美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)推薦型號

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到充分體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)推薦型號

鍵合機(jī)特征 高真空，對準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè)，蕞/大6個(gè) 加載：手動(dòng)，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 高達(dá)200毫米湖北鍵合機(jī)當(dāng)?shù)貎r(jià)格EVG下的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口對準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結(jié)合力：蕞高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如，它們通常可以在卷帶機(jī)上購買，以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng)。EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多種類型。

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動(dòng)系統(tǒng)，用于剝離臨時(shí)鍵合和加工過的晶圓疊層，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時(shí)鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離?？梢詫⒈【A卸載到單個(gè)基板載體上，以在工具之間安全可靠地運(yùn)輸。特征：開放式膠粘劑平臺解鍵合選項(xiàng)：熱滑解鍵合解鍵合機(jī)械解鍵合程序控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)薄晶圓處理的獨(dú)特功能多種卡盤設(shè)計(jì)，可支撐ZUI大300mm的晶圓/基板和載體高形貌的晶圓處理技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）晶片ZUI大300mm高達(dá)12英寸的薄膜組態(tài)1個(gè)解鍵合模塊選件紫外線輔助解鍵合高形貌的晶圓處理不同基板尺寸的橋接能力EVG晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢？吉林免稅價(jià)格鍵合機(jī)

EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)推薦型號

ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對于所有材料組合，都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)推薦型號

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是我國半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀專業(yè)化較早的其他有限責(zé)任公司之一，岱美中國是我國儀器儀表技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者。公司承擔(dān)并建設(shè)完成儀器儀表多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目，取得了明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。將憑借高精尖的系列產(chǎn)品與解決方案，加速推進(jìn)全國儀器儀表產(chǎn)品競爭力的發(fā)展。