶好評。一直以來公司堅持以客戶為中心、半導體工藝設備,半導體測量設備,光刻機 鍵合機,膜厚測量儀市場為導向,重信譽,保質量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。